三星：下一代闪存将采用双层堆叠，可望实现256层

当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术，最多可具有128层。引入双层堆叠技术后，使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层，取决于三星接下来的考量。

在昨日举行的投资者论坛上，全球存储芯片龙头厂商三星电子透露，它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”（Double-stack Technology）技术，并且有可能开发256层设备。

双层堆叠使256层闪存可行

NAND闪存是一种非易失性存储器，由于保存资料时不需要消耗电力，断电也可以存储数据。

NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。与单层堆叠解决方案相比，双层堆叠的方法可以更快地集成更多层。

三星V-NAND技术图解/图源三星

去年8月，三星推出了第六代V-NAND闪存。为使V-NAND具有超过100层的可行性，三星采用了新的电路设计技术。当前，三星计划利用双层堆叠技术来开发其下一代V-NAND闪存。

闪存市场供过于求持续，但存储供应商不改积极扩产态势，竞争日益激烈。根据TrendForce集邦咨询 的数据，三星是全球最大的NAND闪存制造商，今年第三季度的市场份额为33.1％。

在下一代闪存中引入双层堆叠方案，三星此举有助于进一步巩固其领先地位。

据韩联社报道，第七代V-NAND正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，但如果我们采用双层堆叠技术，256层堆叠是可能的。”

最佳层数取决于市场

虽然在技术上可以实现256层NAND闪存，但是韩进满表示，这并不一定意味着三星的下一代NAND将具有这样的层数配置。

韩进满说：“芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。”“这不是关于'你可以堆叠多少层'，而是关于'目前市场上最佳的层数”。”

集邦咨询分析师叶茂盛 在探讨全球闪存产业发展态势时给出预测：制程方面，在2020年NAND Flash叠堆技术突破100层后，2021年继续往150层以上推进。与此同时，单芯片容量也将自256/512Gb推进至512Gb/1Tb。

叶茂盛指出，2021年厂商将积极借助成本改善吸引客户升级容量。

备注：以上内容为TrendForce集邦咨询原创，禁止转载、摘编、复制及镜像等使用，如需转载请在后台留言取得授权。

封面图片来源：拍信网

速率高达1Gbps！三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片

想不到吧？其实三星电子在2017年1月份时已经开始向自己的主要IT客户开始正式量产256GB基于64层 V-NAND芯片的固态硬盘了；而这64位的V-NAND芯片基已经被认为是世界上第四代V-NAND芯片，其最高的数据传输速率达到了1Gbps，并且具有业界最短500微秒（㎲）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），这个数据要比现在10nm级的NAND闪存速度要快将近4倍左右。

这样的数据也要高于三星此前最快的基于48层三位256GGB V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

此外，与三星电子此前的48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。而64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，在能量效率方面也有约30%左右的提升，而全新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。虽然秀了半天肌肉，小狮子还是更关心这固体硬盘的价格什么时候才能降到我们喜闻乐见的价格啊。

相关问答

三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3DTLCCTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这些单...

闪迪256g内存卡是使用3dnand技术做的,闪迪采用这种技术。闪迪256g内存卡是使用3dnand技术做的,闪迪采用这种技术。

三星9a1256的硬盘非常好。原因是三星作为闻名全球的电子制造商,其产品在可靠性和性能方面一直受到很高的评价。而9a1256的硬盘使用了三星最新的V-NAND闪存技...

2、256ssd:是256G的存储容量,实际只有238.4G内存。二、价格不同1、240ssd:240G的ssd价格更便宜,容量越小,价格约便宜。2、256ssd:256G的ssd价格更贵,容量...

2018年NAND闪存价格下跌,智能手机的存储容量也越来越大,今年皇帝版手机容量提升到了512GB,锤子科技的坚果R1还首发了1TB存储,中低端手机容量也达到了64GB,12...2...

这类芯片只需要了解其功能,注意是否会有逻辑反向特征。看DATASHEET时,基本上只了解一下第一页的内容就行。主要目的就是编程时保证能正确输出2、常见逻辑芯片:...

近日,恒烁半导体推出了一款面向物联网应用的50nm/128Mb高速低功耗NORFlash存储芯片,具有很强的成本和性能优势,力争在该市场中站稳脚跟,迎接IoT时代的真正爆...

3DNAND有这么多的优势,但也带来了不小的挑战。与2DNAND相比,3DNAND的program时间有所增加。如下图,3DNAND的program时间为2.2ms,但是2DMLCNAN...

假如你一个分区256G,跟分成四个64G(数值只是举例)当你在【我的电脑】点击某一分区的时候,实质上系统已经预读了一部分信息,等你双击打开分区的时候读取文...注...

一个256G手机可以存储更多的照片、视频、音乐和应用程序等数据,而512G手机则具备更大的可用空间。2.价格:由于512G提供了更大的存储容量,因此往往会比256G型号...