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长江 300 nand 轻薄设备新选择,长江存储PC300商用固态硬盘
发布时间 : 2024-10-07
作者 : 小编
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轻薄设备新选择,长江存储PC300商用固态硬盘

长江存储旗下消费级品牌致态自首款SSD产品上市起,现已推出SATAIII、PCIe 3.0、PCIe 4.0以及移动固态硬盘等产品,并在市场销量及用户口碑上均取得不菲成就。在此前提下,长江存储于近日推出新一代商用固态硬盘——PC300系列产品。

(图源自:长江存储)

PC300系列固态硬盘产品采用长江存储第三代三维闪存芯片以及慧荣科技SM2267XT主控芯片,支持PCIe 4.0、NVMe 1.4等接口协议,其顺序读取速度最高可达3,900 MB/s,顺序写入速度最高可达2,800 MB/s。采用无缓存设计,支持HMB技术。提供256GB、512GB、1TB三种容量和M.2 2242和2280两种尺寸规格。

近日,国内知名科技媒体PCEVA针对长江存储PC300 1TB进行了一系列测试:

CrystalDiskMark

(图源自:PCEVA)

作为晶栈2.0(Xtacking®2.0)技术的长江存储第三代NAND闪存以及慧荣科技SM2267XT PCIe 4.0 SSD主控芯片相结合的SSD产品。PC300在CrystalDiskMark实机测试中能够达到3,955 MB/s的连续读取速度和3,019 MB/s的连续写入速度,4K随机性能经换算后读写速度可达421K/473K IOPS。

其中连续读取速度完美达到了官方标称速度,连续写入速度更是超过了官方标称的 2,800 MB/s。

3DMark

(图源自:PCEVA)

在3DMark存储测试中,使用PC300作为系统盘进行。通过对多个游戏进行录制、安装、保存和移动,最后PC300得分为2423分,超过平均得分19%。

SLC缓存测试

(图源自:PCEVA)

在用户们非常关心的SLC缓存容量和缓外读写性能上,长江存储PC300 1TB版本在系统占用80GB容量的情况下,依然能够提供超过200GB的SLC缓存空间,并且SLC缓存用完后的读取速度保持在1,700 MB/s以上,写入速度保持在1,000 MB/s以上。

电源状态

(图源自:PCEVA)

提供高速性能的同时,长江存储PC300在功耗方面同样可圈可点。根据smartmontools识别数据,共支持3种活动电源状态(PS0、PS1以及PS2)和2种非活动电源状态(PS3、PS4)。其中PS0工作状态最大功耗仅为5W,PS4状态最大功耗更是低至3mW。

关于SM2267XT

(图源自:PCEVA)

作为慧荣科技旗下定位于主流应用的主控芯片,SM2267XT支持4个NAND闪存通道,连续读写速度最高可达3,900/3,500MB/s,随机读写速度最高可达500K IOPS。提供高性能、高可靠性,最符合经济效益的PCIe 4.0 SSD解决方案。

SM2267XT所采用的DRAM-less架构,支持HMB(主机内存缓存)技术,可在不影响性能的前提下,满足小尺寸的产品设计需求,更能满足对内部空间要求严格的笔记本产品,为轻薄笔记本用户也能提供出色的性能体验。

(图源自:PCEVA)

随着SteamDeck等游戏掌机、ChromeBook以及Intel Evo认证的轻薄笔记本的推出,将会有越来越多体积小巧的便携式设备对内部硬件提出更多需求,长江存储PC300商用级SSD在慧荣科技SM2267XT主控芯片的加持下,提供2242及2280两种规格尺寸,对于此类空间紧凑的轻薄设备而言能够提供高达3,900 MB/s的连续读取性能,以及最高5W的功率,在性能、功率、体积方面提供了极佳体验。并且长江存储PC300现已获得笔记本电脑大厂采用,足以证明其综合表现以及长江存储NAND Flash已经达到国际一流水准。

被制裁1年,长江存储从全球第1,变成落后三星、SK海力士、美光

近日,全球存储大厂SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。SK海力士表示,与232层产品相比,单位容量提升了41%,延迟降低了13%,性能提升了12%,功耗降低了10%,并且生产效率也提升了59%,算下来成本降了至少50%。

而三星也表示,自己的300+层的4D NAND闪存,即将推出,而下一代产品将超过400层。

同样的还有美光,也表示即将推出300+层的NAND闪存,很明显这三大厂,时隔一年之后,要正式进入300层时代了。

对于NAND产品而言,不能一味的提升工艺,因为工艺达到15nm后,再提升的话,NAND闪存就不稳定。所以厂商们转向立体结构,多层堆叠,NAND层数越多,意味着存储密度越高,容量密度下的成本越低。

举个简单例子,大家就能够懂了。以前128层的1TB NAND芯片,需要200块,那么232层时,1TB的NAND芯片,只要100块左右,如果变成321层的话,可能只要50块了。

所以NAND芯片厂商们,想要提升技术、降低成本的办法,不像逻辑芯片一样,提升工艺,而是增加层数,采用立体结构来堆叠。

事实上,在232层这个档次,长江存储是全球第一家量产的。

去年下半年,长江存储成为全球首个量产232层NAND闪存的厂商,然后才是美光、SK海力士、三星。这意味着国产存储是真的支棱起来了。

但也正因为长江存储太优秀了,让美国害怕,所以美国在去年10月份,对长江存储进行了制裁,长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍,更不要说232层了。

先进设备买不到,甚至已经买到的先进设备,后续维修、更换备件都不行,这严重影响到了长江存储的产能,更重要的是影响到了技术发展。

而这也正是美国的目的,本来长江存储技术全球领先,那么依托这个232层的技术,长江存储可以迅速抢占市场,赢得最为宝贵的窗口时期。

但美国的制裁一下来,这个窗口时期就没有了,然后美光、三星、SK海力士等追了上来,直到现在这三大厂商,在技术上还反超了,让长存从领先变成了落后。

而一旦这些厂商300+层的NAND闪存推出,市场慢慢的就会又被这些厂商抢走。

可见,依赖别人技术的突破,真的还是有风险的,一旦别人进行制裁,技术发展路线可能就会被打断,从而出现危机。

我们需要的,还是全产业链的突破,举个例子,如果长江存储的232层突破,是基于国产设备的突破,那美国的制裁将毫无意义。

所以,国产半导体加油吧,我们不仅仅需要的是技术突破,更需要全产业链都跟上来,没有短板才行。

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