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nand如何纠错 NAND闪存这些年：QLC也没那么脆弱

发布时间 : 2024-10-08

作者 : 小编

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NAND闪存这些年：QLC也没那么脆弱

NAND Flash是目前最常见的存储芯片，当其存储密度不断提升的同时，成本也会变得越来越敏感，因为Flash闪存的成本取决于其芯片面积，所以如果可以在同一区域存储更多数据，Flash将更具成本效益。

我们都知道固态硬盘采用闪存颗粒NAND Flash作为存储介质，所以它是固态硬盘中最重要的构成部分，其好坏也就决定着固态硬盘质量的好坏，而我们目前常见的NAND闪存主要有四种类型：Single Level Cell（SLC），Multi Level Cell（MLC）和Triple Level Cell（TLC），还有一种尚未大规模普及的QLC。

860 QVO

现在我们来认识下SLC、MLC、TLC、QLC

不难理解，MLC Flash是可以在与SLC相同的区域中存储更多的数据，同上，TLC则是在相同的区域内能比MLC存储更多的数据，而QLC则是比TLC能存储更多的数据。

区别

在SLC闪存中，每个存储单元仅存储一位信息，这使得读取单元格更快捷，因为磨损的影响小这也增加了单元的耐久性，进而增加了寿命，但其单元成本较高；MLC闪存每个存储器单元存储两位信息，读取速度和寿命都低于SLC，但价格也便宜2到4倍；MLC闪存的低可靠性和耐用性使它们不适合企业应用，创建了一种优化级别的MLC闪存，具有更高的可靠性和耐用性，称为eMLC；TLC Flash每个存储器单元存储3位信息，优势在于成本与SLC或MLC闪存相比要低得多，较适合于消费类应用，而到QLC Flash则是每个存储器单元能够存储4位信息以存储更多的信息，寿命也会相应低于TLC。

3D NAND助力QLC普及

说到这里就不得不提3D NAND，它的原理就是通过在同一晶片上垂直堆叠多层存储器单元，所以能够实现更大的存储密度。

第一批3D Flash产品有24层。随着该技术的进步，已经制造出32,48,64甚至96层3D闪存。3D闪存的优势在于同一区域中的存储单元数量明显更多。这也使制造商能够使用更大的制程工艺节点来制造更可靠的闪存。

3D NAND

一般来说，厂家为了更大的存储容量会使用更先进的制程工艺提升单位面积的存储容量，但由于闪存独特的电子特性，制程工艺越先进，寿命也就会越短，所以TLC在发展过程中会遇到寿命问题，但由于3D NAND是利用了垂直空间，提升容量。所以厂商没有必要使用更先进的制程工艺，转而使用更为老旧的制程工艺保证TLC的寿命，然后通过3D NAND增加容量。

在主要的NAND厂商中，三星是最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了五代V-NAND技术，堆栈层数从之前的64层提高到了90层以上，TLC类型的3D NAND核心容量更大，目前最新的技术在自家的860及970系列SSD上都有使用。

860 QVO

QLC能够迅速落地，有如此成就离不开3D NAND技术的发展，正是如此，借助3D NAND技术，QLC才能够实现1000PE的寿命，目前能够推出QLC的厂商，也都是通过3D NAND实现的。大家对QLC的最大焦虑就是寿命，真正了解QLC以后，自然会消除焦虑，目前已经有多家厂商对外表示自家3D QLC闪存的可擦写寿命为1000PE。

三星第五代V- NAND技术已经足够成熟，再配合以QLC闪存这也就使得固态硬盘在容量上轻松步入TB时代，三星作为全球领先的闪存厂商，去年首发采用QLC闪存的SATA SSD,860QVO就已经能够实现单颗1TB的闪存颗粒，目前发售的版本最高甚至可以达到4TB，这也意味着SSD进入TB级时代。

QLC+3D NAND带来更多可能

NAND闪存已经进入3D NAND时代了，在2D NAND闪存时代，厂商为了追求NAND容量的提升，需要不断提升NAND制程工艺，但在3D NAND时代，提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了，而是靠堆栈的层数，所以工艺变得不重要了，比如三星最初的3D NAND闪存使用的还是40nm工艺，可靠性要比20nm、10nm级工艺高得多。

由于TLC问世于2D NAND闪存时代，所以遭遇了诸多寿命、性能上的考验，最初发布的TLC闪存P/E寿命只有100-150次，但是随着NAND技术的进步、纠错技术的改良，P/E寿命不断提升，从TLC闪存的进阶之路我们便不难看出这个道理，所以这个发展之路对于QLC闪存同样适用。

任何新技术的普及都不是一帆风顺的，所以大家对QLC闪存的寿命担心也很正常，从内部结构来看，确实QLC闪存的寿命要低于TLC，但现在3D NAND时代的QLC闪存在可靠性上跟2D NAND时代的TLC、QLC完全不同，P/E寿命不是问题，目前主流的QLC闪存P/E已经能够达到将近1000，并不比TLC闪存差多少。

连续读写

三星作为全球主要的闪存厂商，新技术一直领先于市场，我们目前已经能够看到消费级的QLC闪存硬盘860QVO，而且三星为其提供了3年时间的质保或者1440TBW的总写入，且连续读写测试能达到跟TLC同级的水平，大约写入100GB时速度下降为100MB/s，但这依旧要远远高于机械硬盘的速度。

QLC闪存现在能够问世从根本上来说是市场需要，我们都知道内存的速度要比SSD快，但是SSD又要比机械盘快，性能虽然逐渐降低，但是换来的是更大的容量，所以随着技术发展势必会有TB级起步的超大容量SSD来取代机械硬盘的位置，而历史将这个任务交给了QLC闪存。

QLC闪存时代已经来临

由于内部架构原因，QLC闪存读写速度要低于TLC闪存，但是要远远高于机械硬盘，并且拥有同等TB级的容量，随着5G逐渐进入商用，我们个人的存储需求势必进一步加大，有不少科研机构预计了我们未来的硬盘使用场景，未来更可能是以500GB左右的TLC或者MLC闪存盘来做系统主盘，用2T或者更大的QLC闪存盘当做仓库盘这样便能完美的发挥各自优点，避开不足。

可以说QLC闪存的时代已经来了，三星QLC闪存已经开始出货，我们在电商平台已经可以看见三星的860QVO在出售，最高容量可以支持4TB，很明显QLC闪存最大的优势是能够实现更大的容量，无论是消费级还是企业级，而这靠TLC是无法实现的。

与机械盘相比，无论是连续读写、随机读写亦或是功耗和噪音它都是完全胜出，所以取代机械硬盘应该只是时间问题了。

完

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入门级SSD如何选？高端TLC or 低端MLC？

作者：黑山老妖LYN

为了争夺入门级SSD的市场份额，从2015年开始很多厂家都先后推出了采用TLC NAND颗粒的SSD产品，价格也不断的创出新低。一直没有推出TLC SSD的intel和浦科特两家一线厂家也都在近期高调发布TLC SSD新品。之前炒得很热门的浦科特第一款TLC SSD产品M7V现在已经正式上市，M7V按照接口的不同又细分为两个型号：SATA接口的为M7VC，M.2接口的为M7VG。零售价格是：SATA接口M7VC中128G定价279元，256G定价459元，512G定价869元。M.2接口的M7VG中128G定价369元，256G定价569元，512G定价1239元。这个定价已经与很多低端MLC SSD持平，那么廉价的入门级SSD应该怎么选？是买高端TLC SSD，还是买低端MLC SSD呢？这次就通过M7V的实测来帮大家分析一下。

浦科特 M7VG 128G M.2 2280固态硬盘

浦科特M7VG 256G介绍

先来看看这次的主角：M.2接口的浦科特M7VG 256G。M7V M.2接口与SATA接口一样都是采用新一代的Marvell 88SS1074主控+东芝原厂15nm eTLC NAND颗粒。

M.2接口的浦科特M7V，在包装上要比SATA接口版本的包装Q很多，透明塑料的包装外壳，包装盒正面按照老惯例标明了具体型号和各个不同容量版本SSD的最大读写速度，M.2接口的具体型号为M7VG，而SATA接口的具体型号为M7VC。M.2版本的外包装上没有和SATA版本那样详细的注明缓存、电压、电流、MTBF等参数，同样也未注明是采用TLC NAND颗粒。

M.2版本的SSD在外观上就肯定没有SATA版本那么花哨了，没有彩色的外壳，只有裸露的PCB加上各种芯片。不过浦科特M7V上贴了很多标签，如果要看清楚各种芯片，就需要把标签撕下来，我个人的做法是用吹风筒的热风轻轻吹一下，就可以揭开各种标签，注意不要整个撕下来，轻轻卷到一边就好，等下用热风再吹一下，就可以卷回去，不影响保修。M.2接口的M7V是2280的规格，绿色PCB的正面是一个主控芯片+一个缓存颗粒+两个NAND颗粒。PCB的背面则是空白一片。

M.2接口也称为NGFF接口，基于PCIE M.2协议。与SATA接口不同，M.2占用的是PCIE通道，因此它可以获得更充裕的带宽和更快的传输速度。目前SATA3接口的理论传输速率最高只有6Gb/s，大概相当于600MB/s的传输速度。面对飞速提升的固态硬盘读写速度，SATA3接口已经成为高速公路上的瓶颈。而M.2接口的理论传输速率可以达到10Gb/s，相当于1G/s的传输速度，部分走PCIE 3.0总线的Ultra M.2甚至号称达到32Gb/s。M.2接口的设计非常灵活，可以通过金手指部分的两个缺口来定义接口模式。小的缺口是B key，单独使用B key时为“Socket2”，此时仅运行在PCI-E 2X传输模式下，速度较低但可以提高对SATA3的兼容性。大的缺口为M key，当B key和M key同时使用时为“Socket3”，此时运行在PCI-E 4X传输模式下，真正发挥M.2接口的速度优势。主板上的M.2接口上一般都有“Socket2”或者“Socket3”的标识。

M.2接口的M7V使用的主控芯片与SATA版本一样，都是Marvell的第五代SATA主控88SS1074B1，这是一款针对15nm NAND Flash推出的四通道主控，最高只能支持512G容量。其特点如下：

支持SATA 6Gb/s接口标准；

采用先进的28nm CMOS制造工艺；

可以支持15nm制程的TLC/MLC/SLC和3D堆栈闪存；

支持DEVSLP休眠模式以实现低功耗；

以400MT/s的速率支持ONFI 3/Toggle 2接口标准；

支持256位AES加密技术。另外还支持Marvell的第三代NANDEdge纠错技术和LDPC低密度奇偶校验技术。

从浦科特官方的宣传资料来看，M.2接口的M7V和SATA版本一样，支持 PlexTurbo 、PlexCompressor、PlexVault 三个浦科特自家的SSD 应用软件。在使用寿命方面，官方说法是最高支持2000PE。与之前浦科特采用MLC NAND的SSD有所不同的是，M7V新增了PlexNitro效能优化缓冲技术，我们知道，之前浦科特采用MLC NAND的SSD都没有采用SLC Cache技术来提高使用体验。而M7V是TLC SSD，所以现在同样也需要使用SLC Cache技术。浦科特官方的资料中也说明了PlexNitro是以“SLC Mode”优化效能表现，并且标明了各个容量版本的SLC Cache空间大小。

128G版本的Cache空间为1.5GB，256G版本的Cache空间为3GB，512G版本（官方图片资料中错标为521GB）的Cache空间为6GB。

缓存由单个南亚的缓存颗粒组成，编号分别为NT5CC256M16DP-DI，为DDR3L 1600颗粒，CL=11，容量为512MB。

NAND颗粒编号TH58TFT0UHLBAEF，从编号上来看，是BGA封装的东芝原厂Toggle NAND，15nm制程，属于企业级的eTLC，单颗容量为128GB，一共两颗组成256G。

一个SSD的性能主要由主控芯片、缓存、NAND颗粒三者共同决定，其中最关键的是主控和NAND。主控除了决定性能外，还确定了SSD在纠错、垃圾回收、压缩算法等方面的特点。NAND除了决定性能外，还关系到SSD的使用寿命等问题。目前最常见的NAND有SLC、MLC、TLC三种。SLC速度快、寿命长，具有约10万次擦写寿命，但是价格昂贵，目前只有少数高端企业级产品在使用；MLC的速度与寿命都逊于SLC，大概5000次擦写寿命，但是因为价格适中，目前被主流SSD广泛使用；TLC速度比MLC更慢、寿命更短，约500—1000次擦写寿命，但是价格更加便宜，目前一般被低端SSD所使用。

为了提高MLC的寿命，很多厂家在生产MLC时会对晶圆进行筛选，选出部分优质的晶圆作为企业级的eMLC颗粒。厂家还通过调整eMLC的内部参数来达到增加P/E的目的，现在eMLC的PE甚至可以达到10000次。目前TLC SSD普及的有利因素是价格，不利因素则是使用寿命问题。很多NAND厂家就通过筛选TLC晶圆来生产eTLC颗粒，即企业级的TLC颗粒，目前东芝eTLC NAND已经号称能够达到2000 PE的水平，虽然达不到MLC的3000-5000 PE，但是比普通的TLC提升了一倍。

浦科特M7VG性能实测

下面就来实测M.2接口的浦科特M7V的实际性能究竟怎么样。

测试平台用我新入手的ROG Maximus VIII Formula主板，搭配我托人从TW带回来的特挑威刚XPG Z1 DDR4 3200。M8F主板主打RBG信仰灯，颜值秒杀仲基老公。威刚XPG Z1 DDR4 3200虽然不是灯条，但是默认小参非常喜人，XMP直接上DDR4 3200 16-16-16-36，电压1.35V，海力士SKhynix H5AN4G8NMFR-TFC颗粒，金黄色马甲。默认电压模式时序轻松上DDR4 3466。

一、理论性能测试

首先测SSD的常规五项：AS SSD Benchmark、CrystalDisk Mark、ATTO Disk Benchmark、Anvil’s Storage Utilities、TxBENCH。这五款软件都能够测试SSD的最大持续读写速度，AS SSD Benchmark可以测得SSD在队列深度QD64下的随机4K读写速度，CrystalDisk Mark和TxBENCH可以测得SSD在队列深度QD32下的随机4K读写速度，Anvil’s Storage UtilitiesSSD可以测得队列深度QD4、QD16下的随机4K读写速度。ATTO Disk Benchmark则主要是测SSD的最高持续读写速度。

在AS SSD Benchmark测试中，浦科特M7VG的得分达到了1136分，Anvil’s Storage Utilities的得分为4552.60，这两个分数都与SATA接口的M7VC 512G非常接近，已经超过了大多数的中端MLC SSD，是目前为止我见过的跑分最高的TLC SSD。CrystalDisk Mark测得的持续写入速度达到了535 MB/s。在各个队列深度下的随机4K读写性能也都非常不错。目前TLC SSD最大的短板就是持续写入速度和深队列下的随机4K写入性能。而M7VG的理论性能测试成绩比之前已经算很强的OCZ Trion150系列还要好，这主要是得益于Marvell 88SS1074主控和更先进的SLC Cache机制。

测试成绩汇总对比与结果分析：

在上面几个软件的理论性能测试中，浦科特M7VG 256G的表现基本和SATA接口的M7VC 512G持平，可见基于SATA主控的SSD产品，不管是采用M.2接口还是SATA接口，其性能本质依然是SATA级别的，并不会因为采用了M.2接口就有量的提高。在与其他二十几款SSD的横向对比中，M7V依靠SLC Cache的爆发力，在SSD的常规五项测试中甚至超越了很多MLC SSD，很多测试成绩居然和浦科特3月新发布的M6S+非常接近。而且还有一点就是单队列的随机4K写入性能偏弱，很多测试中速度只有100MB/s左右，这个可能与主板M.2接口走PCH的延时较高有关系。整体来说，M7V的理论测试成绩已经是非常的不错，不仅完胜其他几款TLC SSD，甚至能够跻身中端MLC SSD的性能水平。不过这仅仅是理论性能测试，后面还有实际应用的测试。

接着进行满盘的性能衰减测试，按照惯例使用软件对M7V进行反复的大量数据写入，写满、删除、再写满、再删除。当M7V被反复填满数据后，再删除2GB数据以提供空间给运行CrystalDisk Mark使用。M7V即使在几乎100%空间被占用的情况下，依然能够保持接近空盘时的性能，这个应该得益于更加先进的SLC Cache机制和浦科特的True Speed技术。

二、M7VG的SLC Cache机制对比

由于TLC NAND的写入性能要低于MLC NAND，所以目前几乎所有的TLC SSD都采用了SLC Cache技术来提高测试成绩、改善用户使用体验。SLC Cache技术的原理其实很简单，就是把部分空间模拟SLC颗粒来运作，各个厂家的具体操作方式又各不相同，用于SLC Cache的空间大小设置也不同。

前面已经提到过，浦科特M7V系列中128G版本的SLC Cache空间为1.5GB，256G版本的SLC Cache空间为3GB，512G版本的SLC Cache空间为6GB。下面来对比一下M7V的SLC Cache机制。对比参照物选择的是240G的OCZ Trion150，因为Trion150同样非常强悍，而且SLC Cache空间大小的设置与M7V比较接近。OCZ Trion150采用群联S10主控+东芝原厂15nm制程的 TLC NAND颗粒，240G版本的SLC Cache空间大小约为4.5G。同样用于对比的还有SATA接口的M7V 512G（SLC Cache空间大小约为6G）。

下图是三个盘在测试数据模块分别设置为1GB、2GB、4GB、8GB、16GB时的CrystalDisk Mark测试图，左边为浦科特M7VC 512G（SATA），中间为M7VG 256G（M.2），右边为OCZ Trion150 240G。

在我以前测试过的TLC SSD中，当持续写入的数据模块大于SLC Cache空间大小时，持续写入性能就会出现断层式的下降，下降到TLC NAND的真实写入性能水平。而且此时主控会忙于尽快清理出更多的SLC Cache空间来供给测试使用，主控和缓存资源都被极大的占用，因此会影响到SSD的整体性能，尤其是深队列下的4K随机读写成绩。

当测试数据模块的大小设置为4GB时，虽然未达到OCZ Trion150的4.5GB SLC Cache空间的容量，但是Trion150的QD32持续写入速度和QD32随机4K读写速度已经出现了大幅度的下降。把测试数据模块的大小增加到8GB和16GB之后，Trion150的但单队列持续写入也同样出现了大幅度下降。再来看看M7V的表现，当测试数据模块的大小设置为4GB时，测试数据小于M7VC 512G的6GB SLC Cache，而大于M7VG 256G的3GB SLC Cache，因此M7VG 256G的主控开始要对SLC Cache空间进行清理，因此QD32的随机4K写入性能稍微出现了下降。而M7VC 512G的性能则变化不大。把测试数据模块的大小增加到8GB之后，测试数据模块已经都大于两款M7V的SLC Cache空间大小，但是两款M7V的性能下降幅度也并不大，尤其是M7VC 512G，性能下降非常微弱。而M7VG 256G的单队列持续读写和单队列随机4K读取性能下降的幅度就比M7VC 512G要大，此时SLC Cache空间大小的差距就体现了出来。当测试数据模块的大小设置为16GB时，M7VG 256G在性能上的下降幅度就比M7VC 512G要更明显一些。

通过以上的数据对比，基本上可以得出两个结论，第一是浦科特M7V所采用的Marvell 88SS1074主控在处理SLC Cache空间溢出时效率更高，在SLC Cache空间稍微不够用的情况下，主控通过及时的数据整理能够在很大程度上消除SLC Cache空间数据溢出对性能的影响。而当测试数据模块明显大于SLC Cache空间大小时（例如测试数据模块为16GB时）。Marvell 88SS1074主控表现出了很强的“救火”能力，虽然各项读写速度均有小幅度的下降，但是在QD32队列下的4K随机读写性能下降幅度明显要小于采用群联S10主控的OCZ Trion150。这个特点正好针对以往TLC SSD在遇到SLC Cache空间爆仓时出现深队列下随机4K读写性能暴降的缺点做了积极的弥补。第二则是针对浦科特M7V同系列的SSD，容量越大其SLC Cache空间越大，在应付SLC Cache空间爆仓时的救火能力也就越强，因此如果预算允许的话，还是应该尽量购买更大容量的M7V。

三、模拟实际使用环境性能测试

PCMARK8是目前最接近实际使用环境的模拟测试软件，其中存储设备测试部分有游戏、办公、图形处理等几个项目，其测试成绩比前面常规五项的几个软件都更能真实的反映出SSD的实战性能。更确切的说，是在家用、游戏以及普通办公情况下的SSD实际性能。在反复满盘写入、删除后进行PCMARK8测试就更能够反映出一个SSD在长时间使用后的实际性能表现。浦科特M7V 256G M.2的总分为4921。这个得分明显比前面的常规五项更能体现M7V在二十几款SSD中的性能定位。

PCMARK8的测试数据量十分巨大，达到了几十G，远远超过了M7V的SLC Cache空间，其测试强度绝非前面几款软件可以相提并论的。很多在常规五项中表现出色的TLC SSD，一跑PCMARK8就被打回原形。M7V在PCMARK8中的表现也没有在前面的常规五项中那么凶猛，但依然是最强的TLC SSD。在和中低端MLC SSD的对比中，虽然小幅度落后于中端的MLC，但同样可以小幅度领先于低端MLC SSD。对比闪迪加强版这种使用超低端SMI 2246XT主控的廉价MLC SSD，除了在PhotoShop重载测试中稍微落后之外，其他测试项目全部完胜。

从测试结果中可以看出，依靠Marvell全新的88SS1074主控+东芝原厂15nm eTLC NAND颗粒，TLC SSD在性能上已经获得了不小的提高，更先进的SLC Cache机制使得TLC SSD在性能上干掉低端MLC SSD成为现实。

四、实际使用测试

这部分测试主要从平时的实际应用中来测试浦科特M7V的性能表现。Windows系统的启动时间和游戏的加载时间上，M7V已经和很多中端MLC SSD持平。Photoshop的加载测试中，M7V落后于中端MLC SSD的幅度很小，而且依旧领先于TLC SSD和低端MLC SSD。

五、配套软件

一个硬件的做工用料好，是物质基础，而如果要用得舒心，那么配套软件也很重要，这就是所谓的软件附加值。软件是用户和硬件之间交互的桥梁。比如我测试平台中的华硕M8F主板，之所以敢卖那么贵，除了主板本身的品质之外，配套的软件也有很高的附加值，非常方便的就可以在系统里使用超频软件对CPU频率、内存频率和时序、风扇转速、各部分电压等各个超频参数进行调整。

现在很多知名品牌的SSD都附带有很好的配套软件。M7V和浦科特的高端产品一样，都能够支持PlexTurbo、PlexCompressor、PlexVault 这三款浦科特自家的SSD 应用软件。浦科特SSD通用的Plextool软件就不用多介绍了，能够监测SSD信息、读取SMART数据、进行Trim优化、SecretErase、固件升级等操作。

PlexTurbo之前只针对浦科特的高端SSD开放，现在M7V也同样能够使用。PlexTurbo以系统内存作为SSD的缓存，从而实现系统加速及减少NAND写入量的目的。PlexTurbo软件可以自由设定用于SSD缓存的系统内存大小和内存数据写入SSD的间隔时间。当交换的数据量小于内存缓存的时候，读写操作其实都是在内存内部进行，只有达到预定的释放时间后数据才会被真正写入SSD中。因此测得的SSD性能非常强劲（其实测的是内存），而且这样能够减少NAND的写入量，延长SSD的寿命。这个功能对于系统内存在16GB以上的用户比较实用，而且用在TLC SSD上我觉得比MLC SSD更有意义。

PlexCompressor是一套智能压缩软件，可以通过压缩文件来变相增加SSD存储空间。这个功能我本人基本用不到，因为我的SSD无论从数量和容量上都绝对够用。PlexVault则是一个加密软件，与之前的很多U盘加密软件原理一样，在SSD上划出一部分空间作为隐藏分区，平时这个分区在电脑里不会显示出来，等到需要访问的时候就按下快捷键，在弹出的对话框中输入正确的密码之后，“我的电脑”里就会出现隐藏分区的盘符。不过有两点需要注意，第一是一定要用浦科特的SSD作为系统盘才能够启用这个功能，第二是容量有限制。

总结

一、关于性能

因为Marvell 88SS1074是SATA主控，所以无论M7V是采用M.2接口还是采用SATA接口，其性能都是SATA级别的，只是接口不同而已。SATA接口的M7V具体型号为M7VC，M.2接口的M7V具体型号为M7VG。在性能上，M7VC=M7VG。现在相同容量的M7VG比M7VC稍微贵一点，但是在性能上是没有差别的，唯一的优势就是可以直接安装在主板上，省去走线的麻烦，所以大家应该根据自己的具体需要来购买。

从前面的各项测试中可以看出，浦科特M7V可以称得上是目前为止最强的TLC SSD。整体性能小幅度落后于中端的MLC，但是对比低端MLC SSD和其他TLC SSD有一定的领先优势。依靠Marvell全新的88SS1074主控+东芝原厂15nm eTLC NAND颗粒，TLC SSD在性能上已经获得了不小的提高，更先进的SLC Cache机制使得TLC SSD在性能上干掉低端MLC SSD成为现实。在PCMARK8的存储子项目测试中，对比闪迪加强版这种使用超低端SMI 2246XT主控的廉价MLC SSD，浦科特M7V除了在PhotoShop重载测试中稍微落后之外，其他测试项目全部完胜。这一点也说明TLC SSD的用户群应该是普通的家庭用户，在家用、游戏和小型办公的使用中，M7V已经接近甚至不逊于中端的MLC SSD。不过M7V依然无法完全摆脱TLC SSD在高负载下性能较弱的缺点。

二、廉价SSD如何选？

现在像浦科特M7V这样的高端TLC SSD定价其实与低端MLC SSD是基本持平的。那么预算相对较少的用户，应该如何在两者间进行选择？从性能特点上来看，浦科特M7V依靠Marvell 88SS1074主控+更先进的SLC Cache机制在性能上比以往的TLC SSD提升了一个档次，在家用情况下干掉低端MLC SSD已经不是问题。但是使用寿命这个问题依然是TLC SSD最大的硬伤。即使采用了企业级的eTLC NAND，但是PE数也只能提升到2000，比起MLC NAND的3000-5000 PE仍有不小的差距。所以，用户在高端TLC SSD与低端MLC SSD之间的选择，其实就是性能与理论寿命之间的选择。高端TLC SSD性能＞低端MLC SSD，高端TLC SSD理论寿命＜低端MLC SSD。而现在的低端MLC SSD，为了缩减成本以降低价格，很多都是采用超低端主控+正片NAND（例如某迪加强版），或者低端主控+白片NAND。如果要我选择的话，我自己会选择高端TLC SSD，因为性能的优势是现在马上可以感受到的，而寿命问题，其实还是一个未知数，eTLC NAND在理论上的寿命短于MLC NAND，而在实际使用中需要多少年才能用完2000的PE数？到时又有什么黑科技产品出来替代SSD都还不知道。所以我的建议是，预算充裕的话，绝对是考虑中高端名牌MLC SSD，而在预算比较有限的情况下，考虑大厂高端eTLC SSD比考虑低端MLC SSD要更实际一些。