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中国nand差距报告称中韩NAND技术差距缩短至2年

发布时间 : 2024-10-07

作者 : 小编

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报告称中韩NAND技术差距缩短至2年

IT之家 11 月 23 日消息，根据韩媒 Business Korea 报道，市场内部人士透露，随着中国大陆加大对存储器产业的支持力度，过去几年已经有了长足的进步，在 NAND 闪存方面，和三星、SK 海力士等全球领先企业的技术差距缩短到 2 年。

该业内人士指出：“虽然 DRAM 依然保持 5 年以上的技术差距，不过由于 NAND 技术壁垒较低，中国企业在大力扶持下快速追赶，不断缩小差距。中国企业的 NAND 产品虽然在市场竞争力上还存在不足，但显然加快了追赶速度”。

报道中特别提及了长江存储，该公司在 2022 年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈 3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代 3D TLC NAND 闪存芯片，名为 X3-9070。

长江存储宣布从 176 层到 232 层量产之后，遭到了外界的诸多质疑，不过该公司用了不到 1 年的时间，成功量产 X3-9070。

除了用于致态 TiPlus7100 系列 SSD，还被用在海康威视的 CC700 2TB SSD 上，这是首个进入零售市场的 200 + 层 3D NAND 闪存解决方案，领先于三星、美光、SK 海力士等厂商。

报道中还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正抓住先进封装（Efficient packaging）这个机会，进一步缩小技术差距。

在半导体业内，先进封装主要封装多个芯片，从而提高性能，被认为是克服挑战的关键。

中国大陆在半导体封装领域占有第二大市场份额，IT之家援引市场研究公司 IDC 的数据，去年长电科技、通富微电和华天科技 三家公司进入全球前 10 大半导体封装（OSAT）公司，而韩国没有一间公司出现在榜单上。

中韩NAND闪存技术差距收窄：已缩短至两年左右

近年来，存储器半导体市场的局势逐渐发生了变化，韩国两大存储器巨头三星和SK海力士正面临来自中国厂商的激烈竞争，感受到了更大的竞争压力，技术差距也在不断缩小。

据Business Korea报道，有业内人士透露，随着中国加大了对存储器半导体行业的投入，经过了多年的发展，目前与世界领先企业的NAND闪存技术差距已缩短到两年左右，不过DRAM仍保持原有的距离，技术差距大概在五年。主要原因是，NAND闪存技术的壁垒相对低一些，使得追赶的速度更快，而且还在不断加速，因此差距缩小得更为明显。

国内最大的存储器半导体企业长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC闪存芯片，名为X3-9070。长江存储也领先于三星和SK海力士，实现了更高层数的NAND闪存芯片的量产，回击了外界质疑的声音。据了解，去年一年里，来自政府与国有投资基金的投入就达到了9万亿韩元（约合人民币499.5亿元）。持续且大量的资金投入支持确实能取得效果，一方面是技术的追赶，另一方面是更快的市场渗透

此外，随着半导体电路小型化逼近极限，国内可能会抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术，高性能、多芯片的封装被视为突破半导体小型化限制的关键。中国大陆是全球第二大封装技术市场，有着较为完善的生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入了全球十大半导体封装企业的前十名，而韩国没有一间公司出现在榜单上。

报告称中韩NAND技术差距缩短至2年

中韩NAND闪存技术差距收窄：已缩短至两年左右

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