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nand flash电路符号 浅谈Flash芯片及其测试(一)
发布时间 : 2024-11-25
作者 : 小编
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浅谈Flash芯片及其测试(一)

5G网络、各种双摄,三摄,多摄、VR、AR、大数据等等概念的兴起,无不预示着一个数据爆炸的时代的到来。随之而来的问题,就是如何去存储这些数据。或者说,这么多数据存到哪里。通常来说,最简单直接的就是存到自己的手机里。大家买手机时经常考虑的容量多大(非RAM),其实也就是手机自带的Flash芯片的存储容量有多大。

存储芯片应用越来越广

首先,我们来了解一下什么是flash芯片。

Flash芯片是一种非易失存储器的一种。非易失存储器的意思就是设备或者芯片断电以后,其中存储的数据不会丢失,有待再次通电之后就可以再次读出。

其他的非易失存储器如ROM,EEROM等对于大家来说接触得比较少。其实,Flash的内部电路结构和其他非易失存储器都很相似。但是因为Flash具有良好的读写速度,所以被广泛应用于民用电子产品中。

除了手机里的Flash芯片,大家接触到的最多的产品就是U盘和SSD固态硬盘。U盘本身的存储器件就是Flash存储颗粒,而把许多Flash存储颗粒按照一定的方式和协议并联、串联起来,再加上控制单元,就是大家所常用的SSD固态硬盘了。因此,Flash的应用范围和市场是非常广泛和庞大的。

那么,Flash芯片是如何把数据存储下来而不会丢失呢?

和通常意义上的场效应管不同。在控制栅和导电沟道之间增加了一个浮置栅。也就是下图中红色部分。这一浮栅可以存储电子,同时浮栅又与周边各电极都处于绝缘状态。当芯片没有通电的状态下,电子就相当于被锁在了这个浮置栅之中。

所以,Flash存储数据的实质就是将电子存入浮栅晶体管。浮栅之内是否有电子存在也就对应着二进制的0和1。

大家可能有疑问,既然这个浮栅的四周都是绝缘的。那是如何把电子导入或者取出的呢?其实,这个就是利用了量子力学中的量子隧道消音。有兴趣的同学可以自行去百度。哈哈。

图中红色部分就是浮栅

浮栅晶体管的符号

了解了Flash的存储物理机理后,我们再来看一下存储结构。

根据浮栅晶体管的连接方式的不同,可以分为NAND Flash和NOR Flash。这两种类型的存储原理都是一样的。但是因为电路设计的不同,具有了不同的特性以及应用方向。

NAND Flash,结构简单,单位面积上存储的数据密度大,适合存储数据使用,但是不能在这种Flash上直接运行程序,需要先把数据读到RAM中再进行执行。

NOR Flash,结构略微复杂,单位面积上存储的数据密度要小于NAND Flash。但是操作灵活,可以在这种FLash上直接进行运行程序,不需要先读金RAM里再进行执行。

NAND Flash和NOR Flash

再接下来,我们就能明白一个Flash存储颗粒是如何划分数据的存储区域了。

举个栗子,下面是一个2Gb的Flash的容量结构图。

可以看到,最基本的存储单元是1个Byte(也就是8个bits),2048个Byte组成了1个page,64个page组成了一个Block,2048个Block也就是一颗Flash芯片的存储大小。

一颗Flash的存储单元的划分

在了解了这些基础知识之后,再下一篇文章里将更加深入的了解Flash的内部存储机理,浮栅里的电荷是如何转换成数字的“0”和“1”的。什么是SLC,MLC,TLC。这些将为更好的测试Flash打下基础。

这27个电源符号,别再分不清!快收藏起来学习

以下的V代表Volatge的意思。

电源符号

解析

VCC

C可以理解为三极管的集电极Collector或者电路Circuit,指电源正极。

VDD

D可以理解为MOS管的漏极Drain或者设备Device,指电源正极。

VEE

E可以理解为三极管的发射极Emitter,指电源负极。

VSS

S可以理解为MOS管的源极Source,指电源负极。

VBB

B可以理解为三极管的基极B,一般指电源正极。

电源符号

解析

AVCC

A是Analog的意思,模拟VCC,一般模拟器件会有。

AVDD

A是Analog的意思,模拟VDD,一般模拟器件会有。

DVCC

D是Digital的意思,数字VCC,一般在数字电路中。

DVDD

D是Digital的意思,数字VDD,一般在数字电路中。

若电路或器件没有模拟数字之分,那就用VCC、VDD。

电源符号解析AGND模拟GND,对应AVCC或者AVDD的负极。DGND数字GND,对应DVCC或者DVDD的负极。PGNDP是Power的意思,功率GND,比如DC-DC中就会有功率地和信号地区分。

本质上都为GND,区分开来,更多是为了PCB走线的需求,有一些单点接地或者多点接地的处理,避免干扰。

电源符号

解析

Vpp

有的好像叫Vpk,电压峰峰值,对于正弦信号,就是波峰电压减去波谷电压,最大值减去最小值。

Vrms

rms是root mean squre的缩写,均方根的意思,Vrms一般指交流信号的有效值。

VBAT

BAT是电池BATTERY的简写,一般指电池电压。

VSYS

SYS是SYSTEM的简写,一般指平台方案的系统供电。

VCORE

CORE指核心的意思,一般指CPU、GPU等芯片的核电压。

VREF

REF是reference的意思,参考电压,比如ADC内部的参考电压等。

PVDD

P是Power的意思,功率VDD。

CVDD

这个C也是CORE,核电源VDD的意思。

IOVDD

IO就是GPIO,指给GPIO供电的VDD,CAMERA里面会用到,I2C通信的上拉电源。

DOVDD

CAMERA里面用到的,由外部供给CAMERA,一般也是模拟电源。

AFVDD

Auto Focus VDD,意为自动对焦VDD电源,CAMERA里面会用到,给马达供电用的。

VDDQ

DDR里面用到的,DDR里面有一个DQ信号,可以理解为给这些数据信号供电的。

VPP

这个VPP是全大写的,DDR4里面用到的,DD3里面是没有的,称为激活电压,字位线的开启电压。

VTT

一般VTT=1/2VDDQ,也是在DDR里面用到的,给一些控制信号提供电源的。

VCCQ

在nand flash里面会用到,比如手机常用的eMMC、UFS等存储器,一般给IO供电。

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来源:记得诚公众号

声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有,如涉及侵权,请后台联系小编进行处理。(买电子元器件就上唯样商城)

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