NAND存储复苏 这一小而美赛道“熬出头”

该公司1月营收为历史同期次高、SSD主控芯片出货量同样实现历史同期次高。1月NAND市场整体需求持续回升。企业级SSD市场、NAND原厂积极推动涨价，市场上的企业级SSD价格已经大幅上升。

NDNA存储芯片龙头公司群联2月7日公布数据，2024年1月合并营收50.86亿元新台币，同比增长超过75%，为历史同期次高。此外1月SSD主控芯片出货量增长37%，同样实现历史同期次高，其中PCIe SSD主控芯片出货量年增75%，刷新纪录。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，功耗低、重量轻、性能佳，同时它是一种非易失性存储技术，断电后仍然能保存数据，非常适合作为便携设备的存储器来使用。SSD即固态硬盘（Solid State Disk），是以NAND闪存介质为主的一种存储产品，现已广泛应用于笔记本电脑、台式电脑、移动终端、服务器和数据中心等场合，在很多应用场合可以直接替换机械硬盘。

群联长期深耕于闪存控制器芯片这一细分领域，是全球NAND主控芯片以及存储解决方案领导厂商。

数据显示，。群联CEO潘健成表示，。换言之，目前群联也很努力跟各存储应用领域的客户商谈沟通全年度的需求状况，希望能通过预先的规划，提升未来季度在满足市场需求的供货顺畅度。

潘建成强调，企业级SSD市场、NAND原厂积极推动涨价，力求扭亏为盈，市场上的企业级SSD价格已经大幅上升 。群联因掌握相对具有竞争力的企业级SSD产品组合，因此客户对企业级SSD方案询问程度大幅增加，这一现象对群联未来季度营收贡献预期将有正面助力。

这并非群联首次释放积极信号。回顾该公司近半年以来其数次表态、动作，结合行业其他公司动向，我们可以清楚看到，NAND的市况正逐渐变好：

（1）2023年7月-2023年8月：NAND价格底出现

该阶段，NAND闪存芯片库存水平仍然很高，但价格已跌破制造商底线，NAND原厂陆续以扩大减产规模的方式全力推动价格止跌反转。另外，期间出现部分NAND控制芯片急单需求，反映市场逐步出现回温讯号。

（2）2023年9月-2023年10月：NAND市场价格起涨

期间下游客户处于补库存需要开始备货，NAND迎来首波涨价。潘健成表示，9月SSD模组出货量持续回温，显示系统客户因库存水位回到正常水位、或低于正常水位，加上NAND市场价格回稳起涨态势明确，开始陆续回补库存。

2023年9月份，摩根士丹利在最新《AI产业追踪》报告中指出，由于NAND价格已触底，群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

（3）2023年11月-至今：NAND迎量价齐升格局

群联指出，2023年11月SSD控制芯片总出货量持续回温，其中，PCIeSSD控制芯片总出货量年成长将近40%，创历史同期新高纪录。整体NAND储存位元数总出货量的年成长率，也超过80%。

2024年1月29日，潘健成透露，近期NAND Flash需求正逐月增加，几乎每个容量规格都有缺货，未来两个月报价还会出现不小的涨幅。潘健成认为，AI应用会推动NANDFlash的需求量，而以AI相关设备来说，手机因为出货量多，比PC的驱动力来得大些。

该阶段，西部数据对客户发出涨价通知信，并预期未来几季NAND芯片价格累计涨幅可能比当前报价高达55%，涨幅惊人。此前三星已调升NAND报价10%至20%，并决定24Q1-Q2再调涨报价20%，目标在24H1逆转市场。

华鑫证券表示，本轮NAND涨价热潮锐不可挡，加上部分需求回温以及客户端启动库存备货，量价齐升有望逐步反映。

本文源自科创板日报

存储大厂NAND技术迎突破

AI人工智能正推动存储器产业强劲发展，AI应用带来了海量数据增长，存储容量与性能需求大幅提升，NAND Flash技术重要性不断凸显。因此，存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时，也并未忽视NAND Flash的发展。最新消息显示，三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。

三星第九代V-NAND闪存材料技术突破

三星于今年4月宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，今年下半年三星将开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。与第八代V-NAND相比，第九代V-NAND 1Tb TLC产品提高约50%的位密度(bit density)，功耗也降低了10%。

近日韩媒The Elec报道，三星正在其第九代V-NAND“金属布线”（metal wiring）环节中首次使用钼（Mo）材料。

图片来源：三星

“金属布线”是半导体制造过程的一大工艺，使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体产品。目前， NAND工艺中所使用的材料是六氟化钨（WF6），随着钨材料在降低层高方面不断触及物理极限，三星开始锁定钼作为替代材料。据悉，三星的这一转变有望进一步缩减层高并降低NAND响应时间，性能将进一步提升。

不过，引入钼材料要求生产设备能够耐高温处理，将固态钼原材料加热至600 ℃以转化为气态，为此三星已从Lam Research公司引进了五台Mo沉积机，还计划明年再引进20台设备。此外，三星正与多家相关供应商紧密合作，包括Entegris和Air Liquide公司。

除了三星之外，报道指出美光等存储大厂也在探索钼应用于NAND生产的可行性。

铠侠推出2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存

7月3日，铠侠宣布已经开始使用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术，向客户提供2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存样品，该款产品在业内拥有最大容量，有望推动包括人工智能在内的多个应用领域成长。

据悉，铠侠通过专有工艺和创新架构，在存储芯片的垂直和横向扩展上均取得了突破，并采用了CBA（CMOS直接键合到阵列）技术，以制造更高密度的设备，并提供3.6Gbps接口速度。

图片来源：铠侠

铠侠表示，与公司当前第五代QLC设备（铠侠产品中容量最高）相比，2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存位密度约提高了2.3倍，写入能效比提高了约70%，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，从而为业界提供4TB容量，同时，它还具有更小的封装尺寸（11.5 x 13.5毫米）和1.5毫米的封装高度。

除了2Tb QLC之外，铠侠还在其产品组合中增加了1Tb QLC存储设备。与容量优化的2Tb QLC相比，性能优化的1Tb QLC的顺序写入速度大约提高了30%，读取延迟大约改善了15%。1Tb QLC将被部署于高性能应用中，包括客户端SSD和移动设备。

QLC SSD，人工智能领域大有可为！

与多层单元（MLC）和三层单元（TLC）设备相比，QLC NAND每个单元可以存储更多数据，显著提升存储性能。因此，无论是三星还是铠侠，针对QLC NAND皆有布局。

此前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域，随着AI大模型不断普及，数据中心存储需求不断激增，QLC NAND尤其是QLC SSD有望在AI、大数据领域大显身手。

受益于AI需求推升，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预估，2024全年QLC Enterprise SSD出货位元上看30EB（EB；Exabyte），较2023年成长四倍。

图片来源：拍信网

TrendForce集邦咨询认为，QLC SSD在AI应用搭载提升有两大原因，一是该产品的读取速度，二是TCO（总体拥有成本；Total Cost of Ownership）优势。由于AI推理服务器主要以读取为主，资料写入次数不若AI训练型服务器（AI Training Server）频繁，相较HDD，QLC Enterprise SSD读取速度更胜，且容量已发展至64TB。

此外，实际上目前通用型服务器采用的HDD产品主流容量在20~24TB，而QLC Enterprise SSD（64TB）单个产品运转除了较HDD节省电力外，在存储容量布局上，QLC所需使用空间减少，可大幅降低TCO成本。AI Training已然成为重度电力消耗应用，因此节能将成为存储产品的优先考量，故大容量QLC Enterprise SSD产品更是大宗AI客户寻求的解决方案。

相关问答

其实没啥需要特别注意的。要说的话对于初学者需要注意电源别弄错了;如果电源域不同,则需要确认管脚电气参数是否匹配,必要时添加接口转换芯片;剩下的就是按照...

你只能通过NandFlash控制器访问NandFlash,即是只要知道Nand控制器的寄存器地址即可。NandFlash不是一个RamLike的器件。Uboot放入nand中,在nand的0地址开...

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为DataFlash,晶片容量大,目前主流容量已达...

SDHC和SDXC这两种存储卡格式都是SD卡的升级版本,使用的同样是NAND闪存技术,虽然使用的是同样的技术,不过SDXC卡的存储容量要比SDHC卡更大,其次SDXC卡的读写速度...