终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

东芝64层堆栈的TLC闪存硬盘来了：单面1TB、读速3GBs

2017年3D NAND闪存将超越传统2D NAND成为市场主流，四大NAND阵营都将推出新一代3D NAND闪存，堆栈层数从目前的32、48层提升到64层、72层不等。东芝及合作方西数早前展示过多次64层堆栈的BiCS闪存，这一次他们终于拿出正式产品了——东芝发布了XG5系列M.2硬盘，64层堆栈TLC闪存，单面布局最高容量就有1TB，连续读取速度3GB/s，写入速度2.1GB/s。

东芝早前展示的64层堆栈3D NAND闪存核心容量达到了512Gb（64GB），比目前的NAND闪存密度提高了65%，是容量最高的3D NAND闪存之一，可以轻松制造出1TB的SSD硬盘。这次发布的XG5就是这样的产品，M.2 2280规格，容量分别是256GB、512GB和1024GB，单面布局即可实现1TB M.2硬盘。

除了体积小巧的优势之外，XG5硬盘的性能也不错，使用了PCI-E 3.0x4及SLC缓存，连续读取速度可达3GB/s，写入速度也有2.1GB/s，而且功耗比现有产品更低，东芝称待机功耗减少了50%，不足3mW。

在常规型号之外，SED自加密版还支持TCG Opal 2.01安全规范，这个更适合商业市场。

东芝的XG5系列M.2硬盘已经开始小批量向OEM厂商出样，消费级产品的上市时间、价格还未知，大家可以先关注小超哥（id：9501417）微信，因为东芝也会参加这次的台北电脑展，大家可以让小超哥去东芝展台了解更多详情。

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