英特尔：获美商务部一年授权，继续运营大连NAND闪存芯片业务

10月13日，美国芯片巨头英特尔表示，10月11日，公司从美国商务部获得为期一年的授权，继续运营其位于中国大连的NAND闪存芯片业务。

10月12日，韩国存储芯片大厂SK海力士发布声明称，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。

SK海力士预期，将能够在接下来一年内，不获取美方个别许可的前提下，为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。

NAND是一种非易失性存储器，被广泛使用在电脑和智能手机中。公开信息显示，韩国SK海力士于2020年宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。但目前大连NAND闪存芯片业务尚未完全交割。在英特尔的整体业务中，NAND体量占比较小。

美国商务部于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下DRAM、128层以上NAND闪存、14纳米以下逻辑芯片的生产设备的出口。

据央视新闻消息，10月8日，外交部发言人毛宁主持例行记者会。有记者提问，美国商务部日前宣布对芯片实施新的出口管制，中方对此有何评论？毛宁表示，美国出于维护科技霸权的需要，滥用出口管制措施，对中国企业进行恶意的封锁和打压，这种做法背离公平竞争原则，违反国际经贸规则，不仅损害中国企业的正当权益，也将影响美国企业的权益。她指出，这种做法阻碍国际科技交流和经贸合作，对全球产业链供应链的稳定和世界经济恢复都会造成冲击。美方将科技和经贸问题政治化、工具化、武器化阻挡不了中国发展，只会封锁自己，反噬自身。

中国商务部在回应记者提问时表示，美方又将31家中国实体列入“未经验证清单”，还进一步升级半导体等领域出口管制措施。这是典型的科技霸凌做法，不仅违背双方合作精神、罔顾双方合作事实，而且严重阻碍中美企业间正常经贸往来，严重破坏市场规则和国际经贸秩序，严重威胁全球产业链供应链稳定，中方对此坚决反对。

中国商务部指出，美方的做法不仅影响中国企业的正当合法权益，也损害美国出口企业正当商业利益。美方应立即停止错误做法，给予包括中国企业在内的各国企业公平待遇。中方呼吁各方加强合作，共同构筑安全稳定、畅通高效、开放包容、互利共赢的全球产业链供应链体系。

SK海力士非易失性存储器制造项目在大连开工 将建新的晶圆工厂

中新社大连5月16日电 (记者 杨毅)SK海力士非易失性存储器制造项目16日在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

5月16日，SK海力士非易失性存储器制造项目在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。图为开工仪式。 中新社记者 杨毅 摄

2020年，总部位于韩国的半导体企业SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。2021年底，SK海力士完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段，从英特尔手中接管了SSD业务及其位于大连的NAND闪存制造厂的资产。

为加快推动项目发展，SK海力士决定在大连继续扩大投资并建设新工厂，该项目位于大连金普新区，将建设一座新的晶圆工厂用于生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

SK海力士半导体(中国)总裁郑银泰表示，SK海力士将中国视为重要的合作伙伴，并始终保持着同中国的友好合作关系。在大连新建NAND闪存工厂的同时，SK海力士还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充，并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。

郑银泰说，本次新建项目不仅有利于提升大连工厂自身的产业竞争力，还有助于保障中国市场供应链稳定。后续，SK海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作，按计划完成新工厂建设，将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。

大连市市长陈绍旺表示，SK海力士非易失性存储器制造项目是辽宁省、大连市重点推进项目，此举将为大连在全国产业发展格局中的重要地位奠定坚实基础，为推动大连尽快建成新一代信息技术产业集群提供强劲动能。(完)

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