东芝存储再见！公司更名为“Kioxia”，中文名为铠侠

7月18日消息，日本半导体制造企业东芝存储于今天宣布，将在10月1日正式更名为キオクシア（Kioxia）控股公司，中文名为“铠侠电子”，相关子公司名称也将相应更改。

Kioxia一词源于日语中表示记忆的“kioku”和希腊语中表示价值的“axia”的结合，官方通过音译给出的中文名称是“铠侠”，而实际上「キオクシア株式会社」翻译为中文就是“记忆体公司”。据官方公告称，改名后的Kioxia依旧以“记忆”技术为核心，提供相关产品和服务。

除东芝存储器本公司外，其集团下所有公司都将采用Kioxia（铠侠）这一新名称，并于同一天生效，东芝电子（中国）有限公司也将于2020年春天完成更名。东芝存储器控股公司执行总裁Stacy J.Smith在采访中表示：“很高兴公司迈出了新的步伐，继续提升在存储行业的前沿地位。以‘存储’为出发点，铠侠将与其他企业通力合作，为社会提供更多价值。”

自1987年东芝发明NAND Flash以来，一直引领着闪存技术的发展，比如最新的“BiCS FLASH 3D”闪存。随着科技不断发展，5G、人工智能与物联网技术对存储设备的需求也在不断升高，Kioxia就很有希望能担此重任，希望铠侠越办越好，带领数字社会进入全新的存储时代。

本文编辑：王稀仕

再出手！长江存储起诉美光侵犯其11项专利

中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

此外，2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

长江存储量产第一代32层3D NAND闪存芯片

据悉，2018年长江存储量产了第一代32层3D NAND闪存芯片，这款由团队历时2年研发成功的首款32 层三维NAND闪存芯片，实现了零的突破。该芯片广泛应用在工控领域。

2020年长江存储开发了两款128层闪存产品。

但2022年10月，美国政府发布出口管制条例，限制芯片制造设备向中国出口，同时在 12月，美国将长江存储列入出口管制实体清单。

国产存储器迈入发展新周期

据悉，NAND闪存和DRAM是存储芯片的两种主要类型，其中NAND 闪存可用于制造固态硬盘等存储设备。

闪存芯片（NAND ）是东芝的舛冈富士雄博士于 1986 年发明为非易失性存储器。闪存芯片内部电路结构采用非线性宏单元模式，具备容量大，改写速度快的优点，广泛用于需要大量存储空间的电子设备，例如固态硬盘（SSD）、智能手机、记忆卡、U 盘等。

1992 年东芝将 NAND Flash 设计授权给三星，同年英特尔也推出了第一款 NAND闪存产品。2007 年东芝率先推出基于 BiCS 技术的 3D NAND 芯片，正式开启了3D NAND 大容量时代。

如今，伴随着自动驾驶、人工智能、元宇宙等新应用在国内的落地，国内数据存储需求不断提升，对国产 NAND 存储芯片的需求也有望不断增长。

此次，长江存储向美光起诉专利侵权也有一定象征意义，不仅显示出了自身技术的领先性，也体现出国内企业在面对外界打压的顽强性。

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来源：IT之家、长江存储官网

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