获得美国豁免后，三星将升级中国的NAND芯片工厂

据新浪财经，获得美国豁免后，三星将升级中国的NAND芯片工厂。

本文源自金融界AI电报

国产存储芯片新突破：我国首款64层3D NAND闪存芯片开始量产

来源：央视网

央视网消息：近日，紫光集团旗下的长江存储宣布，其自主研发生产的64层三维闪存芯片开始量产，以满足固态硬盘嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64层三维闪存。

长江存储自主研发生产的64层三维闪存拥有同代产品中最高的存储密度，相比传统三维闪存架构可以带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期，将该技术引入批量生产，能够显著提升产品性能、缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。

紫光集团联席总裁 刁石京：我们做的这颗芯片，采用我们新的工艺技术方法来做的，它的存储密度更高了，就是在更小的面积上能够实现更大量的存储。同时，它的存储速度也更快了，在使用过程当中感受到数据存进去或者取出来更加快捷、更加方便，这都是我们新型存储的技术优势，是和我们百姓的生活，整个生产发展都是息息相关的。

中国是世界上最大的芯片消费市场，也是世界上最大的存储器市场，随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。三维闪存将在未来的存储器领域获得更迅速发展。

据了解，长江存储64层三维闪存产品的量产将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，并有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。

紫光集团联席总裁 刁石京：长江存储进入到这个领域之前，国内一直没有大规模存储芯片的生产，未来，随着云计算、大数据的发展，人类对数据存储要求是越来越高，3D NAND（三维闪存）存储芯片是高端芯片的一个重要领域，它的量产也标志着我们离国际先进水平又大大跨近一步，可以说把我们的产品水平跟国外的先进水平缩短到了一代。

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