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中国nand闪存厂家消息称三星电子调升西安厂NAND闪存开工率至70%

发布时间 : 2025-03-19

作者 : 小编

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消息称三星电子调升西安厂NAND闪存开工率至70%

IT之家 3 月 11 日消息，据韩媒 The Elec 报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%。

西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。

目前三星正将西安工厂的工艺升级至 236 层（第 8 代 V-NAND），因此产能本身低于满载。

为了应对 2022 年开始的存储行业恶化，三星在去年下半年将西安工厂的开工率降低至 20~30%。而目前随着库存调整的进行和中国国内智能手机行业的转好，西安工厂开工率逐步提升，据消息人士透露已达 70%。

根据IT之家以往报道，有韩媒称三星电子在二月下旬仍维持减产 50% 决策，而铠侠于二月末宣布计划在三月内将 NAND 闪存开工率提升至 90%。

参考 TrendForce 集邦咨询的数据，得益于减产和需求复苏，2023 年第四季 NAND 闪存产业营收季增 24.5%，达到 114.9 亿美元（当前约 827.28 亿元人民币）。

▲ 图源 TrendForce 集邦咨询

来到 2024 年，NAND 涨势延续：以 USB 用 128Gb（16Gx8） MLC 颗粒为例，2 月价格为 4.9 美元，相较 1 月的 4.72 美元继续上涨。

NAND 闪存行情的转好也带动了上游化学品厂商的生意。韩国半导体原料行业的消息人士表示，其感受到的气氛与去年不同，部分公司的对应物料出货有所增加，不过 SK 海力士似乎继续在削减 NAND 产量。

这位匿名消息人士的话再次证明，行业内部有声音认为，目前这轮 NAND 闪存涨价中来自需求端的动力不足。

三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

消息称三星电子调升西安厂NAND闪存开工率至70%

三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

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