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管理型NAND闪存 NAND闪存概念大科普！

发布时间 : 2024-10-31

作者 : 小编

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NAND闪存概念大科普！

内存全线连跌硬盘价格高位运行

在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。

在使用期的性能恒定

固态硬盘（SSD）写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。

随着PCIe销售额的增加，

SATA逐渐消失不见

虽然PCIe在许多消费市场中占据主导地位，如游戏和笔记本计算机，但工业数据存储的增加和苛刻性使得SATA接口在工业市场上拥有稳固的立足点。随着固态硬盘(SSD)存储的需求不断增加，SATA SSD仍处于高需求状态，并将满足不需要PCIe性能或功率分配有限的市场。

新的SATA闪存控制器可与最新的3D闪存一起使用，为不完全由性能驱动的应用程序提供价格竞争的解决方案。

平均抹写储存区块技术的功能同样也在执行

平均抹写储存区块技术是一个很庞大的题目，也可以是非常基本的消费应用。或者当终端应用程序需要持久寿命和可靠性时，它可以非常复杂。重要的是与闪存控制器供货商深入挖掘平均抹写储存区块技术的功能，以了解系统的坚实性。简而言之，如果您的资料非常紧要，或者具有重要价值，最好深入研究为满足最严苛的要求所设计的控制器。

管理型NAND仅可用作eMMC或UFS

管理型NAND是指系统包括NAND闪存管理功能和NAND闪存本身在同一芯片里。有不同的选择和质量水平。有些管理型NAND几乎像原始NAND，但具有ECC除错机制功能。然而，闪存管理将必须由外部处理器执行。广为流传的、更高阶的执行是eMMC或UFS。

不过只限于某些主机系统。高阶自定义的管理型NAND解决方案可以轻松构建，并且可以使用熟悉的任何主机接口。板上电子盘解决方案确实具有可能性，并提供明显更低的TCO。

LDPC是最强大的ECC除错机制

LDPC（低密度同位）已经成为许多与最高质量ECC除错机制联想在一起的专门用语。然而有许多类型的LDPC执行，而解决方案并不全然相同。一些针对校正质量进行了优化，有些针对速度，有些是功耗，有些则是成本。

简而言之，不要误认为LDPC是最好的和唯一的解决方案—主要是取决于产品中LDPC的实际执行。

如果要设计自定义解决方案，

则需要将源代码集成到固件里

存储解决方案不见得只是基本的存储系统。透过现代应用程序开发接口（API），可以有更多可能。此外，终端客户不需向闪存控制器供货商透露任何信息便可完全掌控其智慧财产固件，并控制其USP。闪存控制器具有API开发工具套件是可行的。

我们熟知的NAND闪存，还有个“双胞胎兄弟”

【IT168 评论】无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。

　　NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型，它具有不同的设计拓扑结构，某些特定的应用场景下更为适合。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前，检查其结构差异是很重要的。

　　NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片，是当前市面上嵌入式以及独立式SSD的主要原材料。多层单元(MLC)技术和3D制造工艺的结合，将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上，使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。

　　NAND与NOR电路基础

　　尽管NAND闪存是这两种非易失性内存技术中相对流行的一种，但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的区别和命名，需要简要回顾一下逻辑门的基础知识。

　　NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”（and）以及“或”（or）。如下所示，NAND和NOR都生成响应两个二进制输入的输出。

响应两个二进制输入的NAND和NOR输出

　　NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。

　　NAND门在概念上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面跟着一个NOT门，这是一个逻辑反转。相应的，NOR门在概念上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1，然后是NOT门，这是一个逻辑倒装。

　　布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存至关重要，因为闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中，一组中的所有单元(通常是一个字节的倍数，取决于芯片的大小)共享一条位线，并以串行方式连接每个单元，每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节，通常为4 KB到16 KB。因此，只有当所有的字线都是高或单状态时，位线才会降低或变为零状态，这实际上将内存组转换为一个多输入NAND门。

　　与此相反，NOR闪存并行组织位线的方式是，当位线和字线都处于低或零状态时，内存单元只保持高或单状态。

　　NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上，而不需要外部接触，从而显著减少了其横截面积。

　　NAND闪存单元的串联连接意味着它们不需要单元之间通过金属层进行外部接触——而这正是NOR拓扑结构所需的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级，或100倍。此外，组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中，位线类似于垂直管道。

　　相反，由于NOR闪存单元不能单独寻址，因此它们对于随机访问应用程序更快。

　　NAND与NOR产品类型

　　这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异，它们有各自最适合的应用程序类型。除了容量外，NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和成本特性，如下图所示。

　　这两种闪存中也有几种不同的产品类型，它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式控制功能方面有所不同。

　　NAND闪存产品类型

　　NAND闪存以单层（SLC）、多层（MLC）、三层（TLC）或四层（QLC）的形式在每个单元（cell）中存储bit，分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适合于工作负载，简单来说，每个单元的位数越高，其容量就越大——当然，是以数据持久性和稳定性为代价的。

　　NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片，这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中使用。相比之下，托管型NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能，比如磨损调平、坏块管理(从使用中消除非功能性内存块)和数据冗余。

　　NOR闪存产品类型

　　串行设备通过只暴露少量(通常是1到8个)I/O信号来减少包的pin数。对于需要快速连续读取的应用程序来说，这是理想的选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

　　并行NOR产品暴露多个字节，而且通常使用内存页而不是单独的字节进行操作，更适用于启动代码和高容量应用程序，包括数码单反相机、存储卡和电话。

　　两种闪存都是不可或缺的

　　NAND是闪存的主力，广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过，NOR 闪存在存储可执行的启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序方面起着关键作用。显然，这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。

　　原文作者：Kurt Marko

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我们熟知的NAND闪存，还有个“双胞胎兄弟”

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