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nand flash test 矮子里挑高：东芝，PNY，创见，闪迪 SD卡评测

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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矮子里挑高：东芝、PNY、创见、闪迪 SD卡评测

youer2015-11-09 21:32●使用评测

本次测试的SD卡品牌有东芝、PNY、创见、闪迪，最惊喜的是东芝，最失望的是PNY！

首先分享一下相关知识，抛砖引玉：

我们现在用的闪存类存储器（各类闪存卡、U盘、SSD等），都是用NAND FLASH作为存储介质，所以Nand Flash很大程度决定存储器性能好坏！

而可以生产Nand Flash的厂家就三星（Sumsung），美光（Micron），现代（Hynix），东芝（Toshiba），Intel等寥寥几个，原厂生产出来的Nand Flash我看网上分几种：正片、白片、黑片、残片！正片就是经过电压、稳定性、ECC效验等一系列测试合格的正品；白片，就是不正常流出去的正片；黑片（也叫Down grade Flash，当归片！

）就是电压、容量或者稳定性存在一定问题的；残片就是边角废料通过技术手段搞到可用（我称之为人品探测器，龟速+不定时提醒格式化），一般就在火车站上面卖的无名存储器上使用。但其实根本分不了这么清，FLASH原厂要求出货量要非常大，导致很多存储器生产商无法向原厂采购，这就出现FLASH代理商，代理商很有能力，甚至能做原厂不能做的事，其他我就不多说了。所以存储器用哪一类的材料实际上不用太操心，如果不是专业的，人家用什么你根本查不出来（颗粒上的喷码都可以做假的），作为普通消费者只能选口碑好一点的产品。

再就是SLCMLCTLC，他们区别大家就百度吧，我的态度是：TLC做大容量存储器是很理想的 。相对另外两种颗粒，TLC速度慢寿命短没错，但这都是相对的！目前一般主控的算法足够你10年正常使用，我的SSD做系统盘，所有软件安装在系统盘，使用1年多也就写入700G（240G的SSD可以认为擦写不到5次），这样算1000次擦写可以用200年！至于速度，三星850EVO就是用TLC的，速度比很多MLC的SSD都快，存储器的速度瓶颈还没在颗粒上！而且宁为鸡头莫为凤尾，品质好的TLC绝对比劣质MLC更有价值，重点是大容量的存储器，TLC成本优势非常明显！当然这都是屌丝的看法，土豪建议定制SLC颗粒的，为什么要定制？因为市面貌似没大容量的SLC固态硬盘吧…..

（本人不是Flash行业的人，不过有直接接触，以上观点若有误FLASH业内人士请不吝赐教）

以下是实测数据：

PNY 64G，标称读写速度90M/S（到手即测，没做任何格式化处理），实际看下图（11月3日108购买）

东芝EXCERIA TypeⅠ型，标称读写95/90，差点吧，但还是满意，2013年299购买

朋友淘汰下来的闪迪16G，标称30M读取速度，写入速度官方标的是较低…

东芝极致迅速32GB，到手即测，标称读写90/60MB，居然超了！东芝良心啊。此卡和创见32G一同下单最终成交价227，相当于100出头一张，相当白菜！

创见32G，到手即测，标称读写95/85，基本达标！

5张卡是在同电脑、同读卡器、同USB接口测试的，首先测PNY的，5张卡测过一遍以后觉得PNY不应该这么差，又测了一遍，还是如此！

好了那么一点点，但还是那个水平，彻底失望

洞察能力强的朋友估计也看到一个点：每张存储卡容量不尽相同，三张32G卡的容量都不一样！我知道哪怕是一样容量的FLASH，不同主控识别到的实际FLASH容量都有可能不同，目前市面上很多都是识别为29.7，就是银灿的主控，但64G只能识别58.2G，32G识别29.1G实在是不知道哪家主控，不过应该也是正常的。

题外话，对于SD卡测试，主要是测速度和稳定性，稳定性就看会不会掉速，所以就上一个软件就可以了，ATTO Disk Benchmark和MyDiskTest都可以的，有些人还上ASSSDBenchmark、ChipGenius、CrystalDiskmark、HDTunePro之类一堆软件，特别是还测4K速度的，非常浪费时间！难道你想在SD卡上装系统和软件？至于说掉数据那些，还真不知道有什么软件能测试，望大神赐教

总结：PNY在我眼里一直是物美价廉的存在，但这次有点失望，的确很便宜，但在单反里拍视频都不行（亲测），再便宜也没用；反而东芝有点惊喜，居然高于标称速度，这算很有良心了，雷克沙出了名贵也没有这一出！

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一分钟解析固态硬盘SSD主大类的区别，准备换硬盘的看过来！

构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，估计有不少人认为单纯看主控就可以知道SSD的性能，其实这是错误的，就像OCZ现在的产品线那样，用的都是SandForce SF-2281主控，但是通过不同的闪存与固件搭配划分出Vertex 3 MAX IOPS、Vertex 3、Agility 3与Solid 3等不同层次的产品，相互之间性能差异比较大，可见SSD所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。

今天迅维快修小编就来说说这个NAND闪存 SLC、MLC和TLC三者的区别

TLC是闪存一种类型，全称为Triple-LevelCell

　　X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。

2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。

TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，像是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。像是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。

2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小的情况，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。

U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：

SLC =Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快，寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命

MLC =Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般，寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命

TLC =Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢，寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。

读写速度：采用H2testwv1.4测试，

三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。

三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。

需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。

下面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异

SLC 利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。

MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。

TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。

闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大，强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品。

许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？

在这里迅维快修小编先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。

什么是SLC？

SLC英文全称(Single LevelCell——SLC)即单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon　efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Processenhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

什么是MLC？

MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。

英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

与SLC比较MLC的优势：

签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。

与SLC比较MLC的缺点：

MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到６MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。

再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

好了，以上就是迅维快修小编为您整理的固态硬盘主大类的区别，希望本文的分享对您有所帮助！

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