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nand卡怎么读 NAND与SD卡对比：选择卓越存储方案的指南

发布时间 : 2025-04-04

作者 : 小编

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NAND与SD卡对比：选择卓越存储方案的指南

在存储芯片及存储卡领域，NAND和SD卡都是备受关注的存储技术。客户的问题"nand和sd卡哪个好"直击了不少用户的困扰。本文将深入对比NAND和SD卡的特点、优势以及适用场景，以助您明晰两者之间的区别，为选择提供指导。

NAND闪存技术

特点：

1.高速读写：NAND闪存以其出色的读写速度而闻名，适用于需要快速数据传输的应用场景，如嵌入式系统、固态硬盘等。

2.大容量存储：NAND闪存可实现较大的存储密度，适用于大规模数据存储，如企业级服务器和数据中心。

3.高性能：NAND闪存在随机读写和顺序读写方面表现出色，使其成为处理大型文件和复杂应用的理想选择。

4.耐用性：NAND闪存通常具有良好的耐用性，能够经受频繁的读写操作，适用于高度活跃的存储环境。

适用场景：

NAND闪存技术更适用于对读写速度和大容量存储有严格要求的应用，如企业级存储解决方案、高性能计算和大规模数据处理。

SD卡技术

特点：

1.便携性：SD卡具有小巧轻便的外形，易于携带和插拔，适用于便携设备和消费电子产品。

2.广泛兼容性：SD卡具备良好的兼容性，几乎所有支持MicroSD卡的设备都能够使用SD卡进行存储扩展。

3.灵活可拓展：用户可以根据实际需求选择不同容量的SD卡，轻松进行存储空间的扩展，非常灵活。

4.适用广泛：SD卡广泛应用于相机、智能手机、平板电脑、无人机等消费电子产品。

适用场景：

SD卡技术更适用于需要便携性、灵活性和通用性的场景，如摄影和摄像、智能手机扩展存储、无人机航拍等。

如何选择？

1.应用需求：

大容量高速读写需求：如果您的应用需要大容量存储和高速读写，NAND闪存技术可能更符合需求。

便携性和通用性需求：如果您更注重便携性和通用性，SD卡技术可能更为适合。

2.设备兼容性：

广泛兼容性需求：如果您的设备对兼容性要求较高，SD卡可能是更好的选择。

定制化应用需求：如果您在进行定制化应用，需要更灵活的存储解决方案，NAND闪存技术可能更合适。

3.成本因素：

经济实惠：SD卡通常在成本上更为经济实惠，适合预算较为有限的应用场景。

高性能投资：如果您有更高的性能需求，愿意投资更多，NAND闪存技术可能更符合期望。

NAND和SD卡各自具有独特的特点和优势，选择取决于您

的具体需求和应用场景。无论您是追求高性能的专业用户还是注重便携性的普通用户，都能在这两种技术中找到适合自己的存储方案。如有更多疑问或需求，请随时联系我们，我们将竭诚为您提供专业建议和支持。选择适合您需求的存储技术，为您的应用带来更卓越的存储体验！

什么是NAND 型 Flash 存储器？

前言

NAND Flash 和 NOR Flash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了 NAND Flash 结构,后者的单元电路尺寸几乎只是 NOR 器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

1.NAND Flash ROM

NAND Flash ROM 应该是目前最热门的存储芯片了。因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。比如你买手机，肯定会考虑64GB，还是256GB？买笔记本是买256GB，还是512GB容量的硬盘呢？（目前电脑大部分采用了基于 NAND Flash 产品的固态硬盘）。

2.NOR Flash ROM

NOR Flash ROM 的特点是以字节为单位随机存取。这样，应用程序可以直接在 Flash ROM 中执行，不必再把程序代码预先读到 RAM 中。NOR Flash ROM 的接口简单，与通常的扩展存储器一样，可以直接连接到处理器的外围总线上。

与 NOR Flash ROM 相比， NAND Flash ROM 以页（行）为单位随机存取,在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。但是它的读出速度稍慢,编程较为复杂,因此大多作为数据存储器使用。嵌入式产品中包括数码相机、MP3 随身听记忆卡、体积小巧的U盘等均采用 NAND Flash ROM 。

在存储结构上，NAND Flash 内部采用非线性宏单元模式,全部存储单元被划分为若干个块(类似于硬盘的,一般为8 KB)，这也是擦除操作的基本单位。进而，每个块又分为若干个大小为512 B的页，每页的存储容量与硬盘每个扇区的容量相同。也就是说，每页都有512条位线,每条位线连接一个存储元。此时，要修改 NAND 芯片中一个字节，就必须重写整个数据块。当Flash 存储器的容量不同时，其块数量以及组成块的页的数量都将不同。相应地，地址信息包括了列地址、块地址以及相应的页面地址。这些地址通过8位总线分组传输，需要多个时钟周期。当容量增大时，地址信息增加，那么就需要占用更多的寻址周期，寻址时间也就越长。这导致NAND Flash的地址传输开销大，因此并不适合于频繁、小数据量访问的应用。

相比较而言，NAND 型 Flash 存储器具有更高的存储密度、更快的写人速度、更低的价格以及更好的擦写耐用性等优点，非常适用于大量数据的存储。但由于NAND Flash的接口和操作都相对复杂，位交换操作频繁，因此通常还要采用错误探测/错误纠正(EDC/ECC)算法来保护关键性数据。

例如深圳雷龙有限公司的 CSNP32GCR01-AOW 芯片。

一.免驱动使用。SD NAND内置了针对NAND Flash的坏块管理，平均读写，动态和静态的EDC/ECC等算法。

二.性能更稳定。由于NAND Flash内部是先擦后写机制，如果软件处理不当，在突然掉电的时候就会导致数据丢失。而SD NAND内部自带的垃圾回收等机制可以很好的规避这个问题。因此CS创世的二代产品才会通过10K次的随机掉电测试。

三.尺寸更小。目前SD NAND 是68mm 大小，8个pin脚，相比Raw NAND的1220mm大小，48个pin脚，采用SD NAND可以做出更小巧的产品，而且也能节省CPU宝贵的GPIO口（这点对于MCU单片机来说更是重要）

四.SD NAND可选容量更多。目前有128MB/512MB/4GB容量。而SLC 的Raw NAND 主流容量128MB，512MB已经少见，供货周期也很长；单颗4GB的Raw NAND基本都是MLC或者TLC NAND的晶圆，管理起来更复杂。

不用写驱动程序自带坏块管理的 NAND Flash（贴片式TF卡），尺寸小巧，简单易用，兼容性强，稳定可靠，固件可定制，LGA-8 封装，标准SDIO接口，兼容SPI，兼容拔插式TF卡/SD卡，可替代普通 TF卡/SD 卡，尺寸 6.2x8mm ，内置平均读写算法，通过1万次随机掉电测试耐高低温，机贴手贴都非常方便，速度级别Class10（读取速度 23.5MB/S 写入速度 12.3MB/S ）标准的 SD2.0 协议普通的SD卡可直接驱动，支持TF卡启动的 SOC 都可以用 SD NAND。

SD NAND原理图如下：

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