国产存储厂商，刷新全球排名！DRAM列五冲四，NAND市占1%进2%

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）根据2021年上半年DRAM市场情况来看，长鑫存储的全球市占已经来到1%，排名第五（三星、SK海力士、美光三家共占据94%份额），NAND市场排名中，长江存储全球市占已经达到2%（2020年下半年仅1%），排名第七（其他还有三星、铠侠、西数、SK海力士、美光、英特尔等）。虽然相比全球各大厂商，这个份额仍然显得微不足道，却是国产存储的积极重大的进步。

另一方面，2022年DRAM和闪存景气度显不足，应用需求的变化等形势值得注意。

国产存储的阶段性进步

中国是全球最大的应用市场，在智能手机、PC和服务器市场中国都占据了超过30%到40%的份额。正因为终端产业在中国，才给了国产存储更好的发展机会。

DRAM方面，长鑫存储已经成功量产19nm DDR4/LPDDR4，正在推进LPDDR5 DRAM产品开发，预计会采用17nm以下工艺制程。截至2020年底，长鑫存储12寸月产能达到4万片，开始启动6万片/月产能建设。未来随产能的不断扩张，有望超载南亚成为全球第四大DRAM芯片厂商。

除了长鑫存储，东芯半导体也有DRAM产品线，据东芯副总经理陈磊介绍，目前结合公司自主IP，包括有DDR3和低功耗的DDR产品，下一步是开发LPDDR4。预计明年可以为物联网和基带客户提供小容量的LPDDR4x产品。最近，兆易创新表示，17nm DDR3产品正在按计划进行中，预计2022年贡献营收。

闪存方面，长江存储已经量产64层/128层基于Xtacking架构的两代闪存颗粒，192层的第三代3D NAND存储芯片也量产在即。国内多家存储主控芯片、模组厂商都加入了长江存储的生态合作伙伴体系当中。

当然，基本上国产存储芯片厂商当前仍需要紧紧跟随全球头部玩家。在谈了国产存储取得的一些进展后，我们再来看看近两年DRAM、NAND市场的行情究竟如何走？

DRAM价格明年或将下跌15%，DDR5到来有望走稳

以内存分为5大类来看，即PC、服务器、行动式内存、绘图用内存以及利基型内存。在集邦咨询2022存储产业趋势峰会上，集邦咨询研究副总经理郭祚荣先生给出对明年DRAM行情的预判是，全球内存产业在今年上半年受到Delta卷土重来之际，人们大多仍维持在家上班与上课，客户端也因强劲需求而持续拉高库存水位，让前三季度内存价格一路往上攀升。但随着疫苗在全球开打，疫情逐步受到控制，回归上班与上课后，反倒让需求下降，第四季度内存产业从供不应求转为供过于求致使价格开始走跌。集邦咨询预估2022年内存供给成长率来到18.1%，与今年相持平，销售单价将年减15%，但明年将是DDR5内存进入市场的元年，DDR5内存挟带着高时脉与低电压的特性，加上国际大厂陆续支援之下，明年下半年将有一定程度的渗透率 ，内存均价跌幅有机会开始收敛，不排除价格走稳的可能性。

具体来看，PC或服务器用DRAM价格处于下跌态势，行动式内存处于缓涨缓跌的情况，基本上也是下跌的形势。另外图形用内存和利基型内存也将是下跌的。

2020-2021年整个笔记本电脑市场受到居家办公、在线教育等需求刺激，呈现了大幅增长。预估今年笔电出货量增长15.3%，明年却是-7.1%的下降，原因是经过两年的旺季，随着疫情的趋缓，对远程办公的需求不再强烈，带影响新购笔记本的需求减弱。

图形用内存由于虚拟货币和游戏主机等领域的拉动也有不错的成长空间。而消费类包括家电产品又推动了利基型内存的需求增长。

集邦咨询预估2022年手机出货增长只有3.5%，今年大概是7.3%左右的增长。原因是由于缺少杀手级应用，从4G升级到5G并不会带来很大的换机潮。

从比重来看，行动式内存的份额大概是32%，其中，三星呈现了寡占的市场格局，它的市场份额超过了50%，SK海力士和美光居次。无论是LPDDR4还是LPDDR5，三星的份额还会更高，甚至有价格的决定权。三星在LPDDR4的份额达到了46%，SK海力士和美光在明年的预估大概是29.2%。

最重要的DRAM应用市场是服务器，服务器的出机台数，预估目前每年的成长大概是4%到5%，今年预估在5.4%，明年预估是4.1%，虽然台数增长不大，但是服务器存储有很大的成长空间。服务器内存在明年大概是将近18%的成长。

闪存呈现供过于求，在高层数产能与需求中寻找平衡

集邦咨询分析师敖国锋指出，当前投产增长方面，三星在2021年投产增加接近7.5万片，2022年的产能增加只有约3.5万片。

国内厂商在去年大幅增长3.5万片之后，2022年的规划看起来只有小幅增长。主要原因是国内厂商长江存储明年在制程上转向128层，后续切入一线大厂的SSD供应和手机内存供给之下，长存的产能规划相对保守。

在2022年，铠侠的规划小幅增加1.5万片左右，SK海力士在韩国本地的工厂有小幅增加3D NAND的投产。而英特尔跟SK海力士预计在年底之前会完成第一阶段的合并计划，未来的产品重心将专注于企业级固态硬盘的发展。美光的产能也将有小幅增长。总体来看，敖国锋表示，明年各家厂商在投产的规划上相较于2021年都比较保守。

当前，各家厂商的重心都是在96到128层，但是2022年整个产出的供应重心将转到176层，甚至到2023年一些技术领先的厂商会推升到200层以上的技术。主要是三星、SK海力士及美光，将有望由176层推向200层以上，英特尔、长江存储等的技术研发会在160层到192层。

今年第四季之后，176层3D NAND有一个小幅度的增长，明年176层产出比例将陆续增加，主要应用在笔记本电脑、智能手机等市场，至于企业级SSD即便明年有176层的应用，但仍是以128层为主。

从闪存终端需求分布来看，这两年智能手机的比例在34%到35%之间。服务器方面，随着整个服务器出货增长以及平均容量的增长，明年NAND Flash的需求大概会占到22%左右。另外，明年游戏主机占NAND Flash的需求将占到4%左右，长期来看游戏主机占闪存终端需求在3%到4%之间。针对每个终端产品平均容量增长，2021年到2022年，增长较为积极的是服务器相关平均容量，企业级固态硬盘平均容量增长，这两年都有超过3成以上的增长。

虽然2021年许多芯片出现产能吃紧，缺货的情况，但相关PMIC或主控IC的供给状况持续改善，因此敖国锋认为，预估到2022年第二季底，相关元器件供应回归正常交期，明年上半年在生产需求无法大幅改善，以及原厂产能不断转进128到176层及更高层数的情况下，明年上半年闪存市场可能会出现供过于求的局面。再随着下半年英特尔下一代服务器平台的量产，将有机会在第三季之后出现一个供需平衡的状况。

闪存价格方面，2022年第四季度价格仍然有机会继续往下小幅衰退，主要原因是原厂产能不断增加，尤其是转往176层的产能不断地持续迈进，估计明年除了第三季度价格稍微持稳之外，明年整年度衰退的价格比例大约20%到25%之间。

2021年整个需求位元的增长在38.8%，供给位元的增长在39.1%，明年将呈现供过于求的状况。2023年估计仍将出现供过于求，考虑到整个原厂产能在转进200层以上的进度，以及市场的需求情况，或许将在2023年及以后的一些时间节点达到供需平衡。

美韩巨头瓜分94%全球市场，国产存储芯片还有机会吗？

本文来源：时代周报 作者：杨玲玲

缺芯潮持续，何时缓解仍未有定论。

“5G带动半导体需求增加，加上地缘政治和疫情驱动恐慌性备货，晶圆代工产能供不应求的情况依然存在。”近日，在TrendForce集邦咨询主办的MTS2022存储产业趋势峰会上，集邦咨询分析师乔安表示。

TrendForce集邦咨询预估，在历经连续两年的芯片荒后，晶圆代工厂宣布扩建的产能将陆续在2022年释放，且新增产能集中在40nm及28nm制程。不过，由于新增产能的产出时间点落在2022下半年，正值传统旺季，在供应链积极为年底节庆备货的前提下，产能纾解的现象可能并不明显。

今年来，中国存储芯片厂商发展迅速。中信证券在研报中称，长江存储、华虹集团、中芯国际、长鑫存储等晶圆厂积极扩产，驱动国内半导体设备市场增速两倍于全球市场。

尽管如此，在全球行业竞争格局上，眼下中国芯片厂商依然难以撼动三星、英特尔等海外企业的市场地位。

中国厂商加速扩产

存储芯片应用领域广泛，常见的电子设备基本都需使用存储芯片，从存储芯片细分产品来看，DRAM和NAND Flash占据了存储芯片95%以上的市场份额。

中国是全球存储芯片最大市场。据报道，中国一年3000亿美元的芯片进口额中，有超过800亿美元为采购内存芯片，包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。

在国际竞争格局上，存储芯片长期被韩、日、美等国企业垄断。其中在DRAM领域，三星、SK海力士及美光占据主导地位。

集邦咨询报告显示，2021年第三季度全球DRAM市占率方面，三星以44%位居第一；SK海力士在出货减少的情况下略微缩减至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨头的市场占有率总计超过94%。

NAND Flash领域，三星、铠侠、西部数据、美光、海力士、英特尔为行业龙头。据民生证券7月统计，中国是全球第二大NAND Flash市场，占比超过31%，但本土供应市占率不足1%。

11月18日，时创意董事长倪黄忠在接受时代周报记者采访时表示，中国存储芯片行业起步较晚，此前，在DRAM和NAND Flash领域均没有国内厂商，近年来，以长江存储、长鑫存储为代表的国内龙头厂商开始崛起。

“作为闪存行业的新人，长江存储用三年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。”长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，去年4月，长江存储宣布128层QLC 3D NAND 闪存研发成功。

中信证券在研报中称，长江存储是国内3D NAND Flash 存储器头部厂商，一期项目于2019年产能达到2万片/月，2020年扩产至5万片/月以上水平，预计一期项目未来将达到10万片/月产能，另外二期土建已于2020年6月开工，两期产能规划共30万片/月。

长鑫存储作为国内DRAM存储器龙头，三期总产能规划37.5万片/月。中信证券预计，其产能将从2021年初4万片/月扩张至2022-2023年12.5万片/月，同时2022-2023年有望启动二期建设（12.5万片/月）。

国产芯片向高端进阶

对存储厂商而言，跑得够不够快是一个需要持续思考的问题。

以DRAM为例，由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍有近30%的单晶圆位元增长外，其他从1Xnm转至1Ynm、或者1Ynm转至1Znm制程，增长率已收缩至15%以内。

华存电子技术总工程师魏智汎告诉时代周报记者，近几年，国内外企业级存储主控芯片市场发展迅速，竞争激烈，华存电子不仅要面对英特尔、三星、美光等闪存原厂，还要面对美满电子、Microsemi等传统主控大厂的竞争。

国产存储芯片必须从低端向高端进阶。东芯半导体副总经理陈磊表示，作为本土芯片供应商，东芯半导体目前40%以上的员工都是研发工程师，通过自主的产品设计，以及与国内晶圆厂和封装测试厂的合作，已经打造出一条本土供应链体系。

在市场层面，5G、汽车电子、可穿戴设备、物联网等新兴产业及新兴市场，给存储芯片带来旺盛需求，也对产品性能提出新要求，包括精进工艺制程、提升产品可靠性、缩小封装尺寸等，促使产品快速迭代。

这也对整个产业链提出新要求。倪黄忠表示，1.0时代，模组厂商只能做一些简单的加工测试，开发能力较弱，产品以Micro SD卡、U盘等为主；2.0时代，模组厂商成为产品和技术的跟随者，在行业内有一定知名度，但销售依然难突破；步入3.0时代，模组厂商要从芯片硬件到软件、固件的开发，延展到系统级开发以及整个设备自动化产线进行改造，有全面的技术开发能力。

“虽然摩尔定律在半导体的很多领域受到了挑战，但在闪存这个领域还在继续发挥作用。”西部数据副总裁兼中国区业务总经理刘钢介绍，摩尔定律作用下，闪存密度和性能迅速提高，资本效率也大幅增加。

刘钢分析，摩尔定律在闪存领域有三个维度可以发挥作用：一是线宽，在同一层中横向提高密度；二是堆叠，在纵向上发展；三是在同一单元里通过改变逻辑单元的设定，从原来的SLC（Single-Level Cell，单层式存储单元）到MLC（Multi-Level Cell，双层式存储单元）、TLC（Trinary-Level Cell，三层式存储单元）、QLC（Quad-Level Cell，四层式存储单元），在每个单元都可以增长。

虽然，当前存储芯片市场主要由海外巨头公司掌握，国产公司处于相对落后状态，但国产存储芯片已在各个细分行业展开追赶，并获得显著进展。“本土存储厂商正奋起直追，企业之间形成了密切且相互依存的产业生态链，国产替代正当时。”陈磊表示。

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