NAND Flash与NOR Flash究竟有何不同｜半导体行业观察

来源：内容由 微信公众号 半导体行业观察 （ID：icbank） 翻译自「embedded」，作者 Avinash Aravindan，谢谢。

嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑许多因素：使用哪种类型的Flash架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要校验码（ECC）等。如果处理器或控制器仅支持一种类型的接口，则会限制选项，因此可以轻松选择内存。但是，情况往往并非如此。例如，一些FPGA支持串行NOR闪存、并行NOR闪存和NAND闪存来存储配置数据，同样，它们也可以用来存储用户数据，这使得选择正确的存储器件更加困难。本文将讨论闪存的不同方面，重点放在NOR闪存和NAND闪存的差异方面。

存储架构

闪存将信息存储在由浮栅晶体管制成的存储单元中。这些技术的名称解释了存储器单元的组织方式。在NOR闪存中，每个存储器单元的一端连接到源极线，另一端直接连接到类似于NOR门的位线。在NAND闪存中，几个存储器单元（通常是8个单元）串联连接，类似于NAND门（参见图1）。

NOR Flash（左）具有类似NOR门的架构。NAND Flash（右）类似于NAN

NOR Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势，这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100％已知的零件寿命。缺点包括较大的单元尺寸导致每比特的较高成本和较慢的写入和擦除速度。

相比之下，与NOR闪存相比，NAND闪存具有更小的单元尺寸和更高的写入和擦除速度。缺点包括较慢的读取速度和I / O映射类型或间接接口，这更复杂并且不允许随机访问。值得注意的是，NAND Flash中的代码执行是通过将内容映射到RAM来实现的，这与直接从NOR Flash执行代码不同。另一个主要缺点是存在坏块。NAND闪存通常在部件的整个生命周期内出现额外的位故障时具有98％的良好位，因此，器件内需要ECC功能。

存储容量

与NOR闪存相比，NAND闪存的密度要高得多，主要是因为其每比特成本较低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND Flash具有更高的密度，因此主要用于数据存储应用。

擦除/读写

在NOR和NAND闪存中，存储器被组织成擦除块。该架构有助于在保持性能的同时保持较低的成本，例如，较小的块尺寸可以实现更快的擦除周期。然而，较小块的缺点是芯片面积和存储器成本增加。由于每比特成本较低，与NOR闪存相比，NAND闪存可以更经济高效地支持更小的擦除块。目前，NAND闪存的典型块大小为8KB至32KB，NOR Flash为64KB至256KB。

NAND闪存中的擦除操作非常简单，而在NOR闪存中，每个字节在擦除之前都需要写入“0”。这使得NOR闪存的擦除操作比NAND闪存慢得多。例如，NAND闪存S34ML04G2需要3.5ms才能擦除128KB块，而NOR闪存S70GL02GT则需要约520ms来擦除类似的128KB扇区。这相差近150倍。

如前所述，NOR闪存具有足够的地址和数据线来映射整个存储区域，类似于SRAM的工作方式。例如，具有16位数据总线的2Gbit（256MB）NOR闪存将具有27条地址线，可以对任何存储器位置进行随机读取访问。在NAND闪存中，使用多路复用地址和数据总线访问存储器。典型的NAND闪存使用8位或16位多路复用地址/数据总线以及其他信号，如芯片使能，写使能，读使能，地址锁存使能，命令锁存使能和就绪/忙碌。NAND Flash需要提供命令（读，写或擦除），然后是地址和数据。这些额外的操作使NAND闪存的随机读取速度慢得多。例如，NAND闪存S34ML04G2需要30μS，而NOR闪存S70GL02GT需要120nS。因此，NOR比NAND快250倍。

为了克服或减少较慢读取速度的限制，通常以NAND闪存中的页方式读取数据，每个页是擦除块的较小子部分。仅在每个读取周期开始时使用地址和命令周期顺序读取一页的内容。NAND闪存的顺序访问持续时间通常低于NOR闪存设备中的随机访问持续时间。利用NOR Flash的随机访问架构，需要在每个读取周期切换地址线，从而累积随机访问以进行顺序读取。随着要读取的数据块的大小增加，NOR闪存中的累积延迟变得大于NAND闪存。因此，NAND Flash顺序读取可以更快。但是，由于NAND Flash的初始读取访问持续时间要长得多，两者的性能差异只有在传输大数据块时才是明显的，通常大小要超过1 KB。

在两种Flash技术中，只有在块为空时才能将数据写入块。NOR Flash的慢速擦除操作使写操作更慢。在NAND Flash中，类似于读取，数据通常以页形式编写或编程（通常为2KB）。例如，单独使用NAND闪存S34ML04G2 写入页面需要300μS。

为了加快写入操作，现代NOR Flashes还采用类似于页面写入的缓冲区编程。例如，前文所述的NOR闪存S70GL02GT，支持缓冲器编程，这使其能够实现与单词相似写入超时多字节编程。例如，512字节数据的缓冲区编程可以实现1.14MBps的吞吐量。

能耗

NOR闪存在初始上电期间通常需要比NAND闪存更多的电流。但是，NOR Flash的待机电流远低于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率相当。因此，有效功率由存储器活动的持续时间决定。NOR Flash在随机读取方面具有优势，而NAND Flash在擦除，写入和顺序读取操作中消耗的功率相对较低。

可靠性

保存数据的可靠性是任何存储设备的重要性能指标。闪存会遭遇称为位翻转的现象，其中一些位可以被反转。这种现象在NAND闪存中比在NOR闪存中更常见。出于产量考虑，NAND闪存随附着散布的坏块，随着擦除和编程周期在NAND闪存的整个生命周期中持续，更多的存储器单元变坏。因此，坏块处理是NAND闪存的强制性功能。另一方面，NOR闪存带有零坏块，在存储器的使用寿命期间具有非常低的坏块累积。因此，当涉及存储数据的可靠性时，NOR Flash具有优于NAND Flash的优势。

可靠性的另一个方面是数据保留，这方面，NOR Flash再次占据优势，例如，NOR Flash闪存S70GL02GT提供20年的数据保留，最高可达1K编程/擦除周期，NAND闪存S34ML04G2提供10年的典型数据保留。

编程和擦除周期的数量曾是一个需要考虑的重要特性。这是因为与NOR闪存相比，NAND闪存用于提供10倍更好的编程和擦除周期。随着技术进步，这已不再适用，因为这两种存储器在这方面的性能已经很接近。例如，S70GL02GT NOR和S34ML04G2 NAND都支持100,000个编程 - 擦除周期。但是，由于NAND闪存中使用的块尺寸较小，因此每次操作都会擦除较小的区域。与NOR Flash相比，其整体寿命更长。

表1提供了本文中讨论的主要内容摘要。

NOR闪存和NAND闪存的主要特性与一般和具体比较数据的比较。

通常，NOR闪存是需要较低容量、快速随机读取访问和更高数据可靠性的应用的理想选择，例如代码执行所需。NAND闪存则非常适用于需要更高内存容量和更快写入和擦除操作的数据存储等应用。

资本和媒体过分炒作人工智能 中美芯片差距将越拉越大

虽然很多厂商的人工智能芯片还处于PPT状态，或者只是堆在仓库里积灰尘，根本就用不起来，但这并不妨碍资本对于这些企业的青睐，在资本的一轮又一轮助推下，一些噱头很大，但规模化应用范例寥寥无几的厂商估值不断推高，个别还计划上市，这种现象是不太合理的。

人工智能芯片如今的火热，只不过是把当年共享单车的烧钱历程重新复制了一遍。正如共享单车的热潮带来了巨大的资源浪费和社会管理成本。如今火热的人工智能芯片恐怕也会死掉一批。

另外，如今人工智能过热还有两个比较大的隐患。

一是会把高校教育的大方向带偏。

随着人工智能火了，现在每个大学都在成立人工智能学院，但做体系结构研究的人却越来越少。诚然，核高基对芯片体系结构领域有一定支持，但支持力度还是有限的，而且主要面向产业，而不是基础研究。现在国内大学都去做人工智能了，还保留体系结构研究的大学已经不到10所了，我们每年能培养的人才越来越少，这对于中国在芯片领域追赶美国非常不利。

前段时间，一位中国学者去普林斯顿大学访问访问后，他在朋友圈里写到："参观了David Wentzlaff教授的实验，他获得了DARPA 460万美元的资助，研制OpenPiton和OpenFPGA；也和Margaret Martonosi教授的博士后与学生交流了他们参加的Software Defined Hardware(SDH)项目，他们获得了580万美元的资助。不得不说，美国在半导体、芯片设计、体系结构上的投入力度真是前所未有"。

二是不利于中国弥补芯片方面真正的短板。

在人工智能概念火了以后，一些媒体预测：人工智能芯片将对半导体产业造成颠覆性变革，使中国芯片弯道超车打败美国芯片。

换言之，就是没必要再去开发CPU、GPU、DSP、FPGA、NAND Flash、DRAM了，只要把人工智能芯片做起来，就可以弯道超车，破除英特尔、ARM、AMD、三星、德州仪器等国外大厂垄断。

然而，这种说辞完全是白日做梦。

铁流在之前文章《中国芯片发展需要"万众用芯" 而非"万众创芯"》中写到，由于AI芯片更加受资本追捧，这会使大量民间资金涌入AI芯片行业，而CPU、GPU、FPGA等短板除国家队之外，在资本市场几乎无人问津。虽然一些媒体大肆鼓吹中国依靠人工智能弯道超车。但实际上，人工智能芯片只是加速器，用于解决特定的问题，并不能取代CPU、GPU、FPGA、DSP、NAND Flash、DRAM等类型的芯片。一些媒体宣称中国应该大力发展AI芯片，依靠人工智能打破英特尔、ARM、AMD、三星、德州仪器等巨头垄断，这种论调显然缺乏基本的行业常识。简而言之，AI芯片只是饭后的甜点，而不是信息产业的粮食。

人工智能被过分炒作，会使中国芯片方面真正的短板得不到资金投入，不利于解决缺芯困局。

对于人工智能芯片，铁流认为，在看到其进步意义的同时，不能过分拔高，过分炒作。应该脚踏实地追赶西方，而不是投机取巧做白日梦整天想着弯道超车。小心弯道超车不成，来个弯道翻车。

铁流预测，人工智能芯片未来会集成到CPU/SOC里，就像GPU集成进CPU类似。少数对性能要求比较高的场合，会插一张人工智能加速卡，类似于游戏电脑插一张独立显卡。

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