国产存储“芯”突破!我国首款64层3D NAND闪存芯片开始量产
(央视财经《中国财经报道》) 近日,紫光集团旗下长江存储宣布,其自主研发生产的64层三维闪存芯片开始量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。这也是中国首款64层三维闪存。
长江存储自主研发生产的64层三维闪存拥有同代产品中最高的存储密度。相比传统三维闪存架构,可以带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。将该技术引入批量生产,能够显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。
紫光集团联席总裁 刁石京: 我们64层256G的闪存芯片,核心是采用了我们最新的工艺方法来做的,他的存储密度更高了,在更小的面积上能够实现更大量的存储;那么同时它的存储速度也更快了,在这个使用过程当中,感受到数据存进去,或者取出来更加快捷、更加方便。这都是我们新型存储的这种技术优势,是跟我们百姓的生活、整个的生产发展都息息相关。
中国是世界上最大的芯片消费市场,也是世界上最大的存储器市场。随着5G,人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长,三维闪存将在未来的存储器领域获得更迅速发展。据了解,长江存储64层三维闪存产品的量产将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到2年以内,并有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。
紫光集团联席总裁 刁石京: 长江存储进入到这个领域之前,国内一直没有大规模量产的存储,我们也是看到未来,随着云计算、大数据的发展,人类对数据存储要求是越来越高,3D NAND存储芯片是高端芯片的一个重要领域,它的量产也标志着我们离国际先进水平又大大的跨近一步,可以说把我们的产品水平跟国外的先进水平缩短到了一代。
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中国首款64层3D NAND闪存成功量产,便宜好用的国产闪存就要来了
非常在线2019年9月2日消息,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,基于Xtacking架构的64层256Gb TCL 3D NAND闪存已经开始量产。
基于Xtacking架构的64层256Gb TCL 3D NAND闪存是目前全球首款基于Xtacking架构设计并成功实现量产的闪存产品,是全世界同代产品中储存密度最高的产品,Xtacking架构允许NAND的储存单元与外围电路分别使用两张独立的晶圆制造,然后在通过额外的处理步骤将两片晶圆结合起来,在I/O速度和存储密度方面比目前市场上的产品更加出色。
长江存储在去年闪存峰会上宣布了Xtacking架构,并计划于2019年将该技术应用于第二代3D NAND产品的开发上,如今这项技术成功落地,长江存储的承诺也算兑现了,可以预想见的是,随着中国厂商的研制技术追上国际主流水准,加上这些年全球闪存的产能过剩,一场价格大战就要来临,便宜好用的国产闪存必然会掀起半导体产业圈的一场风暴。
紫光集团的目标远不止于此,NAND闪存只不过是第一步,在今年6月紫光集团组建了DEAM内存事业部,正式朝着内存领域进军,前几日紫光集团与重庆政府签署了合作协议,在当地建设内存研发中心及晶圆厂,预计在2021年将实现国产自主内存芯片的量产。
国产DRAM内存一直是紫光集团的目标,目前全球的内存市场有95%都控制在韩国三星、SK海力士和美国美光这三家公司手中,其研发技术水平处于国际顶尖,其他国家和地区的厂商全部难以望其项背,而紫光集团就是要做抗衡三家巨头的的第一人,DRAM内存相比闪存技术更加复杂、人才、资金投入更大,于是紫光集团先选择从闪存下手。
目前,长江存储通过多年的发展,已经打造了一支超过2000人的存储芯片领域的研发人员,为近一步向DRAM内存进军做好了充足的人才储备,随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来,紫光集团将迎来最好发展的机会,是对三星、美光等巨头市场份额发起冲击的大好机会,这也就解释了紫光集团近期频频出手加快在DRAM内存领域的布局原因。
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