苹果正在考虑在iPhone中使用QLC NAND闪存来增加存储容量

根据7月22日的市场研究报告，苹果公司正在考虑使用QLC NAND闪存来提高iPhone产品的存储容量，最早可能在2026年应用于其中。QLC NAND是一种四层单元的闪存技术，每个单元可以存储4bit数据，与TLC相比，其储存密度提高了33%。虽然QLC NAND适用于大容量应用和消费电子产品，但它的耐久度较低，并且通常需要100到1000次写入循环才能达到P/E Cycle（Program Erase Cycle）。

苹果公司已经在探索如何将NAND闪存用于语言模型存储而不是内存，这样就可以在本地运行更多的AI任务。因此，过渡到QLC NAND可能会改善Apple Intelligence的表现。

总结起来，在未来几年中，我们可能会看到更多iPhone和其他苹果产品使用高密度、低成本的QLC NAND闪存来提升其存储容量和性能。

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三星正在开发第七代 V-NAND 闪存，至少达到 160 层

IT之家4月20日消息 根据外媒TechPowerUp的报道，三星电子正在开发其第7代V-NAND闪存，第一款产品将至少达到160层。

外媒表示，三星的160层的V-NAND产品可能会在长江储存128层产品大量上市时推出，时间大约是2020年底。

IT之家曾报道，4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量，拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。

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