SK海力士公布300层堆叠NAND Flash：1Tb容量， 194 MBs

3月20日消息，在日前的第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国存储芯片大厂 SK 海力士（SK Hynix）展示了最新300 层堆叠第 8 代 3D NAND Flash的原型，令与会者大吃一惊。

SK海力士在会议在发表会的标题订为 “高密度存储和高速接口”，其中描述了该公司将如何提高固态硬盘的性能，同时降低单个 TB 的成本。

据介绍，SK海力士第 8 代 3D NAND 堆叠超过 300 层，容量为 1Tb（128GB），具有 20Gb/mm² 单位容量、16KB 单页容量（page size）、拥有四个 planes，接口传输速率为2400 MT/s。最大数据传输速率将达到 194 MB/s，相较上一代 238 层堆叠和 164 MB/s 传输速率的第七代 3D NAND Flash高出 18%。而在更快的输入和输出速度下，有助于 PCIe 5.0 x4 或更高的接口利用率。

新 NAND 的位密度增加近一倍，意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率，也将降低 SK 海力士的成本，只是尚不清楚具体程度。

据 SK 海力士研发团队的说法，第 8 代 3D NAND Flash 采用了 5 项崭新的技术。

首先，其拥有三重验证程序(TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布，并将 tPROG （编程时间） 减少 10%，从而转化为更高的性能。

其次，采用 Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) 技术，再将 tPROG 降低约 2% 。

第三，APR方案可将读取时间降低约 2%，并缩短字线上升时间。

第四，编程虚拟串 (PDS) 技术可藉由降低通道电容负载来缩短 tPROG 和 tR 的界线稳定时间。

最后，平面级读取重试 (PLRR) 功能，允许在不终止其他平面的情况下，更改平面的读取级别。之后，立即发出后续读取命令，并提高服务质量 (QoS)，从而提高读取性能。

由于 SK 海力士针对新产品还在开发中，因此该公司尚未透露生产最新一代 3D NAND Flash 的量产时间。尽管如此，分析师预计该300层3D NAND Flash将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。

编辑：芯智讯-浪客剑

SK 海力士将推800+ 层堆叠NAND Flash

来源：内容来自「technews」，谢谢。

目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。 其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK 海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划，预计在2030 年推出800+ 层的NAND Flash，届时将可轻松打造出100 到200TB 容量的SSD。

在日前举行的｢ Flash Memory Summit ｣ 大会上，SK 海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出，目前SK 海力士正在开发128 层堆叠的4D NAND Flash，其量产时间将落在2019 年第4 季。另外， SK 海力士还展示了一款「PE8030」的全新SSD，采用PCIe 4.0×4 介面连接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s ，而4KB 随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。

在研发发展方面，目前SK 海力士正在研发176 层NAND Flash， 而其他产品的发展，包括72 层堆叠的4D NAND Flash 目前大规模量产中，96 层堆叠的4D NAND Flash 目前也在大规模量产中，而且未来产能即将超越72 层堆叠的4D NAND Flash。128 层堆叠的4D NAND Flash 将于2019 年第4 季量产，176 层堆叠产品2020 年问世、500 层堆叠产品则将于2025 年问世，其TB/wafer 容量比将可提升30%。而800+ 堆叠的4D NAND Flash 则是预计2030 年问世，TB/wafer 容量比提升到100 到200TB 的

据了解，目前SK 海力士生产的128 层堆叠NAND Flash 核心容量是1Tbit，176 层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit，预计500 层堆叠时核心容量可达3.9Tbit，到800 层堆叠时则会高达6.25Tbit，是现在的6 倍多。而若以当前SSD 固态硬碟的容量计算，目前最大容量约在15 到16TB 左右。而依照6 倍核心容量的成长幅度来计算，未来SSD 容量可达200TB 左右，这个容量要比当前的HDD 还要更大。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2035期内容，欢迎关注。

半导体行业观察

『半导体第一垂直媒体 』

实时 专业 原创 深度

射频｜台积电｜江北新区｜AMD｜FPGA｜EDA｜集成电路｜MRAM

回复 投稿 ，看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》

回复 搜索 ，还能轻松找到其他你感兴趣的文章！

相关问答

从而最大限度地提高了灵活性。TI德州仪器MSP430FR2533详情。单元旁边一列电...东芝TC58BVG0S3HTA00NANDFlash,容量128MB,用于存储固件信息。盾下是睿...

耀隆微卡是一款高速、高性能的嵌入式存储芯片,采用了3DNANDFlash技术和PCIeNVMe接口,具有较高的读写速度、稳定性和可靠性。其主要技术参数包括:容量可达2...

EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)和FLASH是两种不同的非易失性存储器件,它们之间的区别如下:编程和擦除方式不同...

现在手机上RAM叫运行内存nandflash叫储存内存PC里把RAM叫内存也只是习惯称呼,实际叫主存。随机存取存储器(英语:RandomAccessMemory,缩写:RAM),也.....

手机MotoMotoFLASH共3条回答1143浏览1、RAM也是可读可写的存储器,但它...除此之外,还包括运行配置文件(Running-config)、正在执行的代码、IOS操作...

[最佳回答]65536是2的16次方.意味着每个像素的颜色信息要用16位来记录,即16bit/像素.像素总数=1024*1024.40张总存储空间=1024*1024*16*40bits=1024*1024*...

Flash在手机上对应的芯片是eMMC(embeddedMultiMediaCard),它是一种集成化的嵌入式存储器,包括不同容量的NAND闪存和控制器。这种集成化存储器通过高速串...

Flash根据技术方式分为Nand、NorFlash和AG-ANDFlash三类;NorFlash常常用于存储程序,最初MP3芯片不太成熟的时,曾经有使用过NorFlash,比如炬力AT....

[最佳回答]1024*1024=像素数65536是每个像素的色彩范围,换算成字节数是2个字节.那么每张图片如果不考虑文件头,大小是1024*1024*2个字节20MB/40等于实际每张图...

存储芯片容量与多少纳米制程没有直接的关系,你说的sd卡属于3Dnandflash,256G容量基本上由韩国三星垄断,采用14nm制程,我国明年由紫光集团研制的64层3Dnand...