HC32L130芯片擦写内部flash无法成功

擦写内部flash不成功的问题可以按照以下排除步骤处理

问题简单描述：

HC32L130芯片擦写内部flash出现异常解决方法

问题详细描述：

在做一个项目时，我需要在内部flash写出厂参数，包括校准系数和出厂ID等等。在flash内部挑了一块区域去写，后面发现有一定概率，读回来的数据和写入不一致，但不是每次都能复现。

问题具体分析：

1. 将配置参数写入到flash后，在通过Jflash读回，发现确实是错的，举个例子，我写入的是0x23；读回来的是0xFF，凭着我多年的经验和flash的特性，我很确信，压根没把数据写进去，不然不会是0xFF；

2. 于是去查了一下芯片手册，查看对flash操作的要求，其中提到，擦写flash的函数必须放在前32K才行。

3.看到这里，我去检查了一下map文件，找到这个擦写函数的位置，在0x51a4，也就是在大概20.9K左右的位置，还是很吻合前32K的要求的。

4. 于是再往下看，看到读等待周期那块内容，发现对flash的读写，是需要根据主频高低来设置读写的等待周期的，主频越高，读写等待周期越高，于是去检查了一下读写等待周期，发现有配置这个了，代码先读了时钟，按时钟去配置了等待周期。

5.这个问题也排除了，最后想来考虑到是否中断影响，因为测试的时候，没有开启别的中断，一直正常，而应用中开了systick中断。后面写flash的时候，把中断关闭，写完在打开，然后问题就没再出现了。

问题解决方案：

解决方案就是我上面写的，注意上面提到的3个点就好，最后最重要也是最容易忽略的，就是写flash的时候，一定要把中断关闭，不然写的时候有中断触发，很可能就出写失败了。

总结和建议：

对flash的操作，各家原厂对MCU的flash对操作的要求不完全相同，出现问题的时候，一定要去看看手册有没有什么特殊要求，比如上面提到的华大的HC32L130擦写函数必须在前32K存放，以及不同主频要设置不同的读写等待周期等。

当然，这个最可能忽略也是最重要的，中断！中断！中断！

NAND Flash误码的原因

NAND Flash的物理存储机制决定了其本身发生错误是不可避免的。错误的原因包括工作环境（温度影响较大），工艺水平，工作原理等。

NAND Flash存储数据的最小单元是cell，实际是一个MOS，每个cell依据其内部电荷量来表征数据信息。随着工艺的进步，cell越来越小，其内部的电荷量也越来越少，出错的可能变得越来越大。例如34nm的工艺每个cell可存储100个电子，而19nm的时候只能存储10个电子，因此每流失一个电子都会对阈值电压产生重要影响。同时较近的距离也会让各个存储单元之间更容易产生影响。

错误会在下面几种情况下产生：1，擦除操作；2，读取干扰；3，编程干扰；4，数据保持发生错误。

读取/编程干扰主要是因为对目标cell进行读写操作对相邻cell产生了影响，从而导致相邻cell数据出现错误。

数据保持错误是因为长时间的电荷量变化引起的阈值电压偏移导致的。