美光科技(MUUS)Q4营收8274亿美元,看好DRAM、NAND需求前景
智通财经APP获悉,周二美股盘后,美光科技(MU.US)公布了截止至2021年9约2日的2021财年第四季度和2021财年全年的业绩。
数据显示,该公司Q4营收82.74亿美元,上年同期为60.56亿美元,同比增长36.6%;净利润为27.2亿美元,上年同期为9.88亿美元,同比增长175.3%;摊薄后每股收益为2.39美元,上年同期为0.87美元,同比增长174.7%。
公司Q4营业现金流为38.8亿美元,上年同期为22.7亿美元。财报还显示,该公司在2021财年第四季度回购了约1390万股普通股,价值10.5亿美元。
全年业绩方面,美光2021财年总营收为277.05亿美元,上年为214.35亿美元,同比增长29.3%;净利润为58.61亿美元,上年为26.87亿美元,同比增长118.1%;营业现金流为124.7亿美元,上年为83.1亿美元。
展望未来,公司预计2022财年第一季度营收为74.5亿-78.5亿美元,预计摊薄后每股收益为1.9-2.1美元。
美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra表示,美光第四季度的出色表现为2021财年画上了圆满的句号。在2021财年,该公司确立了DRAM和NAND技术的领导地位,推动了多个市场的创纪录收入,并预计2022年的需求前景强劲,看好未来。
财报公布后,截至发稿,美光盘后跌4.31%,报69.95美元。
本文源自智通财经网
NAND Flash市况复苏缓慢,又一家大厂要减产?
半导体下行周期之际,AI大势下HBM发展风生水起,并为DRAM市场注入了活力。与之相比,NAND Flash市场需求持续萎缩。为应对需求“寒冬”,多家存储厂商今年表态将持续减产并缩减支出,NAND Flash成为被调整的重点领域。
近期,闪存大厂铠侠在最新财报中表示,将配合需求动向进行减产。
减产、推迟投产?铠侠也出手了
8月9日NAND Flash大厂铠侠公布上季(2023年4-6月)财报,由于智能手机等产品需求低迷,NAND Flash市况持续恶化,价格下跌,受此影响,该季铠侠营收2511亿日元(约17.5亿美元),同比减少32%。
铠侠指出,因市况复苏缓慢,将持续配合需求动向进行减产以及管控营销费用,且为了维持竞争力、将持续进行次世代产品研发以及降低成本等措施。
另据共同社报道,为应对需求恶化,铠侠在日本岩手县北上市的北上工厂新建的厂房将推迟到2024年以后投入使用。该厂原计划在2023年内投产,铠侠公关负责人称新建厂房的大部分施工将在2023年内结束,同时也表示:“投产时间未定。将在对需求动向进行详细调查后再做判断。”
稍早之前,SK海力士与三星也做出了减产NAND Flash的决定。SK海力士认为,与DRAM库存去化速度相比,NAND闪存的去库存速度相较缓慢,因此决定扩大NAND产品的减产规模。
三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在财报电话会议上提到,三星将延长减产行动,并对包括NAND闪存芯片在内的某些产品进行额外的产量调整。
豪赌未来,存储大厂先进技术蓄势待发
关于市场动向及今后展望,铠侠指出,各家NAND Flash厂商扩大生产调整(减产)范围、供需平衡逐步改善,在客户去化库存以及PC、智能手机的存储搭载量增加背景下,预估NAND Flash需求将逐步复苏,价格下跌情况也将随着供需平衡改善而放缓。
铠侠表示,当前严峻情况虽持续,不过NAND Flash市场中长期呈现成长趋势的市场观点目前未发生太大变化。
尽管当前NAND Flash市况相对艰难,但大厂依旧看好NAND Flash市场前景,并持续布局闪存堆叠技术,以图未来。
目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关,存储厂商正持续发力更高层数。8月9日SK海力士便在2023闪存峰会(Flash Memory Summit 2023)上,首次展示了全球首款321层NAND闪存样品,效率比上一代238层512Gb提高了59%。SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存,并计划于2025年上半期开始量产。
除此之外,美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品;铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280层),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层),2030年前实现1000层NAND Flash。
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