美光扩建NAND闪存工厂但不增产 128层闪存有重大变化

日前美光公司在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典，包括美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供应商、经销商等500多人参加了活动。

除了美国本土之外，美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂，2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心，又扩建了Fab 10晶圆厂的生产能力，新盖了无尘室等生产设施，提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性。

不过在目前NAND闪存价格持续下滑的情况下，美光虽然扩建了新加坡的Fab 10A工厂，但并不打算增产NAND，通过资本开支调整、技术转换等方式，Fab 10厂区的总产能不变 。

美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化，目前96层堆栈的3D闪存已经量产，而在第四代3D闪存上会有重大变化，128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术 。

在2D闪存时代，各大厂商基本上都是以FG浮栅极技术为主，转向3D闪存之后三星率先使用了CTP电荷陷阱技术，其他厂商也陆续跟进，只有美光、Intel有所不同，双方在3D闪存技术发展上也产生了分歧，据说这就是两家公司在96层堆栈3D闪存之后决定分手、互相独立研发生产的关键，Intel会继续坚持浮栅极。

在美光之外，其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。

美光再争行业第一，又一次突破3D NAND堆叠极限

本周四，美光（Micron）隆重宣布了业内首创的 232 层 3D NAND 存储解决方案，并计划将之用于包括固态硬盘（SSD）驱动器在内的各种产品线。此外，还宣布试行全新定价机制“远期定价协议“，以稳定存储器行业价格。

3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。 平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

3D NAND是英特尔和美光的合资企业所研发的一种技术，它的概念其实非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，之前英特尔和美光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。

此次，美光宣布推出 232 层 3D NAND 闪存，更多的层意味着每个芯片有更多的存储空间，这意味着SSD的存储能力更大。3D NAND正与不同的NAND技术相结合 (SLC、QLC)，未来更高堆叠层数的3D NAND是行业发展的趋势。

在阵列下 CMOS 架构（简称 CuA）的加持下，美光得以将两个 3D NAND 阵列彼此堆叠。如果一切顺利，该公司有望于 2022 下半年开始增加 232 层3D TLC NAND 闪存芯片的生产。

美光 232 层 3D NAND 芯片（128GB）中的原始容量为 1 TB，该芯片利用美光的CMOS下阵列（CuA）设计，在彼此之上产生两个3D NAND阵列。结合 CuA 设计+ 232 层 NAND 方案，有助于极大地缩减美光 1Tb3D TLC 闪存芯片的尺寸，同时降低生产成本或提升利润率。

美光没有透露232L 3D TLC NAND IC的I / O速度或平面数量，但暗示它将优于现有的3D NAND设备，这将有利于具有PCIe 5.0接口的下一代SSD。

美光技术和产品执行副总裁斯科特·德波尔（Scott DeBoer）表示，该公司已与NAND控制器制造商（用于SSD和其他基于NAND的存储设备）密切合作，以确保新内存类型的正确兼容性（并确保这些即将推出的驱动器最终进入我们的最佳SSD列表）。美光的232层3D TLCNAND比上一代节点降低了功耗，考虑到美光历来专注于移动应用以及与设备制造商的关系，这是一个优势。

考虑到美光将于2022年底开始生产232层3D TLC NAND器件，我们可以预期使用新存储器的SSD将于2023年出现。

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