紫光集团：中国首款64层3D NAND闪存开始量产

每经记者：李少婷 每经编辑：张海妮

9月2日早间，《每日经济新闻》记者自紫光集团处获悉，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司，已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

紫光集团称，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

每日经济新闻

紫光国产32层NAND闪存耗资10亿美元研发，2018年内量产

NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础，也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片，国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光，紫光集团旗下的长江存储正在武汉建设NAND工厂，预计今年内量产，据悉国产NAND闪存是32层堆栈的，是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。

今年5月10日上海展览中心举办了首届中国自主品牌博览会，这次展会得到了国家发展改革委联合中宣部、工业和信息化部、农业农村部、商务部、国家市场监管总局、国家知识产权局、上海市人民政府的支持，主题为 “中国品牌、世界共享”，紫光集团代表北京市品牌企业参展。

紫光集团下的紫光展锐展示了SC9850HK芯片，号称是全国第一家、世界第二家拥有自主嵌入式CPU关键技术的手机芯片平台，是中国手机CPU芯片设计领域的一项重大突破。这款芯片是中国首款拥有自主嵌入式CPU关键技术的LTE手机芯片，其中的核心CPU为独立自主设计，并在此基础上建立独立安全机制，有效保障信息安全。

不过引人关注的是紫光的国产NAND闪存的公开展出，根据官方资料介绍，国产32层3D NAND闪存是长江存储耗资10亿美元，1000人团队研发2年出来的具备国产自主知识产权的3D NAND芯片。

关于制造工艺，紫光没有明确提到工艺信息，但表示这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

目前国产32层3D NAND闪存已经研发成功，长江存储国家存储器基地项目芯片生产机台已进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

根据之前的报道，长江存储将在武汉投资建设三期工程，目前即将完工的是一期工程，投资240亿美元，主要生产NAND闪存，建成后产能将达30万片晶圆/月。

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