重磅!半导体芯片最稀缺龙头,利润暴增240%,下一个中际
事件催化:
2024年第一季度以来,各大晶圆厂的产能利用率正逐步修复。其中,中芯国际和华虹的产能利用率在分别经历两、三个季度的下滑后,于一季度实现环比提升。
存储芯片成为最为活跃的细分领域。
三星二季度DRAM出货量环比增长15%至20%,扭转首季环比下滑10%左右的颓势,SK海力士本季出货量环比增长30%至50%, 远高于市场共识的20%。
存储芯片之所以反弹最为激烈,一方面是其规模大,占整个半导体市场的三分之一,导致其库存消化快。另一方面是国产替代,目前存储芯片的国产化率不足10%,国产厂商替代空间巨大。
市场规模:
大基金三期助力存储厂商扩大产能
大基金一期聚焦于晶圆制造,流向晶圆厂的投资占比达67%,而二期进一步加大了对晶圆制造的投入,IC制造投资占比增至70%。
考虑到往期投资流向和对巨量资金的承接能力,晶圆制造领域将仍占三期投资额的最大比例,并推动晶圆厂资本开支的提升和扩产节奏的加快。
进一步的,在存储芯片领域中,国内存储晶圆厂与全球巨头相较存在巨大的产能差距,因此对晶圆制造领域的投资有很大概率向存储厂商倾斜,而国内各大存储晶圆厂及相关产业链将会得到更多的帮助。
2、存储芯片价格有望进一步上涨
2024年6月DRAM/NAND Flash现货价格环比回落,整体仍处于上行趋势。
据TrendForce数据,第二季度DRAM合约价季涨幅将上修至13%~18%,NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15%~20%,且DRAM和NAND Flash在2024年有望继续涨价。
近日,三星已向包括戴尔科技、慧与在内的主要客户通报了涨价计划,准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器DRAM和企业级NAND闪存报价提高15%至20%,今年以来,三星已经多次调价。
分析存储芯片整个产业链看来。
存储芯片行业产业链上游参与者包括硅片、光刻胶、电子特种气体等半导体材料供应商和光刻机、刻蚀设备、封测设备等半导体设备供应商。
产业链中游为存储芯片制造商,主要负责存储芯片的设计、制造和封测,常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等。
产业链下游为消费电子、汽车电子、信息通信、人工智能等应用领域内的企业。
综上,我也是整理了5大核心潜力
中芯国际
拥有领先的工艺制造能力、产能优势、服务配套,向全球客户提供8英寸和12英寸晶圆代工与技术服务。
北京君正
公司专注于微处理器芯片、智能视频芯片等领域的研发和销售。其产品广泛应用于汽车电子、工业控制、智能穿戴、物联网等多个领域。
长电科技
存储行业上游龙头,公司的风测服务覆盖DRAM、Flash等各种存储芯片之中,产品涨价,原材料自然也会水涨船高。
华虹公司
拥有先进芯片制造主流工艺技术的国有8+12英寸集成电路制造产业集团,司代工的芯片已广泛进入国内与海外汽车电子供应链。
最后一家,更值得关注!
1、公司不仅手握核心技术,更是获得了大基金的支持。
2、历史上出现3次翻五倍记录。
3、一季度净利润暴增2000%,创历史记录,119家机构重仓。
4、调整长达4年,大跌进80%再回底部。
5、大双底反转,持续堆量,突破颈线。
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成本上涨20% 左右,国产二三线SSD品牌厂家已陆续开始涨价
IT之家 9 月 6 日消息,TrendForce 最新研究显示,近期 NAND Flash 现货市场颗粒报价受到 wafer 合约价成功拉涨消息带动,部分产品项目出现较积极询价需求。
TrendForce 调查发现,此次涨价主要起因于 8 月下旬 NAND Flash 原厂进一步与部分中国指标模组厂涨价,这表明原厂不愿再低价卖货,从而带动 Wafer 现货市场近期出现短期涨势。
现有渠道商在博板堂爆料称:上游 NAND 晶圆颗粒成本价已上涨 20% 左右,导致国产二三线 SSD 品牌厂家近期陆续开始执行涨价措施。
受上游 NAND 晶圆颗粒的价格上涨,以及贸易商出货报价抬高,成本价格大概已上涨 20% 左右,国产二三线 SSD 品牌厂家近期已经陆续开始执行涨价。
有些品牌上月底已小涨,有的品牌计划 9 月份开始执行涨价,首次成本价格上涨预计约达到 10% 左右,整体上涨幅度可以达到 15% 以上。预计多数品牌可能选择几轮的涨价策略陆续执行,主要看市场需求以及终端的接受度而定,如果市场需求过差持续上涨可能受阻。
IT之家早前曾报道,三星电子此前计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备,并暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价。
此前据外媒 BusinessKorea 报道,在市场需求未明显好转的情况下,三星电子和 SK 海力士正面临不小的压力,库存依旧处在高位,下半年考虑将继续减产。
而当下产业预估的情况是“存储芯片价格明年年初会上涨”,不过外媒表示,若价格跌势未能按预期扭转,相关产业产品“涨价的时间点将不可避免地延后”。
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