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nand不能执行代码兆易创新：NOR，NAND，DRAM三剑齐发

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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兆易创新：NOR、NAND、DRAM三剑齐发

根据摩根斯坦利发布的报告，今年第二季度时，NOR Flash的库存为60天左右，到现在为止NOR Flash的库存应该消耗得差不多了。也就是说第三季度NOR Flash产品基本会达到供需平衡，甚至需求超过供给。

近日，在2019中国闪存峰会期间，兆易创新代理总经理何卫表示，乐观看待公司第三季度的成长，目前兆易的确感受到NOR Flash需求的回升，甚至出现产能紧张的情况。我们看到，近年来，兆易创新形成了MCU+存储+传感器的产品线生态，尤其存储的布局已经从NOR Flash、NAND Flash逐渐延伸至DRAM。何卫认为这是面对终端应用需求的必然。

兆易创新代理总经理何卫

NOR Flash接单旺盛

NOR Flash做为通用型器件应用广泛，兆易创新重点专注6大应用领域，产品种类多样，例如宽电压、低功耗、高性能、大容量以及安全等针对不同特性已形成非常全面的产品体系。

十多年NOR Flash市场的深耕，何卫认为兆易创新最大的优势即专注，正因为专注，在市场旺盛时才能抓住机会。

2017年以来NOR Flash市场发生巨大的变化，美光、Cypress退出中低容量NOR Flash市场，这部分订单转向兆易创新等厂商，需求爆发与价格向好令兆易创新收获良多。

但从去年Q4到今年Q1，受贸易战、需求放缓、信心不足等影响，市场环境不太景气；直到今年3月份之后，尤其Q2、Q3兆易创新的订单量逐渐提升。何卫表示，兆易创新一直在根据市场需求调整产品结构，提升产能供给，例如物联网、可穿戴应用需求非常旺盛，会适当调配产能。值得注意的是当前NOR Flash回暖的反弹力道比较猛烈，这也造成了市场供需矛盾突出，存在潜在的涨价和缺货预期。

今年， TWS耳机成为NOR Flash出货量的热点市场。据了解，每颗TWS耳机均需要一颗NOR Flash用于存储固件及相关代码。根据智研咨询预计2018-2020 年全球 TWS 耳机将实现高速增长，出货量分别达到 6500 万台，1 亿台和1.5 亿台，年复合增速达 51.9%。TWS 耳机要实现主动降噪、语音识别等功能则需要128Mb/256Mb NOR Flash基至更高容量。兆易创新今年在这些市场取得较好的成绩。

根据CINNO Research产业研究报告显示，兆易创新第二季度NOR Flash业绩环比成长45%至7600万美元，继Winbond、Macronix和Cypress之后，一跃占据市场第四名的位置。兆易创新NOR Flash产品累计出货量已经超过100亿颗，2018年出货量超20亿颗。

出于对市场发展的准确把握和产品的精准定位，今年兆易创新在海外市场的业绩呈现爆发性成长。何卫告诉电子发烧友网记者，公司在海外市场已经布局三四年的时间，主要覆盖日本、韩国、中国台湾和欧美等地区，围绕手机和消费类市场进行开拓。今年取得较好的收获，是良好的开端，未来还将不断加大拓展海外市场。

在最难进入的汽车前装市场，今年兆易创新的GD25全系列SPI NOR Flash产品完成AEC-Q100认证,主要用于汽车前装市场和车规产品。我们知道汽车前装导入周期比较长，兆易创新为此准备了三年时间，如今不仅通过了认证，而且已经导入了仪表盘、车载摄像头模组、ADAS等汽车应用。何卫表示，兆易创新在汽车市场将呈现跨越式的成长。

未来，随着5G建设今年预商用，明年正式商用，必将带来NOR Flash新一轮的需求高速增长。

NAND Flash研发先进工艺，DRAM产品已有规划

兆易创新NAND Flash产品，38nm SLC制程产品已稳定量产；具备业界领先的性能和可靠性，并将进一步推进24nm制程产品进程，完善中低容量NAND Flash产品系列及相应eMMC解决方案。

何卫解析，中低容NAND Flash因应存储代码的容量需求而采用。例如安卓4.0系统代码量大，NOR Flash容量无法支持时，就需要用到NAND Flash。

兆易创新研发销售的主要是2D SLC NAND Flash，在众多闪存类型MLC、TLC、QLC、SLC中SLC属于高可靠性的产品，可用于汽车、工控等产品，也不需要3D NAND那样的大容量。因此，尽管如今许多国际原厂都转向3D NAND技术，但市场上仍需要2D NAND的供给。兆易创新在研发上持续推进先进制程产品，在供货上也加深与中芯国际、上海华力微电子等国际一流大厂的合作范围和合作深度，以扩大其在SLC NAND的市场地位。

不过，何卫进一步指出，以NOR Flash的特性既可存储也可运行代码，在一些小系统设备终端例如物联网设备用MCU加NOR即可，省掉一颗DRAM。但对中大型系统设备，同时需要NAND和DRAM，例如带有智能化、偏工业商业的应用。未来随着智能化的推进，NAND和DRAM的配合将越来越多。因此，兆易创新必然要对DRAM产品展开规划，

就在最近，兆易创新董事长、长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明公开宣布，长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产，这或许将助力兆易创新规划之中的DRAM产品的真正落地。

兆易创新是同类型闪存芯片公司中唯一一家fabless公司，无晶圆厂的设计公司的优势是专注度，何卫表示，兆易创新可以专注地进行产品设计研发，将产品做到极致，这是其他任何一家IDM所不具备的。

物联网时代MCU+存储+传感器，协同效应更大

截至2019 年，兆易创新闪存芯片累计出货超过 100 亿颗，MCU 产品累计出货超过 3 亿颗。兆易创新立足已有的 Flash 业务和 MCU 业务，积极整合新加入的基于触控和指纹识别的传感器业务，推进产业整合，拓展战略布局，打造存储、控制、传感、互联、以及边缘计算的一体化解决方案来满足客户的不同需求。

2019 年 5 月兆易创新完成对思立微100%股权的收购，并继续推动兆易与思立微资产和业务的整合、以及企业文化的融合。

思立微的传感器覆盖到电容式，光学以及正在研发的超声波指纹传感器，未来，将进行声光电各类传感器的全面铺设。而所涉及的一些应用也同时需要具有边缘计算能力的处理器MCU，何卫透露目前两个团队正在密切配合，产生联动效应，共同推进市场。

MCU加NOR Flash加传感器，兆易创新在物联网时代的布局正在发生协同效应。不只于此，兆易创新也非常关注MRAM等新型存储器的技术发展，卡位未来。从整体看，何卫认为面向物联网、5G时代的到来以及人工智能的演进，对于兆易创新深耕的通用器件将迎来巨大的增长潜力。

本文作者黄晶晶，如需转载或入群交流，请添加微信elecfans999

东芯股份取得NAND存储器安全代码生成模块和生成方法的专利，能实现NAND存储器中的CAM信息进行安全读取和存储

金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，东芯半导体股份有限公司取得一项名为“NAND存储器安全代码生成模块和生成方法、以及NAND存储器“，授权公告号CN114398013B，申请日期为2022年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种NAND存储器安全代码生成模块和生成方法、以及内置有该NAND存储器安全代码生成模块的NAND存储器，该NAND存储器安全代码生成模块包括：CAM信息读取单元，该CAM信息读取单元对所述NAND存储器中的CAM信息进行读取；寄存器值更新单元，该寄存器值更新单元针对所述CAM信息读取单元读取到的所述CAM信息，对与各个所述CAM信息相对应的寄存器值进行更新；CRC码生成单元，该CRC码生成单元利用由所述寄存器值更新单元更新后的所述寄存器值来生成CRC码；以及安全代码存储单元，该安全代码存储单元更新并存储由所述CRC码生成单元生成的CRC码。

本文源自金融界

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