韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

（观察者网讯）12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

据韩联社12月7日报道，SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

上月，SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。

SK海力士：全球首次成功研发128层4D Nand闪存

（观察者网讯）

据韩国《中央日报》6月27日报道，SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。

据SK hynix透露，该产品是业界最尖端的128层堆栈4D NAND，适用超均一垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同时，该产品也是用TLC存储方式打造的NAND中，首次达到1TB容量的产品。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

6月26日，SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand闪存”，即将投入量产。距离该公司在去年10月开发出96层4D Nand闪存芯片过了8个月时间。据悉，最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降，SK海力士今年第一季度已经出现亏损，现在似乎打算在Nand闪存领域寻找新的突破口。

据报道，相比传统的3D Nand闪存工程，4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题，大大提高了生产效率。SK海力士表示，“新产品使用同样的4D平台，通过对工程进行最佳优化，在比96层产品增加了32层储存单元的情况下，还将全部的工程程序减少了5%”。

SK海力士副总经理吴钟勋（音）表示，128层4D NAND将确保NAND项目的根本竞争力。该产品实现业界最多层堆栈、最高容量，将及时提供各种解决方案。

SK海力士计划从今年下半年开始正式开售128层4D闪存芯片，并接连推出各种产品解决方案。SK海力士还计划积极对云数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G移动通信智能手机市场展开攻略。

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