长江储存推出全新NAND构架：可提升到3Gbps
IT之家8月8日消息 根据长江储存的官方消息，长江存储科技有限责任公司今天公开发布其突破性技术——Xtacking，该技术将有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。
根据官方的说明，采用Xtacking技术，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking™技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
长江存储CEO杨士宁博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking™技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”
据悉，长江存储已成功将Xtacking™技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。
三星计划明年生产第9代V-NAND闪存：沿用双层堆栈架构，超300层
IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。
报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。
▲ 图源三星
IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈 。
而三星即将生产的超 300 层第 9 代 V-NAND 将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。
作为竞争对手，SK 海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的 3D NAND 层 ，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。
另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若 3D NAND 层数超过 400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。
在去年 10 月举行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030 年将层数提升至 1000 层 。
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