内存DDR nand 都说内存组双通道更好！实测结果告诉你有何不同

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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都说内存组双通道更好！实测结果告诉你有何不同

对于核显用户而言，肯定是把内存组成双通道效果会好一些。就目前的配置而言，多数用户还是比较适合4G*2的内存组合。不过在价格方面，相对而言就要比单根8G内存贵一些。那么对于独显用户而言，是直接配单根内存组成单通道平台好些，还是配二根内存组成双能道平台好呢？对于这个问题，其实还是需要用详细的测试来说明一下。

因为最近帮人修电脑，所以直接就使用他的平台来测试一下。这里挑选的内存分别是一根8G容量的宇瞻的DDR3 1600Mhz内存，与二根4G容量的AMD专用条，每根内存为4G DDR3 1600Mhz。

从外观，做工方面来看，AMD专用内存条明显要更差一些，这个很正常。因为AMD专用内存条本来就是小工厂的产品，做工都比较差。至于宇瞻内存，做工肯定要更好一些，毕竟是内存大厂的产品。

从宇瞻内存的标贴上，可以看到8GB UNB PC3-12800 CL11的字样，这说明此内存的容量为8GB，UNB代表unbuffered 无缓存，内存的频率为1600MHz，1600*64/8=12800（内存带宽的计算公式：带宽=频率*位宽/8），1600是DDR内存等效频率，CL11指的是内存默认延迟数值。

至于AMD专用条上的标贴，直接套用的是金士顿品牌的，就不多介绍了。从KVR16N11/4这段型号，就可以看出此内存不少信息来。KVR代表金士顿经济型内存，16代表内存频率为1600Mhz，N代表普通型，11表示CL值是11，也就是内存默认延迟数值，4代表内存容量为4G。

至于内存颗粒方面，AMD专用条使用是海内士，而且宇瞻使用并不能肯定，因为厂家已在内存颗粒上打磨“Apacer”LOGO了，不过通过芯片编号初步判断，芯片来源于应当海力士或者尔必达的。

接下来就是正式测试了，首先测试一下此平台内存在8G单通道模式下的性能。因时间问题，只能简单的做一下测试。

先看一下，测试平台的硬件信息。

内存的详细信息展示。

也许很多人看不起鲁大师的得分，其实我个人也感觉它的得分很不靠谱。但这个软件不得不测，因为现在很多人只认它的得分，此次测试中，内存项的得分为7293。

CPU-Z软件显示出的信息，证明现在平台所用的内存通道数为单通道。

在AIDA64软件Memory Benchmark项测试中，Read、Write、Copy的速度（单位MB/S）分别是9001、6945、7415。

接下来开始测试在8G内存在双通道模式下的性能。

内存的详细信息展示，这时内存已经从单条8G，改成了双条4G。

在鲁大师测试中，内存项的得分为7305，这个得分与之前单通道模式下的得分，基本上没有多大的差距。但电脑综合性能得分却相差不小。不过怎么说呢，鲁大师这款软件的得分，并没有太大的说服力。

CPU-Z软件显示出的信息，证明现在平台所用的内存通道数为双通道。

在AIDA64软件Memory Benchmark项测试中，Read、Write、Copy的速度（单位MB/S）分别是14165、7393、11665。在此项测试中，内存的得分相差的非常大，可以很明确证明，在独显平台上，内存的容量，频率，时序在一模一样的情况下，双通道模式比单通道模式依旧更有优势。

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一文解释清楚DDR，LPDDR，EMMC，NAND Flash和NOR Flash

随着计算机和移动设备的快速发展，存储器成为了这些设备中不可或缺的重要组件。在存储器领域，DDR、LPDDR、eMMC和闪存存储器等技术都得到了广泛应用。在这篇文章中，我们将总结这些存储器技术的原理、特点和应用。

DDR（Double Data Rate）和LPDDR（Low Power Double Data Rate）是最常见的内存类型之一，属于易失性存储器。

它们都采用了双倍数据传输率和同步时钟技术，以提高数据传输速度。不同的是，LPDDR是一种低功耗内存，通常采用的电压比DDR内存低。因此，LPDDR内存的功耗较低，适合移动设备和嵌入式系统等需要长时间使用的场景。DDR内存则适用于计算机、服务器和其他高性能计算设备等领域 ，如存储和处理图形、声音和视频等数据。由于功耗和速度等差异，LPDDR内存通常比DDR内存更昂贵，尤其是在容量较小的情况下。

DDR内存技术已经经历了几代发展，包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4和DDR5等，每一代的数据传输速率都有所提高。例如，DDR4内存的数据传输速率可以达到3200Mbps，而DDR5内存的数据传输速率可以达到6400Mbps以上。

与DDR内存类似，LPDDR内存也经历了几代发展，包括LPDDR1、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4和LPDDR5等。每一代的数据传输速率都有所提高，并且功耗也逐渐降低。例如，LPDDR5内存的数据传输速率可以达到5500Mbps以上，而功耗也降低到了极低的水平。

NAND Flash、NOR Flash和eMMC是三种不同类型的闪存存储器，属于非易失存储器。

NAND Flash和NOR Flash都是基于闪存技术的存储器，但它们的结构和读写方式不同。NAND Flash采用了一种串行的读写方式，即每次读写操作都是以页为单位进行的。NAND Flash适合于需要大容量、高速的存储器场景，例如用于存储照片、音频、视频等大文件的移动设备和嵌入式系统。NOR Flash采用了一种并行的读写方式，即可以按字节读写。NOR Flash适合于需要快速读取和执行代码的场景，例如用于存储引导代码、操作系统和小型应用程序等。

NAND Flash和NOR Flash的区别

存储结构：NAND Flash是基于页的存储结构 ，具有较高的存储密度和较低的成本，适合存储大容量数据，如视频、音频和图像等。而NOR Flash是基于字节的存储结构 ，具有较快的读取速度和更高的可靠性，适合存储小容量数据，如代码和程序等。读写方式：NAND Flash的读写方式是以页为单位进行，写入速度比读取速度慢，同时需要整个页擦除才能进行写入操作。而NOR Flash的读写方式是以字节为单位进行，读取速度较快，且可以进行随机读写操作。价格：由于存储结构和读写方式的不同，NAND Flash的成本较低，适合存储大容量数据，而NOR Flash的成本较高，适合存储小容量数据。应用领域：NAND Flash适合用于存储大量的媒体数据，如音乐、视频和图片等，而NOR Flash适合用于存储代码和程序等小容量数据。

怎么理解基于页和基于字节？

基于页的存储结构是指闪存存储器将数据存储在一定大小的页中，通常为512字节或更多。在读写数据时，闪存存储器需要一次读写整个页的数据，而不是单个字节或块。这意味着，当需要修改存储在页面中的数据时，整个页面都需要被擦除和重新写入，而不是仅仅修改某个字节或块。这种存储方式可以提高闪存存储器的存储密度和性能，但在某些情况下可能会导致性能下降，例如需要随机读取小块数据时。

基于字节的存储结构是指闪存存储器将数据存储在单个字节或小块中，而不是像基于页的存储结构一样将数据存储在整个页面中。在读写数据时，闪存存储器可以直接读取或写入单个字节或块，而不需要一次读写整个页面。这种存储方式可以提供更快的读取速度和更好的随机访问性能，但可能会导致闪存存储器的存储密度降低和成本上升。

EMMC

eMMC是一种集成控制器和存储芯片的存储设备，采用了NAND Flash技术。与NAND Flash不同的是，eMMC通常具有较小的存储容量，通常在几十GB或几百GB的级别。eMMC可以作为内置存储器使用，并且由于其内置控制器的作用，可以实现快速的读写操作。因此，eMMC适合于移动设备、嵌入式系统和一些消费电子产品等领域的应用。而与SSD相比，SSD的存储容量可以达到数TB，更适用于需要大容量、高速存储的场景，例如用于企业服务器、工作站、高端游戏电脑等。

EMMC和NAND Flash的主要区别是什么？

NAND Flash需要外部控制器来控制其读写操作，而eMMC则采用内置控制器，可以更加方便地实现读写操作和数据管理。此外，eMMC还可以作为内置存储器使用，由于其内置控制器的作用，可以实现快速的读写操作。

nand flash和nor flash没有控制器怎么操作的？

NAND Flash和NOR Flash也需要控制器来管理和控制它们的读写操作，但它们的控制器通常被称为Flash控制器或闪存控制器，而不是eMMC控制器。

Flash控制器主要负责管理和控制Flash存储器的读写和擦除操作，包括坏块管理、ECC、命令序列和性能调优等功能。Flash控制器通常集成在硬件设备或芯片中，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、存储卡和移动设备等中。

需要注意的是，不同类型的闪存存储器的控制器可能有所不同，因为它们的内部结构和读写方式不同。例如，NAND Flash控制器需要执行特殊的操作来处理页的擦除和写入，而NOR Flash控制器则需要支持随机读取和字节编程等操作。因此，在选择Flash存储器和控制器时，需要考虑应用需求和存储器的特性，以确保最佳的性能和可靠性。