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全闪存nand ram 都是存储器,但RAM,ROM,闪存,硬盘怎么分?
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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都是存储器,但RAM、ROM、闪存、硬盘怎么分?

曾经有一段时间,我对电脑、手机上的RAM、ROM、内存、闪存、运行内存、机身内存、存储空间等都"傻傻分不清楚",后来花了不少时间,才把这几者的来龙去脉分清楚。

总的来说上面那些算是存储器,从存储器的材质来看,大概可以分为三种,分别是磁性的机械硬盘、DVD和蓝光类的光盘,而第三种则是今天要讲的主人公,半导体存储器,顾名思义,它是用半导体集成电路工艺制成的存储数据信息的固态电子器件。

如果光看"存储器"这个名字的话,可能很多人会把它们都当作U盘、存储卡、硬盘等永久存储数据的器件,其实这是片面的。说到这,还要从电脑(手机)的内部结构说起。存储器是电脑中的重要部件,主要分为以RAM和ROM为代表的内存(主存储器),和以机械硬盘和闪存为代表的外存(辅存储器)。

很多人都知道内存是用来运行程序的,但未必了解其实内存和外存都会存储数据,只不过是分工不同。内存的英文名为Memory(记忆),可以理解成它是用于即时任务的短暂记忆体。处理器需要处理数据,不是直接和外存(硬盘或闪存)交换数据,而是外存先把数据放入到内存中,再由内存和处理器对接。

内存主要有RAM和ROM这两种。RAM(Random Access Memory),中文名为随机存储器,与CPU直接对接,特点是可以随时读取写入数据、运行速度快,缺点是一但断电就会丢失数据。ROM(Read-Only Memory),中文名为只读存储器,数据出厂前被存入ROM并永久保存,只能读出,不能再写入或删除,掉电后数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据。

人们经常弄错的第二个疑惑点,就是人们把RAM和ROM区分成了运行内存和存储空间这两样不同的东西,特别是在手机上。说到这里,就要说起手机的存储结构了,在手机里面RAM和电脑的一样,也是(运行)内存,但ROM却和存储空间产生了联系,手机中的ROM有一部分空间是用来存储系统信息和软件,但大部分空间都被用来当作硬盘的存储空间了。

外存(辅存储器),英文名为"Storage"(存储),是作为存储空间的永久记忆体。常用的外存设备主要有硬盘(多指机械硬盘)、闪存(半导体)。闪存既可被多次擦除或写入内容,又可断电以后数据也不会丢失。

闪存下面还有相关分类,其中应用广泛的就是NAND闪存。NANAD闪存拥有体积小、读取速度快、空间大等优点,因此多被用来作固态硬盘和手机存储。以固态硬盘为例,它主要由控制芯片+(NAND)闪存颗粒组成,速度的快慢很大程度上取决于闪存颗粒的如何。闪存颗粒的发展也经历了SLC、MLC、TLC、QLC等多个阶段,目前比较先进的有像希捷酷鱼120这种装载了3D TLC NAND闪存的,它能缩短系统、软件、文件的启动和读写时间,顺序读写速度分别高达560MB/秒和540MB/秒。

说了这么多,区分内存、存储空间、RAM和ROM,其实可以简单地分为两方面来记忆区分,一是分清电脑上的内存(运行内存条)和外存(机械硬盘或固态硬盘),二是分清手机上的RAM代表运行内存、ROM代表存储空间就可以了。

英国研究者介绍 UltraRAM 技术新突破:可整合内存与闪存

IT之家 1 月 12 日消息,根据外媒 techspot 报道,本月早些时候,英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文,详细介绍了 UltraRAM“超高效存储”技术近期取得的重要进展。

这项技术的目标是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起,兼顾能效,具有极高的耐用性。此前,英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试,量产了傲腾内存产品,但是仍不足以完全替代 RAM。与此同时,三星也有 Z-NAND 技术,铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。

具体来看,UltraRAM 芯片的制造工艺,与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。从结构上看,这种存储技术采用硅衬底,相比砷化镓成本大幅降低。芯片具有复杂的多层结构,中央的结构还使用了氧化铝进行隔离。

科学家表示,UltraRAM 的制造成本比较低,其拥有很高的性价比。目前已经制造出的测试用原型,可以保证数据能够保存 1000 年,擦写次数可以超过 1000 万,几乎不需要考虑耐久性。如果这种存储芯片能够实现比肩传统 RAM 的速度的话,将会对行业产生重大影响。

制造过程图解:

IT之家了解到,UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力学效应,在施加电压后,允许势垒从不透明专为透明。与 RAM 和 NAND 闪存使用的写入技术相比,UltraRAM 的写入过程非常节能,因此有助于提高移动设备的续航时间。

兰开斯特大学的研究人员表示,他们需要进一步改进存储单元的制造工艺,提高存储密度。这项技术有很大的潜力,可以消除传统计算机与专用内存进行数据传输的过程。

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