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nand flash价格周期 下半年继续看涨!人工智能需求推动存储需求,厂商业绩大幅改善
发布时间 : 2024-10-09
作者 : 小编
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下半年继续看涨!人工智能需求推动存储需求,厂商业绩大幅改善

受消费电子温和复苏以及大模型等人工智能技术拉动,存储芯片保持上涨态势。

近日,国际存储大厂三星和美光传出再次上调价格的消息。其中,三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15%-20%。美光则计划将NAND芯片合约、现货价上涨;其中,合约价上涨17%至18%,现货价涨幅达25%以上。

A股存储类上市公司也受益于存储价格上涨周期,业绩改善明显。多家上市公司也继续看涨今年下半年存储行情看涨。

日前,在MWC上海展上,半导体存储品牌企业深圳市江波龙电子股份有限公司(江波龙,301308)企业级存储事业部产品总监唐贤辉接受澎湃新闻记者采访时表示,今年以来整个存储产品价格较去年上涨了一定幅度,依据市场机构分析,预计下半年价格上涨态势有望延续,尤其是DDR5这类新产品,它的原有产能一部分向HBM存储芯片转移了。

日前,兆易创新(603986)、江波龙、佰维存储(688525)等多家存储芯片企业均反馈,整个存储芯片景气度有望延续,某些存储芯片价格在回升中。

A股存储芯片龙头兆易创新近日回复投资者提问时表示,公司不同产品线的销售价格呈现结构化差异,公司DRAM、SLC NAND价格自底部已经实现温和上涨,其它产品线上公司会持续保持对市场情况的紧密跟踪,考虑多方因素综合判断,随着市场演变及时做调整。

江波龙日前接受调研时表示,今年第二季度晶圆价格仍然保持温和上涨的趋势,但各个不同应用场景下的存储器价格趋势可能出现结构化差异。具体来看,NAND Flash涨幅较为平缓一些,保持稳中有升。随着存储周期的上行,近期能够看到小容量存储价格亦开始有所回升。随着存储价格涨幅逐步趋于平稳,未来各厂商之间的技术能力、市场能力及品牌能力等差异化要素的作用权重有望增大。

佰维存储也表示,受益于AI服务器需求迅猛增长、HBM需求爆满和北美服务器市场的强劲复苏,海外存储需求持续高涨,国内需求有所回落,但整体来看行业景气度有望延续。

AI PC和AI 服务器对存储芯片拉动明显

唐贤辉表示,本轮存储芯片价格上涨主要是两个因素,一个是存储芯片行业周期原因,前两年大幅削减产能导致全球供应链减少,价格开始上涨;另一个主要原因是本轮AI爆发对存储芯片的拉动。

江波龙嵌入式存储事业部市场总监徐洪波接受澎湃新闻记者采访时也表示,AI的发展对存储芯片提出新要求,高性能、大容量、低功耗。

徐洪波表示,今年是AI手机元年,主要是高端旗舰机有AI功能,看公开数据今年整体出货量5000万部,由于成本问题,各手机厂商在上AI上比较谨慎,相反AI PC和AI服务器对存储的拉动更为明显。

“AI应用不仅是PC和手机,还会下沉到各个领域,类似云、边、光都有需求。”徐洪波表示。

江波龙在接受调研时表示,随着AI的爆发,数据量呈指数级增长,对存储厂商提出更高的技术创新能力要求。公司基于自身产业能力,正在积极应对AI带来的机遇和挑战,在产品和技术研发方面进行全方位布局和投入,针对不同领域推出相应的创新产品,以满足多样化的市场要求。

存储厂商业绩大幅改善

正如存储芯片价格上涨拉动三星业绩改善一样,A股上市公司今年业绩也不断改善,扭亏为盈。

日前,佰维存储发布了2024年半年度业绩预告,2024年半年度预计实现营业收入31亿元至37亿元,同比增长169.97%至222.22%;预计实现归母净利润为2.8亿元至3.3亿元,同比增长194.44%至211.31%,剔除股份支付费用后,预计实现归母净利润为4.75亿元至5.25亿元,同比增长262.14%至279.21%。

佰维存储表示,公司预计业绩扭亏为盈,主要系行业复苏,公司紧紧把握行业上行机遇,大力拓展国内外一线客户,实现了市场与业务的成长突破,产品销量同比大幅提升。

另一存储芯片普冉股份(688766)日前披露公司2024年4月至5月实现营业收入3.377亿元左右,较去年同期增长131%左右。

普冉股份表示,2024年以来,随着下游市场的景气度逐渐复苏,公司产品出货量及营业收入同比均有较大幅度提升,公司2024年1月至5月出货量累计约35亿颗,较去年同期翻番,目前在手订单1.7亿元左右(含税),取得了良好的经营开局。公司将持续加大研发投入和新产品开发力度,积极开拓市场,抓住终端业务的新兴需求,保障研发及生产交付等进展顺利落地,延续公司业绩向好态势。

中航证券日前在兆易创新的研报中称,存储产品价格自2023年8月下旬陆续开始涨价,主要系原厂积极减产的效应逐步显现,叠加电子消费旺季备货需求回暖,AI驱动的高端存储需求持续旺盛。2023年下半年主流DRAM及NAND已经有较大幅度的涨价,经过1-2个季度的传导,在2024年第一季度利基DRAM价格已经实现温和上涨,SLCNAND需求回暖和价格上涨比利基DRAM约晚一个季度,未来价格也有望温和上涨。近期市场行情回暖,产品毛利率有所提升,公司部分亏损的产品线实现扭亏。

中航证券指出,由于SK海力士、美光、三星三家原厂重点发力HBM、DDR5等高附加值产品的产能供应,正在逐步退出利基产品DDR3市场以腾出设备与产能,兆易创新有望抢占更多的市场份额,实现国产替代,并在本轮量价齐升的行情下实现业绩增长。

中商产业研究发布的《2024-2029年中国存储芯片行业市场发展监测及投资战略咨询报告》显示,2023年,我国存储芯片市场规模约为5400亿元。当前新一轮人工智能浪潮爆发,由AI服务器带来存储芯片新的增量需求,中商产业研究院分析师预测,2024年市场规模将恢复增长至5513亿元。预计2024年全球市场规模将进一步增长至1529亿美元。

集邦咨询:2023Q4 NAND价格预估增长3-8%,DRAM要开启涨价周期

IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。

NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。

行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了 50%,促使其他制造商效仿。

市场专家还预测,NAND 闪存价格将在第 4 季度继续上涨。集邦咨询对第 4 季度 NAND 闪存价格持乐观态度,估计增长约 3% 至 8% ,高于最初预测的 0% 至 5%。

IT之家援引集邦咨询观点,DRAM 的复苏要稍微晚一些,预估将于今年第 4 季度开始上涨,标志着新一轮增长周期的开始。

业内专家指出,DRAM 价格上涨不仅是由于减产和库存清仓等因素,还与人工智能市场有关。由 AI 应用驱动的数据中心市场对 DDR5 的需求有限,导致价格早期飙升。

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