长江存储，突传大消息！

最近两天，芯片界的大事不断！

据多家媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

这是继今年6月后，长江存储又一次对美光出手。2023年11月，长江存储就曾在美国起诉美光专利侵权，涉8项专利；2024年6月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。

今天，还有消息称，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。另一方面，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA基板。

来看报道！

长江存储突发

据媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在加州北区对美光提起诉讼（通过 Blocks&Files），指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请。据@lithos_graphein收集的专利申请列表表明，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的一般方面。

美国商务部于2022年底将长江存储列入黑名单，这大大增加了该公司从美国公司获得先进晶圆厂设备，以制造其市场领先的3D NAND设备的难度。去年，因为美国商务部禁止销售可用于制造具有超过128个活动层的3D NAND的晶圆厂工具和技术，长江存储发展的难度再度加大。

有趣的是，总部位于美国的 Patriot Memory正在准备一款高端PCIeGen5x4SSD，其读取速度高达14GB/s。而该公司的技术正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和长江存储的3D NAND内存。

芯片大事不断

最近，芯片界的大事可谓不断。

7月22日消息，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA（倒装芯片球栅阵列，FlipChip-Ball Grid Array）基板。

三星电机在新闻稿中宣称，其已向FCBGA基板领域投资了1.9万亿韩元（约99.5亿元人民币）。 三星电机与AMD联手开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，这项技术对CPU/GPU应用至关重要，可实现当今超大规模数据中心所需的高密度互联。与通用计算机基板相比，数据中心基板面积是前者10倍、层数是前者3倍，对芯片供电与可靠性的要求更高。

据IT时代消息，三星电机副总裁兼战略营销主管Kim Won-taek表示：“我们已成为HPC（高性能计算）和AI半导体解决方案全球领导者AMD的战略合作伙伴。我们将继续投资于先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为AMD等客户提供核心价值。”

AMD全球运营制造战略副总裁Scott Aylor表示：“AMD始终走在创新的前沿，以满足客户对性能和效率的需求。我们在芯片技术领域的领先地位让我们能够在CPU和数据中心GPU产品组合中提供卓越的性能、效率和灵活性。我们与三星电子等合作伙伴的持续投资，将确保我们拥有提供未来HPC和AI产品所需的先进基板技术和能力。”

三星和AMD的联手，对于全球算力需求用户来说，是一大福音，但对于GPU的最大生产商英伟达来说，可能并不是一个好消息。

而最近，英伟达也有动作。据路透社22日消息，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。英伟达今年3月发布了“Blac kwel”芯片系列，并将于今年晚些时候量产。在该系列中，B200在某些任务（如提供聊天机器人的回答）上的速度比前代产品快30倍。消息人士称，英伟达将与其中国经销商伙伴合作推出和分销这款暂定名为“B20”的芯片。

责编：王璐璐

校对：刘星莹

长江存储交付192层NAND芯片？5年时间，国产就追上三星、美光了

近日，外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3D NAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。

我们再结合前段时间的消息，那就是长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

这两则消息一结合，意味着国产存储芯片，真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。

要知道目前NAND闪存最高规格也就是UFS3.1，至于UFS4.0，三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚

而3D NAND闪存当前最高量产层数，也就是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。

而我们一旦搞定UFS3.1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了世界顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多时间，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。

到2019年，长江存储推出了64层TLC技术，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。

后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。

不仅如此，采用Xtacking技术后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准，性能甚至略胜一筹。

不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是落后一代，而层数越高，密度越大，成本就越低。

如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。

按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%，预计到再到2022年预计的7%。

可见，仅仅5年多时间，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，以后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 因为我们不仅有，一样全球领先。

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