基于AM335X开发板 ARM Cortex-A8——NAND FLASH版本核心板使用说明

前 言：

NAND FLASH版本和eMMC版本核心板使用方法基本一致。本文主要描述U-Boot编译、基础设备树文件编译、固化Linux系统NAND FLASH分区说明和NAND FLASH启动系统、固化Linux系统、AND FLASH读写测试等，NAND FLASH版本与eMMC版本核心板在使用方面的不同之处，相同之处将不重复描述。

创龙科技TL335x-EVM-S是一款基于TI Sitara系列AM3352/AM3354/AM3359 ARM Cortex-A8高性能低功耗处理器设计的评估板。

评估板接口资源丰富，引出双路千兆网口、LCD、HDMI、GPMC、CAN等接口，方便用户快速进行产品方案评估与技术预研，应用在通讯管理、数据采集、人机交互、运动控制、智能电力等典型领域。

U-Boot编译

进行U-Boot编译选项配置时，请执行如下命令。

Host# make ARCH=arm CROSS_COMPILE=arm-linux-gnueabihf- am335x_evm_s_nandboot_defconfig

图 1

我司提供经过验证的U-Boot镜像文件位于产品资料“4-软件资料\Linux\U-Boot\image\u-boot-2017.01-[Git系列号]-[版本号]\”目录下，分别为MLO-nand、u-boot.img-nand。系统启动卡制作完成后，请将MLO-nand和u-boot.img-nand文件复制到系统启动卡BOOT分区下，备份原有的eMMC版本MLO、u-boot.img文件，并将MLO-nand和u-boot.img-nand文件重命名为MLO、u-boot.img。

图 2

Host# sudo cp MLO-nand MLO

Host# sudo cp u-boot.img-nand u-boot.img

图 3

基础设备树文件编译

基础设备树源文件为内核源码“arch/arm/boot/dts/”目录下的tl335x-evm-s-nandflash.dts和tl335x-evm-s-nandflash-hdmi.dts，重新编译基础设备树时请使用此文件。我司提供经过验证的基础设备树文件为产品资料“4-软件资料\Linux\Kernel\image\linux-rt-4.9.65-[Git系列号]-[版本号]\”目录下的tl335x-evm-s-nandflash.dtb和tl335x-evm-s-nandflash-hdmi.dtb，请将其分别复制到系统启动卡rootfs分区以及rootfs-backup分区的boot目录下。

图 4

请执行如下命令将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-s-nandflash.dtb文件。tl335x-evm-s-nandflash.dtb支持LCD显示，如需使用HDMI显示，则将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb文件即可。

Host# sudo rm tl335x-evm.dtb

Host# sudo ln -s tl335x-evm-s-nandflash.dtb tl335x-evm.dtb

Host# ls -l

图 5

使用替换了U-Boot和基础设备树文件的Linux系统启动卡启动评估板，进入文件系统执行如下命令可查看到NAND FLASH分区信息，即说明文件替换成功。

Target# cat /proc/mtd

图 6

固化Linux系统

本章节介绍Linux系统固化过程，包括固化U-Boot、内核、设备树和文件系统至NAND FLASH。

NAND FLASH分区说明

进入评估板系统后执行如下命令，查看NAND FLASH分区信息。

Target# cat /proc/mtd

图 7

表 1

NAND FLASH

MTD0

nand.spl：存放U-Boot第一阶段启动文件MLO

MTD1

nand.u-boot：存放U-Boot第二阶段启动文件u-boot.img

MTD2

nand.env：存放环境变量

MTD3

nand.devicetree：存放设备树文件

MTD4

nand.kernel：存放内核镜像

MTD5

nand.logo：存放LOGO文件

MTD6

nand.mini-fs：备用分区，一般存放小型文件系统（暂未使用）

MTD7

nand.rootfs：存放文件系统

固化Linux系统

Linux系统启动卡制作时，已将系统固化的脚本文件mknandboot.sh复制到了Linux系统启动卡文件系统的“/opt/tools/”目录下。

图 8

执行如下命令进行一键固化。

Target# /opt/tools/mknandboot.sh

图 9

脚本会进行如下操作：

擦除NAND FLASH。将Linux系统启动卡BOOT分区中的U-Boot、LOGO固化至NAND FLASH对应分区。将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统boot目录下的内核镜像和基础设备树文件固化至NAND FLASH对应分区。将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统固化至NAND FLASH对应分区。

用时约5~10min，Linux系统固化成功，同时串口调试终端打印提示信息。

从NAND FLASH启动系统

评估板断电，将Linux系统启动卡从评估板Micro SD卡槽中取出，根据评估底板丝印将拨码开关拨为10110(1~5)，此档位为NAND FLASH启动模式。评估板上电，串口调试终端将会打印如下类似启动信息。

图 10

图 11

NAND FLASH读写测试

本章节对NAND FLASH的MTD6分区进行读写速度测试。MTD6是NAND FLASH的备用分区，一般存放小型文件系统，大小为32MByte。读写测试会将该分区内容擦除，请做好数据备份。

执行如下命令查询NAND FLASH分区，确认MTD6分区大小（读写请勿超出分区大小），将该分区内容擦除。

Target# cat /proc/mtd

Target# flash_erase /dev/mtd6 0 0

图 12

NAND FLASH写速度测试

进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行写速度测试。

Target# time dd if=/dev/zero of=/dev/mtd6 bs=1024k count=30

图 13

此处一共写30MByte测试数据到NAND FLASH的MTD6分区下，可看到本次测试的NAND FLASH写速度约为：30MByte/7.79s=3.85MB/s。

NAND FLASH读速度测试

重启评估板，进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行读速度测试。

Target# time dd if=/dev/mtd6 of=/dev/null bs=1024k count=30

图 14

此处从NAND FLASH的MTD6分区读取30MByte数据，可看到本次测试的NAND FLASH读速度约为：30MByte/4.44s=6.75MB/s。

双M2主板如何插才满速？1TB阿斯加特固态硬盘AN3体验

上一篇《装机记》写键盘时，有个固态硬盘包装露了脸，这篇就跟大伙说说这块1TB容量的仓库SSD，来自阿斯加特的AN3。

固态硬盘没啥可啰嗦的，在保证品质的基础上，消费者更看重容量、速度和单G售价。阿斯加特AN3 1TB采用TLC 3D NAND闪存颗粒，规格是M.2 2280，支持NVMe1.3协议，质保五年，带上它，我这块微星X470 Gaming Pro主板的双M.2接口就都插满了，主机存储容量和读写速度有望提升，待会就来测一测。

阿斯加特AN系列的包装基本都是黑盒红蝎纹，里面的马甲散热片略有不同。

AN3为蓝马甲，手里的1TB AN3入手时不到700块，时间是去年10月份，不过现在狗东涨到1k以上，明显是在推AN3蓝马甲的2TB版本（1499左右），而年初开始热推的AN3+红马甲，1TB在750块左右。新版还未尝试过，不做评论，本文只测型号为AN3 1TNVMe-M.2/80的蓝马甲。

阿斯加特AN3 1TB有4个ARM Cortex-R5内核，支持8条NAND通道，官宣读取最高速度3300MB/s，写入3000MB/s，搭载1GB缓存，响应速度和读写效率都比前代出挑。

采用64层3D NAND技术，POWEV嘉合劲威TLC闪存256x4枚，国产慧荣SM2262EN主控，PCIe3.0x4规格，支持NANDXtend ECC、自监测和报告技术，提升纠错，耐用性和可靠性均有提升，属于中高端消费级或企业级SSD的优选。

高速读写会带来更多热量，这些热量将由AN3自带的蓝马甲散热片解决。可以看到它的合金散热片浓缩到很轻薄，保证高效散热的同时，更容易适配复杂的PC和笔记本主板M2预留位。

颜值方面有一说一，它的反光并不是很强烈，稍微有一点“铜镜面”的感觉，一侧边缘为螺丝孔做了造型凹陷，质感不错，Asgard刻字很有辨识度。

双M.2位的主板，实际上有主副之分，最早装机时只装了主M.2位，浦科特M9PeG 256GB SSD，如今写入量也有33T了。平台为AMD R7 2700x+微星X470+阿斯加特32GB+微星1066显卡。

首次测试将新SSD阿斯加特1TB放在X470主板的副M.2位上，按理说传输速度会打对折。

先利用第二个NVMe M.2接口的另一个目的是做好新SSD的初始化。下图左是加入仓库SSD之前PC内部+外置硬盘容量占用情况，其中E盘是个3TB机械硬盘，容量已经只剩不到40GB，加上新M.2位的1TB SSD后，我打算将一些大型软件、游戏，部分影视资源迁移过去，解放第一SSD所在的C、D盘，同时将机械硬盘和一个外置仓库盘（右图G盘）做备份整理。总之，捯饬捯饬，硬盘占用分布如右图所示。

初始化之后，先对副M.2位的阿斯加特AN3做一次比较全面的测试，然后将两个SSD对调，重新测速。

两次测试数据截图对比如下，以下所有单张图的左边都是阿斯加特AN3在副M.2位、右边是AN3在主M.2位的测试结果。首先是CrystalDiskInfo，可以看到在主M.2位时，传输模式是PCIe3.0x4，副M.2位降到2.0x4。

用CrystalDiskMark测试，副：主的传输速度果然是大致1:2的差异，下图右在主M.2位的读3519MB/s，写2893MB/s与官标读写上线基本一致。

改用ATTO磁盘基准测试，得到结果如下，可以看到阿斯加特AN3在64KB至64MB文件读写速度稳定在极值，依然是主M.2位更接近官标读写上线，写入最高2.68GB/s，读取最高3.14GB/s；副M.2的测速结果读写均在1.33GB/s左右，几乎减半。值得注意的是，如今的SSD可以在16KB数据块就接近1kMB/s的传输速度了。

AS SSD Benchmark同样得到类似结果，不过相比CrystalDiskMark的结果有所下降（测固态都CD比AS结果要好一些），主M.2位AN3读取2922MB/s，写入2542MB/s。跑分方面，副M.2的AN3要比主M.2位少1000多分，此外IOPS 4K跑分在32万以上。

TxBENCH测试结果：主M.2位读取3339MB/s，写入3022MB/s；副M.2位依然打对折。

安兔兔SSD软件测试结果与AS SSD Benchmark的十分相像，这一测试缺失了副M.2位的截图，仅做参考。

通过对比实测，可以得出以下3个结论：

1，阿斯加特AN3 1TB M.2 NVMe固态硬盘的读写速度稳定，与官方读3300MB/s，写3000MB/s的数据基本吻合；

2，X470主板两个M.2插槽中，副M.2位对固态硬盘读写速度确实有影响，速度基本减半；

3，实测无论在主还是副M.2位下，AIDA64测温在45~57℃之间，娱乐大师压力测试下在70℃以下，说明自带散热效果到位。

此外，这块SSD从2019年10月使用至今已有小半年，总写入2.3TB，硬盘内存储文件超过400G，目前测速依然保持基本不掉，性能比较稳定。

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评测最后说两句，买固态硬盘，千万不能贪便宜。如今读写速度更快的M2 SSD推陈出新，像阿斯加特AN3这样突破3000MB/s的也有不少新品，1TB、2TB大容量SSD的价格越来越低，单GB价格7毛以下不足为奇，不过其中也有品质不够、鱼目混珠者。数据无价，掉盘一次操心半个月，这种坑儿笔点君也遇到过2次，各位攒机小白需要擦亮双眼，所谓性价比并不是唯一判律。希望各位多通过老司机实测来甄别优、劣SSD，这篇《笔点酷玩装机记》就写到这里，我们下篇再聊。

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