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nand flash硬件接口 新装机平台,不上高性能M2 SSD,就太LOW了
发布时间 : 2025-04-11
作者 : 小编
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新装机平台,不上高性能M2 SSD,就太LOW了

“木桶理论”适用于DIY硬件,一套平台永远是受制于性能最弱的硬件。过去硬盘是被人吐槽最多的,数据处理慢,拖了后腿,成为木桶理论里最短的木板。这几年来,硬盘正自我革命,从机械硬盘到SATA固态硬盘,又从SATA接口升级到如今大热的M.2 接口SSD,再加入新NVMe协议、PCIe的通道,SSD的性能终于要跟上节奏。并且不管是Intel最新的十代酷睿+Z490/B460平台,还是AMD三代锐龙+X570/B550平台,都将M.2 接口列为标配,今天我们就来聊一聊高性能M.2 SSD如何去征服用户的。

来看看NVMe M.2 SSD到底有多快?

SATA SSD的读写速度是机械硬盘的近4倍,而NVMe M.2 SSD相比于SATA SSD提升近6倍。如此大幅度的性能提升,没有理由不让追求硬件性能DIY玩家为之心动。

主板与CPU对M.2 SSD支持越来越友好:

存储产品的普及,如果没有主板,CPU的支持,那都是白搭。最早在Intel的9系列主板中就配有M.2接口,那时传输速度只有10Gbps,经历100系列、200系列、300系列主板,如今全新400系列主板上市,M.2 接口已经成为标配,传输带宽为PCIe3.0x4,速度提升至32Gbps。

AMD平台更加拥抱M.2 SSD,在AMD芯片组主板中,AM4系列主板也将M.2作为标配。像最新旗舰X570主板,就支持最新PCIe 4.0传输通道,它的速度比PCIe3.0快了一倍。而低端B550主板也即将上市,同样将PCIe4.0纳入其中。且也搭配M.2 32Gbps接口,支持双SSD。

可以预见,不管是Intel平台,还是AMD平台,都加大对M.2 SSD的支持,但是新主板并没有增加SATA 3.0接口数量,而是增加更多PCIe高速传输通道,这一点也可以反应出用户对SATA 3.0接口需求的削弱,厂商也极力给消费者灌输这样的思想,引领硬件发展的新趋势。

买M.2 SSD,是正确之选

M.2 SSD走PCIe通道,与CPU直连,并且支持NVMe协议,对电脑平台提速效果相当明显。同时,CPU与主板等硬件对M.2 SSD提供优秀的使用环境,如果装新平台,不选一块M.2 SSD是不是感觉跟不上时代潮流?趁着6.18大促,赶紧来收一块M.2 SSD。

推荐产品:XPG 威龙SX8200 Pro

XPG 威龙SX8200 Pro符合NVMe 1.3高速协议,走PCIe3.0x4通道,读写速度最高达到3500、3000MB/s,性能强劲,处于目前M.2 SSD中的性能第一梯度,给新平台提供加速度。

这款SSD采用原厂3D NVND闪存,大幅延长耐用度,支持LDPC对错矫正机制,提升数据传输准确性。选择这样一款产品,不仅速度快,体验出色,稳定且可靠,值得信赖。

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推荐产品:三星970EVO PLUS

三星970EVO Plus采用了三星新一代V-NAND技术,采用了自家旗舰级的PHONENIX主控芯片,其在处理4K内容编辑、3D建模和仿真以及大型游戏等要求较高的任务时,能够提供稳定的性能保障。三星官方称读写成绩方面比970EVO的提升主要体现在写入方面,顺序读取和写入速度达到了3,500MB/S和3,300 MB/S,随机读写速度600,000 IOPS和550,000 IOPS。

推荐产品:西数黑盘 SN750

西数黑盘 SN750 NVMe SSD和前一代产品相同,都采用TLC架构,确保速度和稳定性,容量空间的部分则是提供250GB到2TB的容量选择,尤其2TB版本更是现阶段居家工作期间最适合的大容量SSD选择。至于硬件部分,主控芯片是采用自家SanDisk控制器,也同样是64层3D TLC NAND Flash,官方提供的读写速度分别达到3470 / 3000 MB/s,比前一代产品更快一些,在现阶段PCIe 3.0 x4中可说是速度上的佼佼者,提供五年保固,确保玩家长时间能够安心使用。

写在最后:

在追求性能的道路上,CPU、显卡、内存等性能变得越来越强大,SSD也正积极跟进,如果我们组装新的I/A平台,没有理由不拥抱性能更加强悍的M.2 SSD,不然对新U性能就是一种浪费。

NAND flash 信号线的理解

上一篇我们已经讲了NAND flash的分类,这一篇介绍NAND flash 的硬件接口。例如

由NAND Flash的原理图封装,然后查看芯片手册。

由图可知:IO0-IO7:既可传送数据也可传送地址,也可以送传命令。那到底是读是写,还是擦除?怎么区分IO0-IO7传送的是数据?地址?命令? 那么就需要通过CLE与ALE的状态来区分了。

假如2440要读取A地址的数据,或将数据写入B地址。当CLE为高电平表示IO0-IO7传送的是命令;当ALE为高电平表示IO0-IO7传送的是地址;当ALE与CLE都为低电平的时候,表示IO0-IO7传送的是数据。

CE:片选。当2440要操作访问Nand的时候,首先必须选中。

RE:读信号,当RE为低的时候,表示数据由Nand流向2240;

WE:写信号,当RE为低电的时候,表示数据由2240流向Nand;

WP:写保护,只能写,不能擦除。

R/B:Ready信号,表示Nand Flash烧写完成

这些引脚具体怎么组合起来的,需要查看手册中的时序图。

发(写)命令的时序图:

首先CE发出片选信号,CLE发出高电平,IO 0-7将命令驱动出去,WE写脉冲,在写脉冲的上升沿,Nand flash在上升沿,将IO 0-7中数据读取出来。

发地址的时序图:

CE片选, ALE由低变高,IO 0-7驱动 数据,WE发出写脉冲。

输入(写)数据的时序图:

CE选中,ALE、CLE低电平,2440 IO 0-7驱动 数据,WE写信号,Nand flash根据ALE、CLE低电平,读取数据。

输出(读)数据的时序图:

CE低电平选中,RE由高变为低(Nand flash收到RE由高变低时,马上准备数据,然后在RE的上升沿将数据发送出去),Nand flash 驱动数据到IO 0-7,在上升沿,2440取数据。

2440这些引脚发出的数据,必须满足Nand flash的时序要求。需要查看2440芯片手册,查看设备哪个寄存器的某些位来控制时序

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