nand供电多少手机进水不开机，iPhone常见故障，换元件后无效，原来问题出在这-快讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand供电多少手机进水不开机，iPhone常见故障，换元件后无效，原来问题出在这

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

手机进水不开机，iPhone常见故障，换元件后无效，原来问题出在这

现在手机已成为我们生活中必不可少的一部分，但随之而来的，手机维修的故障率也越来越高。今天就接到客户送来一台6S，说的是手机开不了机。

拆机取出主板，上电触发定电流374mA，初步判断LDO供电短路。

断电后对主电源输出的所有供电测对地值，发现硬盘PP3V0_NAND供电对地值为2，供电短路。

观察硬盘周围电容没有明显腐蚀现象，在关联的电容上熏松香，加电烧机发现硬盘非常热，而电容上的松香没有熔化，怀疑硬盘可能有故障。把硬盘取下再次测量3V供电，发现还是短路。3V供电直接加在焊盘上，烧机发现硬盘右下角电容C1515短路。

拆掉后3V供电正常，联机DFU，刷机能进恢复模式。

装回硬盘刷机正常通过，但发现一个问题，机器上电触发后电流直接从0跳变到230mA左右，而且待机灭屏状态下电流有220mA，明显存在漏电。

在使用过程中机器会出现耗电快电池不经用的现象，通常情况下这种问题出在3V供电线路上，于是再次把关联的线路查找了一遍：USB、指南针、感光、感距等，各条线路的对地值都正常，没有发现问题。

显微镜下观察主板，发现主摄像头2.85V供电芯片旁边的电容有腐蚀，测量供电对地值为0，当时觉得很奇怪为什么这路供电短路不会引起接电大电流呢？一定是线路的电感有问题。

经测量发现线路上的保险电感FL3202虚焊了，一端有值另一端为0，重新加焊电感，拆掉腐蚀的电容，线路值正常。

测量3V供电都正常，再仔细观察主板发现进水贴发红，但没有观察到明显进水腐蚀痕迹，这种情况下最大的可能性出在USB管理芯片上，拆掉USB芯片后发现焊盘有进水腐蚀，而且还波及到上方的音频芯片，于是将2个芯片一起进行更换。

更换完后装屏开机，电流跳变正常，灭屏待机电流仅有8mA。

开机直接进系统，手机完美复活。

本案例由迅维网会员（leeyuheng）提供，未经允许不得转载！

我们知道，传统的DDR DIMM内存是易失性的，也就是必须维持通电才能保持数据，一旦断电就都没了。

Intel创造了Optane傲腾持久内存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但仅用于数据中心，和普通用户无关。

现在，JEDEC固态技术标准协会发布了DDR4 NVDIMM-P非易失内存标准规范，序列编号JESD304-4.01，也可以在断电后不丢失数据，而且完全兼容DDR4内存标准。

根据规范，这种新内存兼容普通的DIMM内存标准、固件，可以最大程度减少对于现有设备、平台的更改，同时为新内存提供了低延迟接口，提高了易用性，未来也会兼容支持DDR5。

NVDIMM-P的新功能：

－持久性：操作系统能够低延迟、高带宽访问非易失内存。

－虚拟化的内存：在DDR通道启用尽可能多的内存容量。

－大容量：支持扩展的内存寻址功能。

－支持即插即用：在电脑开机时可以直接插入标准的双列内存插槽，并立刻与同一总线上的DDR内存交互操作。

NVDIMM-P的主要特征：

－与现有DDR通道完全兼容，包括物理接口、电气性能、协议、时钟。

－保证为下一代CPU插槽增加的针脚尽可能少。

－协议支持数据读取时的不确定延迟。

－确保数据在非易失内存中的事务性操作。

－从NAND到DRAM多种延迟模式的支持(在模块级别)。

－内存本身具备高可靠性、链路错误保护功能。

事实上，NVDIMM是一个系列标准，除了这里说的NVDIMM-P，还有NVDIMM-F、NVDIMM-N、NVDIMM-H。

NVDIMM-F本质上就是DDR接口的SSD固态盘，只使用NAND闪存，优点是延迟低(纳秒级别)、带宽高(DDR4可超过200GT/s)，不怕断电，也不需要外接供电，但性能和DRAM仍然远不是一个级别。

NVDIMM-N混合使用DRAM、DRAM，在内存条上集成NAND闪存，外接电源供电，断电时将数据转移保存到NAND闪存中，重新来电后恢复到DRAM，但闪存只是个备份，正常工作时闲置无法使用。

有消息称，紫光集团旗下西安紫光国芯也成功研发出了一看基于DDR4的NVDIMM-N。

NVDIMM-P则是以上二者的结合，三星主导DDR4版本，美光主导DDR5版本。

NVDIMM-H正在研发，美国Netlist公司主导，类似NVDIMM-N，也是DRAM、NAND混合体，但硬件结构差异较大。