NAND产品涨超10%！存储巨头再度调涨存储芯片报价 最快本月生效

据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格 。

今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。

如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点 。

SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20% 。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。

10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺 。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。

目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价 。

从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。

总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。

本文源自科创板日报

三星再次调涨NAND报价，最快本月生效

据韩媒BusinessKorea报道，韩国存储大厂三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情，打算在第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。 业界人士认为，第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10％～15％。

消息称，三星电子最快将从10月签约的新订单开始调涨NAND芯片合约价格，这是继先前宣布NAND芯片减产后，企图提振NAND芯片价格的最新策略。

由于NAND芯片利润比DRAM芯片低，因此三星近来积极推动价格正常化。三星立下目标要在明年第二季达成NAND芯片事业收支打平，因此决定在减产之余还要调涨芯片价格。

SK证券公司分析师Han Dong-hee表示：「三星电子的第二波减产行动及获利至上政策，可望激励存储芯片价格反弹。」

另一方面，对于三星、SK海力士及美光持续减少供给，意图带动DRAM及NAND合约价及现货价止跌回升。台湾业界人士指出，目前DRAM现货报价中，以DDR5涨势最为明显，主要是库存较少。 DDR4库存水位虽偏高，但三大厂的DRAM减产重点锁定于DDR4，朝DDR5扩大生产，预期至2023年底，DDR5销售比重将可达30％～40％，与DDR4用量呈现黄金交叉。

惟法人考量逻辑代工厂端成熟制程产能利用率，并无明显回升，后续仍需观察需求延续力道。

目前第四季模组厂对客户涨价已成市场共识，合约价也有望随现货价回升，模组厂获利将率先反应，而存储制造及代工厂则因持续透过减产支撑价格，业绩预料较晚复苏。

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