HPE：10年后 存储级内存将取代NAND闪存

近日，HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测，在他看来，存储级内存（SCM）或将在10年内取代NAND闪存，成为企业首选的高速存储介质。

在Ivan Iannaccone看来，随着企业对数据处理和请求的需求加快，NAND闪存的性能和延迟问题将使得SSD不足以满足未来的企业需求。而读写性能远高于SSD、延迟更为SSD十分之一的SCM将逐步取代NAND SSD。

同时，Ivan Iannaccone表示，尽管SCM确实比NAND好很多，但其比NAND高出4倍的成本依旧是最大的阻碍。

编辑观点：

在笔者看来，SCM确实是趋势，因其性能接近DRAM，而成本介于DRAM和NAND之间。

目前，做SCM的厂商主要为英特尔和三星。英特尔的傲腾产品定位于企业和消费，三星的Z-SSD更专注于消费者，并计划在今年晚些时候向OEM提供样品。此外，据爆料，东芝和西数也在开发自己的SCM产品。

另一方面，尽管各存储厂商均发力SCM市场，但其高昂的成本确实阻碍着SCM取代NAND。最好的例子：这么多年过去了，NAND SSD依旧没能完全取代HDD。

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一种旨在替代DRAM和 NAND的新型存储

来源：内容由半导体行业观察（icbank）编译自「techspot」，谢谢。

如果您一直关注有关内存技术的新闻，则可能听说过几种可使RAM和SSD 更快，更密集和更节能的技术。那里还有大量研究集中在寻找一种进行“ 内存内计算 ”的方法，这是从根本上消除了数据在处理器，内存和设备的非易失性存储之间往返的带来的瓶颈。

而所有这些都源于以下事实：将数据写入DRAM既快速又节能，但是一旦断电，数据的完整性也会随之下降。然后，您必须不断刷新该数据，那就造成效率不是很高。另一方面，NAND是一种相对可靠的数据存储方式，但是写入和擦除操作速度很慢，会使单元性能下降，使其无法用作工作内存。

英国兰开斯特大学的研究人员说，他们已经建立了一种新型的非易失性存储器，它以DRAM的速度工作，而据报道在写入数据时仅消耗后者所需能量的百分之一。

这种技术被称为UK III-V Memory，它基于20nm光刻工艺构建。研究人员解释说，它提供了5ns的写入时间（与DRAM相当）和类似闪存的读取简单性。但最有趣的功能实际上是非易失性，即在断电时保持数据完整的能力。

UK III-V原型晶体管

据说他们打造的这个芯片原型能够使用2.1 V的电压擦除和编程数据，而典型的NAND单元则使用3 V的电压擦除。实现这一目标的方法是通过“双阱共振隧道结， ”（dual well resonant tunnelling junction），这是通过使用交替的GaSb（锑化镓）和InAs（砷化铟）层实现的。

与闪存的工作原理类似，新的存储单元使用“浮栅”存储“ 1”或“ 0”，但此处InAs浮栅被GaSb和AlSb的大导带不连续性所隔离。简单来说，UK III-V存储器中使用的晶体管具有更好的导通和截止状态，它们被设计为利用两种材料来确保将信息存储“异常长”的时间。

但他们并没有披露读取操作的功耗的详细信息，不过该项目首席研究员Manus Hayne表示，只要读取新的“ 1”，新内存就不需要重建数据，也不需要不断刷新以确保数据完整性。因此，即使读取确实需要更多功能，也需要进行权衡。

UK III-V内存可以使设备在断电的情况下保留数据，并几乎立即打开电源并返回到上次停止的位置。海恩（Hayne）认为，它可以取代价值1000亿美元的DRAM和闪存市场，并且正在申请专利。

同时，Hynix计划基于HBM2E技术制造世界上最快的DRAM，该技术可以每秒460 GB以上的速度传输数据。英特尔已经将Optane DC持久内存DIMM交付给企业客户已有数月之久，为他们提供了一种弥合DRAM和NAND之间的差距的方法，以应对需要两全其美的某些工作负载。

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