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nand内存 SK海力士将展示AI内存新品：12层HBM3E，321-high NAND等

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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SK海力士将展示AI内存新品：12层HBM3E、321-high NAND等

IT之家 8 月 1 日消息，SK 海力士今天（8 月 1 日）发布博文，宣布将出席 8 月 6 日至 8 日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会 FMS 2024，展示诸多新一代产品。

前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会（Flash Memory Summit），在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage），以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。

SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层 HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年开始出货）。IT之家附上 SK 海力士即将展示的新产品如下：

从左上开始，顺时针依次为 321 层 NAND 闪存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

从左上开始，顺时针依次为 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM

SK hynix HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将在活动开幕式上发表题为《人工智能时代的 AI 内存和存储解决方案领导力与愿景》的主题演讲。

两位高管将分别介绍公司的 DRAM 和 NAND 产品组合，以及为实现人工智能而优化的人工智能内存解决方案。

IT之家 7 月 18 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子内存部门新业务规划团队负责人 Choi Jang Seok 今日表示，三星将在今年底开始量产符合 CXL 2.0 协议的 256GB CMM-D 2.0 模块。

该内存模组将配备较为成熟的 1y nm（第二代 10+ nm 级）工艺 DRAM 内存颗粒，发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势 。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。

▲ 三星电子 CMM-D 模组

除 CMM-D 外，三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品，包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。

Choi Jang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品，其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力 。

展望未来，Choi Jang Seok 称：“当 CXL 3.1 和池化（IT之家注：可在多个主机间共享 CXL 内存资源）技术得到支持后，CXL 市场将在 2028 年左右全面开花 。”