固态硬盘体验有望大幅提升！三星即将量产第9代V-NAND 290层工艺

前段时间，台湾地区发生了严重地震，全球各大芯片厂商（比如镁光、海力士等等）在该地区的工厂都遭受了不同程度的冲击。其直接后果之一是最近固态硬盘涨价了，这是一个令人非常郁闷的消息。

当然，近期固态硬盘涨价的原因很多，并不完全是由于台湾地区发生地震所导致的，这只是其中一部分原因。

不过，本文要分享的是一个有关固态硬盘方面振奋人心的“好”消息，近日业界在NAND技术发展方面取得了一些积极的进展，主角是三星。

据悉，三星将于本月晚些时候正式量产其第9代 V-NAND工艺，其最大的特点之一是采用了290层工艺。尽管低于三星之前公布的300层工艺，但是，比目前主流的、最先进的236层工艺向前推进了一步，仍然是值得肯定的。

三星第九代V-NAND 290层工艺的主要特征是采用串堆叠技术，可通过使用该工艺制造一个带有逻辑的CMOS层，然后可以在这个层上分别构建两个145层的3D NAND存储器阵列，最终组成、包含290个层。

虽然这种制造技术看起来有繁琐、不优雅，层的数量相比236层工艺提升也不大，但该技术的主要优势是：制造两个145层的3D NAND阵列的难度，比构建一个290层的3D NAND阵列在技术上更容易。

因此，290层工艺只是一个起步，一个“小目标”和开胃小菜而已，串堆叠术技术还拥有相当大的潜力和提升空间，未来还可用于制造数百层的3D NAND。

3D NAND的层数非常重要，层数越多，存储密度也越高，在单位体积或面积内能容纳数据也就越多，从而可以显著地提高单颗NAND（和最终固态硬盘）的总存储容量，并且降低成本。

因此，继续提高NAND的层数是现阶段NAND产业发展的大方向和前沿，目前各大NAND厂商都在朝这个方向发力，竞争非常激烈。

正式量产第九代V-NAND 290层工艺，只是三星的一个阶段性目标，该公司计划在2025年下半年发布第10代V-NAND 430层工艺，到时技术和性能将再上一个台阶。

另外一方面，据坊间爆料，其它NAND厂商（包括镁光、海力士等）也将在年内量产大致相仿的工艺，请参阅上图。

目前，尚无三星第九代V-NAND 290层工艺的NAND成品的详细参数和性能方面的信息曝光，小编会在第一时间分享更多动态爆料，敬请关注。

清华大学申请NAND结构忆阻器阵列结构及其制备方法专利，解决了现有忆阻器阵列结构无法缩小至忆阻器理论最小特征面积4F的问题

金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为“NAND结构忆阻器阵列结构及其制备方法“，公开号CN117877552A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及非易失存储技术领域，特别涉及一种NAND结构忆阻器阵列结构及其制备方法，其中，忆阻器阵列结构包括：多个1T1R单元结构，多个1T1R单元结构按行列设置，形成NAND结构忆阻器阵列结构，其中，位于同一列的多个1T1R单元结构串联，且位于两端的1T1R单元结构分别连接第二晶体管和第三晶体管，第二晶体管的漏极与位线连接，第三晶体管的源极与源线连接；位于同一行的每个1T1R单元结构的第一晶体管的栅极均与同一WL字线连接，位于同一行的第二晶体管的栅极均与同一漏选通线连接，第三晶体管的栅极均与同一源选通线连接。由此，解决了现有忆阻器阵列结构无法缩小至忆阻器理论最小特征面积4F的问题。

本文源自金融界

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