美光科技(MUUS)Q4营收8274亿美元，看好DRAM、NAND需求前景

智通财经APP获悉，周二美股盘后，美光科技(MU.US)公布了截止至2021年9约2日的2021财年第四季度和2021财年全年的业绩。

数据显示，该公司Q4营收82.74亿美元，上年同期为60.56亿美元，同比增长36.6%；净利润为27.2亿美元，上年同期为9.88亿美元，同比增长175.3%；摊薄后每股收益为2.39美元，上年同期为0.87美元，同比增长174.7%。

公司Q4营业现金流为38.8亿美元，上年同期为22.7亿美元。财报还显示，该公司在2021财年第四季度回购了约1390万股普通股，价值10.5亿美元。

全年业绩方面，美光2021财年总营收为277.05亿美元，上年为214.35亿美元，同比增长29.3%；净利润为58.61亿美元，上年为26.87亿美元，同比增长118.1%；营业现金流为124.7亿美元，上年为83.1亿美元。

展望未来，公司预计2022财年第一季度营收为74.5亿-78.5亿美元，预计摊薄后每股收益为1.9-2.1美元。

美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光第四季度的出色表现为2021财年画上了圆满的句号。在2021财年，该公司确立了DRAM和NAND技术的领导地位，推动了多个市场的创纪录收入，并预计2022年的需求前景强劲，看好未来。

财报公布后，截至发稿，美光盘后跌4.31%，报69.95美元。

本文源自智通财经网

美光推出232层3D NAND Flash

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）综合自网络，谢谢。

近日，存储芯片大厂美光（Micron）推出业界首个232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体，计划用于各种产品包括固态硬盘，2022 年底左右开始量产。

232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体采用3DTLC 架构，原始容量为1Tb（128GB）。记忆体基于美光CuA 架构，并使用NAND 字符串堆叠技术，彼此顶部建立两个3D NAND 阵列。CuA 设计的232层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体大大减少美光1Tb3D TLC NAND Flash 尺寸，有望降低生产成本订出更有竞争力的定价，或增加利润。美光并没有宣布新 232 层堆栈的 3D NAND Flash快闪存储器的 I/O 速度或平面数量，但暗示与现有 3DNAND Flash 快闪存储器设备相比，新存储器提供更高性能，对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。美光还强调 232 层堆栈 3D NAND Flash 快闪存储器比上一代产品更节省功耗，更具节能优势。该公司围绕业内领先的托管型 NAND 存储、以及数据中心 / 客户端 SSD 产品所需的技术进行了优化研发，且内外部控制器组合一直是其垂直产品集成的一个重要组成部分。

美光称，与上一代工艺节点相比，新一代 232 层 3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光长期专注于移动应用，并与下游设备制造商保持着良好的合作伙伴关系。 最后，鉴于美光计划在 2022 下半年开启 232 层 3D TLC NAND 的生产，预计各类终端产品（比如 SSD）也会在 2023 年陆续上市。

美光推行芯片远期定价协议，10名客户已签约

美光科技12日宣布为旗下芯片推行名为“远期定价协议”的新机制，希望能解决让半导体产业多年来苦恼的价格波动问题，目前已有 10 名大客户签约，协议为期至少三年，估计一年可带来超过 5 亿美元收入。美光商务长 Sumit Sadana 在旧金山举办的投资者日上宣布此消息，但强调现阶段仍是“试验”性质，并且拒绝透露可能有多少现有的长期合约客户转移到新机制。Sadana 说，长约客户以采购量而非价格为基准，但远期价格协议把规模和价格都考虑进去了。针对合约是否可能强制执行的问题，他坦言，议约两方总是对价格有不同看法。他并表示，美光不打算用降低毛利率的方式推动远期定价协议。“过程中难免有起伏，但最终带来的好处，将超越达成此协议所面临的风险。”针对营运展望，美光预估长期营收将交出偏高的个位数增幅。DRAM 和 NAND 存储器芯片在未来几年都将有强劲的成长，主要由汽车、数据中心、工业终端市场日益增加的需求带动，这将降低美光对个人计算机 (PC) 和智能手机业务的依赖。美光执行长 Sanjay Mehrotra 表示，接下来到2025 年之间，DRAM 业务的年成长率预估介于 14% 至19%，NAND 的年成长率更将超过 20%。Mehrotra 预估，整体存储器产业的规模将能在 2030 年之前达到 3300 亿美元，较 2021 年的1610 亿美元成长逾一倍。存储器芯片占芯片业比重，已经从本世纪初的 10% 上升到 30%。

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