长江存储，突传大消息！

最近两天，芯片界的大事不断！

据多家媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

这是继今年6月后，长江存储又一次对美光出手。2023年11月，长江存储就曾在美国起诉美光专利侵权，涉8项专利；2024年6月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。

今天，还有消息称，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。另一方面，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA基板。

来看报道！

长江存储突发

据媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在加州北区对美光提起诉讼（通过 Blocks&Files），指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请。据@lithos_graphein收集的专利申请列表表明，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的一般方面。

美国商务部于2022年底将长江存储列入黑名单，这大大增加了该公司从美国公司获得先进晶圆厂设备，以制造其市场领先的3D NAND设备的难度。去年，因为美国商务部禁止销售可用于制造具有超过128个活动层的3D NAND的晶圆厂工具和技术，长江存储发展的难度再度加大。

有趣的是，总部位于美国的 Patriot Memory正在准备一款高端PCIeGen5x4SSD，其读取速度高达14GB/s。而该公司的技术正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和长江存储的3D NAND内存。

芯片大事不断

最近，芯片界的大事可谓不断。

7月22日消息，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA（倒装芯片球栅阵列，FlipChip-Ball Grid Array）基板。

三星电机在新闻稿中宣称，其已向FCBGA基板领域投资了1.9万亿韩元（约99.5亿元人民币）。 三星电机与AMD联手开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，这项技术对CPU/GPU应用至关重要，可实现当今超大规模数据中心所需的高密度互联。与通用计算机基板相比，数据中心基板面积是前者10倍、层数是前者3倍，对芯片供电与可靠性的要求更高。

据IT时代消息，三星电机副总裁兼战略营销主管Kim Won-taek表示：“我们已成为HPC（高性能计算）和AI半导体解决方案全球领导者AMD的战略合作伙伴。我们将继续投资于先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为AMD等客户提供核心价值。”

AMD全球运营制造战略副总裁Scott Aylor表示：“AMD始终走在创新的前沿，以满足客户对性能和效率的需求。我们在芯片技术领域的领先地位让我们能够在CPU和数据中心GPU产品组合中提供卓越的性能、效率和灵活性。我们与三星电子等合作伙伴的持续投资，将确保我们拥有提供未来HPC和AI产品所需的先进基板技术和能力。”

三星和AMD的联手，对于全球算力需求用户来说，是一大福音，但对于GPU的最大生产商英伟达来说，可能并不是一个好消息。

而最近，英伟达也有动作。据路透社22日消息，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。英伟达今年3月发布了“Blac kwel”芯片系列，并将于今年晚些时候量产。在该系列中，B200在某些任务（如提供聊天机器人的回答）上的速度比前代产品快30倍。消息人士称，英伟达将与其中国经销商伙伴合作推出和分销这款暂定名为“B20”的芯片。

责编：王璐璐

校对：刘星莹

全球首款：长江存储启动64层3D NAND闪存量产

9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（长江存储）宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

作为中国首款64层3D NAND（三维闪存）闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产，标志着长江存储已走出了一条高端芯片设计制造之路。

长江存储64层3D NAND闪存晶圆

据介绍，长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计，并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤，就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构，引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”

程卫华还提到，“随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”

相关问答

长江存储可以生产晶圆。作为一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业,长江存储为全球客户提供先进的存储产品和解决方...

NANDFlash全名为FlashMemory,属于非易失性存储设备(Non-volatileMemoryDevice),数据存储在这类设备中,即使断电也不会丢失。广泛用于eMMC/eMCP...

14nm。长江存储的3DNAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。闪存颗粒并不像手机芯片那样,对纳米工艺要求那么高。3Dflash的堆叠层数和存储密度更为重要,相...

合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力?闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节,都是要在国外垄断企业口里夺食,如果发展得好都是相当...

母公司是紫光集团。长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长...

长江存储两年的时间打造出32层的3D闪存,长江存储成为了全球第5家能生产3D内存芯片的厂商。2018年,长江存储发布了基于飞索授权的全新NAND闪存芯片架构—Xtacki...

1、长江存储科技有限责任公司长江存储是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,产品主要包括3DNAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消...

14nm~20nm长江存储的首台光刻机来自ASML,为193nm浸润式光刻机,售价7200万美元,约人民币4.6亿元,用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D.....

长江存储跟着三星涨价是因为它们在DRAM市场上的定位相似,都是主要从事DRAM(动态随机存储器)芯片生产的企业。DRAM市场是一个寡头垄断市场,少数几家企业掌握了...

近期,高启全接受媒体记者采访时称:2019年,长江存储就很可能开始量产64层堆栈3DNANDFlash。这等于是说,长江存储所研发NANDFlash。另外,长江存储在今年也...如...