三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

遗憾！国产NAND闪存芯片崛起，但全球份额还不到4%

众所周知，2023年存储芯片厂商真的是跌惨了。

一季度三星、SK海力士、美光这三大厂商在存储芯片上亏了500多亿。二季度大家的亏损没减少，美光数据未知，而三星、SK海力士这两家已经超了300多亿，预计这三家厂商，合计亏损依然在500多亿。

为什么会亏这么多呢？是因为市场需求不振，像手机、电脑销量下滑，导致对存储芯片的需求减少，所以供过于求，大家降价、清库存，自然亏损严重。

还有一个原因一直被大家津津乐道，那就是这些存储芯片厂商，被中国产存储芯片厂商打懵了，因为国产存储芯片的崛起，打破了这些国外厂商的定价权，所以价格崩盘，最终亏损。

那么问题来了，国产存储芯片厂商究竟拿下了多少份额，能够逼着国外这些存储芯片巨头不得不大降价，最终大亏损呢？

我们以NAND闪存芯片为例，来说明一下这个问题，按照TrendForce发布的最新数据，一季度全球 NAND 闪存产业营收约为 86.3 亿美元（约 613.59 亿元人民币）。

而前五大厂商分别是三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光，其份额分别为34%、21.5%、15.3%、15.2%、10.3%。

这5大厂商合计拿走了全球96.3%的市场份额，其它厂商的份额为3.9%（因为四舍五入的原因，所以合计不是100%的份额）。

我们知道目前全球能够生产NAND闪存的厂商，其实只有6家，除了上面这5家之外，还有一家是国产的长江存储。

这份表格背后，也就意味着除了这5大厂商之外，其它的NAND闪存厂商拿走的份额只有3.9%，也就是长江存储的市场份额，约为3.9%，较上一季度的收入环比增长了4.2%，上一季度的份额为3.1%。

所以，我们说一句客观一点的公道话，仅3.9%份额的国产存储芯片，真的能够对另外的96.1%的厂商，形成压力么？能够逼的它们降价，最终不得不承受巨额亏损么？

我觉得是不能的，更多的还是市场原因，是因为需求不振，最终市场供过于求，然后大家不得不降价清库存，以免资金链断裂。所以我认为大家虽然支持国产存储芯片，但还是别太盲目自信了，国产存储芯片的份额还不太高，能力没有大家想象的那么强，还需要大家的持续支持，你觉得呢？

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