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v-nand加速三星加速量产64层V-NAND闪存：提速50%，节能30%

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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三星加速量产64层V-NAND闪存：提速50%，节能30%

从去年下半年开始的NAND闪存缺货、涨价已经持续一整年了，今晚的超能分享会也会关注NAND闪存发展及降价问题，大家别错过。2017年也是3D NAND闪存超越2D NAND成为主流的关键，堆栈层数也从去年的32层、48层提升到了64层、72层。三星是最早量产64层堆栈3D NAND闪存的，现在官方又宣布64层256Gbi容量的V-NAND闪存正在加速量产，性能比前代48层V-NAND提升50%，能耗也降低了30%，生产率也提升了30%。

三星去年底就开始量产64层V-NAND闪存了，除了韩国本土的工厂，中国西安市的NAND晶圆厂也是三星最重要的产地之一。今年1月份三星开始正式出货64层堆栈闪存的SSD硬盘，2017年上半年产能还在继续提升，三星现在宣布大规模量产64层V-NAND闪存跟三星位于韩国的平泽工厂正式完工有关，这是三星2015年144亿美元半导体投资的一部分，号称全球最大的半导体工厂，今年7月份正式量产，未来将占据三星NAND产能的10-20%。

与西数、东芝宣布的64层堆栈BiCS TLC类型闪存核心容量达到512Gb不同，三星现在的64层V-NAND闪存TLC（3 bit）类型闪存容量还是256Gb的，不过接口速率达到了1Gbps，比早前曝光的800Mbs还要高。三星官方称64层V-NAND闪存的性能比三星之前48层堆栈的256Gb TLC闪存快了50%。

除了性能之外，64层V-NAND闪存能效也有所提升，输入电压从48层V-NAND的3.3V降至2.5V，能效提升了30%，此外可靠性也提升了20%。此外，64层V-NAND闪存的生产效率也提升了30%。

在64层V-NAND闪存的基础上，三星还在开发更先进的3D闪存，下一步目标是堆栈90层以上，早前传闻说是96层堆栈。