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sd nand memory memory的可数性以及用法搭配

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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memory的可数性以及用法搭配

memory n.记忆力;记忆;回忆;存储器;记性;对死者的记忆;记忆所及的时期;回忆所及的范围

1. 表示“记忆（力）”，若指具体某人的记忆（力），通常为可数名词，若指抽象意义的记忆（力），通常为不可数名词。“回忆”一般都是可数名词；如：

I have a very good visual memory.

我过目不忘。

She has a very short memory.

她的记性很差，时间一长就忘。

The photos bring back lots of good memories.

这些照片唤起了许多美好的回忆。

People have short memories.

人是健忘的。

He had a long memory for people who had disappointed him.

谁让他失望，他总是记恨在心。

The time we spent together is now a distant memory.

我们一起度过的时光现已成为久远的记忆。

She has a good memory and finds it easy to retain facts.

她记忆力好，很容易记住事情。

The memory brought a tear to her eye.

她想起这事便热泪盈眶。

I have happy memories of my years in Poland.

在波兰的岁月给我留下了美好的回忆。

The boy has a good (bad) memory. 这孩子记忆力好（不好）。

The photos bring back lots of good memories.

这些照片唤起了许多美好的回忆。

All the details of the meeting are fresh in my memory...

我对会议的所有细节都记忆犹新。

表示“对……的记忆”，一般用介词 for。如：

I have a bad memory for names.

我不善于记名字。

John has a good memory for names (faces, figures). 约翰对人的名字（面孔、数字）有很好的记忆力。

There hasn't been peace in the country in/within my memory.

在我的记忆里，这个国家从没太平过。（不可数名词）

This hasn't happened in living memory.

在世的人都不记得发生过这样的事。（不可数名词）

The floods are the worst in living memory...

那次洪水是人们记忆中最严重的一次。（不可数名词）

2. 注意正确理解以下各句：

His name escaped my memory. 他的名字我记不起了。

Bit by bit memories of the night came back to me.

我渐渐回忆起了那晚的点点滴滴。

If my memory serves me right/well/correctly, he is 55 years old this year.

如果我没记错的话，他今年55岁了。

This moment will live in our memory for many years to come.

这一时刻将在我们的记忆中留存许多年。

3. 用于 in memory of, 意为“为了纪念，作为对某人的纪念”（注意不用冠词）。如：

He founded the charity in memory o f his late wife.

他创办了这一慈善事业以纪念他已故的妻子。The crowd observed a minute's silence in memory of those who had died.

众人为死者默哀一分钟。

The congress opened with a minute's silence in memory of those who died in the struggle.

代表大会开幕时进行了一分钟的默哀，以怀念在斗争中牺牲的人。

They're going to erect a monument in memory of the dead. 他们打算树碑纪念死者。

She set up the charitable trust in memory of her father. 她设立了慈善信托基金以纪念她的父亲。

in memory of= to the memory of sb

He built a chapel as a shrine to the memory of his dead mother.

他建了一座小教堂作为悼念亡母的圣所。

The other day, in a little church near Brighton, a window was dedicated to the memory of the Revd. Michael Scott

几天前，在布赖顿附近的一个小教堂，人们以一扇窗户来纪念迈克尔·斯科特牧师

This book is dedicated to the memory of my mother.

谨以此书献给我已故的母亲。

闪存芯片NOR Flash、NAND Flash傻傻分不清楚 ICMAX帮你搞定

通过前天的文章介绍，我们知道eMMC 是 Flash Memory 的一类，eMMC的内部组成是NAND flash+主控IC，那什么是Flash Memory、NOR Flash、NAND Flash，宏旺半导体就和大家好好捋一捋它们几者之间的关系。

Flash Memory 是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在 PC 系统中，则主要用在固态硬盘以及主板 BIOS 中。另外，绝大部分的 U 盘、SDCard 等移动存储设备也都是使用 Flash Memory 作为存储介质。

1. Flash Memory 的主要特性

与传统的硬盘存储器相比，Flash Memory 具有质量轻、能耗低、体积小、抗震能力强等的优点，但也有不少局限性，主要如下：

需要先擦除再写入

Flash Memory 写入数据时有一定的限制，它只能将当前为 1 的比特改写为 0，而无法将已经为 0 的比特改写为 1，只有在擦除的操作中，才能把整块的比特改写为 1。

块擦除次数有限

Flash Memory 的每个数据块都有擦除次数的限制（十万到百万次不等），擦写超过一定次数后，该数据块将无法可靠存储数据，成为坏块。

为了最大化的延长 Flash Memory 的寿命，在软件上需要做擦写均衡（Wear Leveling），通过分散写入、动态映射等手段均衡使用各个数据块。同时，软件还需要进行坏块管理（Bad Block Management，BBM），标识坏块，不让坏块参与数据存储。（注：除了擦写导致的坏块外，Flash Memory 在生产过程也会产生坏块，即固有坏块。）

读写干扰

由于硬件实现上的物理特性，Flash Memory 在进行读写操作时，有可能会导致邻近的其他比特发生位翻转，导致数据异常，这种异常可以通过重新擦除来恢复，Flash Memory 应用中通常会使用 ECC 等算法进行错误检测和数据修正。

电荷泄漏

存储在 Flash Memory 存储单元的电荷，如果长期没有使用，会发生电荷泄漏，导致数据错误，不过这个时间比较长，一般十年左右，此种异常是非永久性的，重新擦除可以恢复。

2. NOR Flash 和 NAND Flash

根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory 主要可以分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两类。主要的差异如下所示：

· NAND Flash 读取速度与 NOR Flash 相近，根据接口的不同有所差异；

· NAND Flash 的写入速度比 NOR Flash 快很多；

· NAND Flash 的擦除速度比 NOR Flash 快很多；

· NAND Flash 最大擦次数比 NOR Flash 多；

· NOR Flash 支持片上执行，可以在上面直接运行代码；

· NOR Flash 软件驱动比 NAND Flash 简单；

· NOR Flash 可以随机按字节读取数据，NAND Flash 需要按块进行读取。

· 大容量下 NAND Flash 比 NOR Flash 成本要低很多，体积也更小；

（注：NOR Flash 和 NAND Flash 的擦除都是按块块进行的，执行一个擦除或者写入操作时，NOR Flash 大约需要 5s，而 NAND Flash 通常不超过 4ms。）

2.1 NOR Flash

NOR Flash 根据与 CPU 端接口的不同，可以分为 Parallel NOR Flash 和 Serial NOR Flash 两类。

Parallel NOR Flash 可以接入到 Host 的 SRAM/DRAM Controller 上，所存储的内容可以直接映射到 CPU 地址空间，不需要拷贝到 RAM 中即可被 CPU 访问，因而支持片上执行。Serial NOR Flash 的成本比 Parallel NOR Flash 低，主要通过 SPI 接口与 Host 连接。

图片： Parallel NOR Flash 与 Serial NOR Flash

鉴于 NOR Flash 擦写速度慢，成本高等特性，NOR Flash 主要应用于小容量、内容更新少的场景，例如 PC 主板 BIOS、路由器系统存储等。

2.2 NAND Flash

NAND Flash 需要通过专门的 NFI（NAND Flash Interface）与 Host 端进行通信，如下图所示：

图片：NAND Flash Interface

NAND Flash 根据每个存储单元内存储比特个数的不同，可以分为 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）和 TLC（Triple-Level Cell）三类。其中，在一个存储单元中，SLC 可以存储 1 个比特，MLC 可以存储 2 个比特，TLC 则可以存储 3 个比特。

NAND Flash 的一个存储单元内部，是通过不同的电压等级，来表示其所存储的信息的。在 SLC 中，存储单元的电压被分为两个等级，分别表示 0 和 1 两个状态，即 1 个比特。在 MLC 中，存储单元的电压则被分为 4 个等级，分别表示 00 01 10 11 四个状态，即 2 个比特位。同理，在 TLC 中，存储单元的电压被分为 8 个等级，存储 3 个比特信息。

图片： SLC、MLC 与 TLC

NAND Flash 的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但是成本会更低。下图中，给出了特定工艺和技术水平下的成本和寿命数据。

相比于 NOR Flash，NAND Flash 写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash，PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。

3. Raw Flash 和 Managed Flash

由于 Flash Memory 存在按块擦写、擦写次数的限制、读写干扰、电荷泄露等的局限，为了最大程度的发挥 Flash Memory 的价值，通常需要有一个特殊的软件层次，实现坏块管理、擦写均衡、ECC、垃圾回收等的功能，这一个软件层次称为 FTL（Flash Translation Layer）。

在具体实现中，根据 FTL 所在的位置的不同，可以把 Flash Memory 分为 Raw Flash 和 Managed Flash 两类。

图片： Raw Flash 和 Managed Flash

Raw Flash

在此类应用中，在 Host 端通常有专门的 FTL 或者 Flash 文件系统来实现坏块管理、擦写均衡等的功能。Host 端的软件复杂度较高，但是整体方案的成本较低，常用于价格敏感的嵌入式产品中。通常我们所说的 NOR Flash 和 NAND Flash 都属于这类型。

Managed Flash

Managed Flash 在其内部集成了 Flash Controller，用于完成擦写均衡、坏块管理、ECC校验等功能。相比于直接将 Flash 接入到 Host 端，Managed Flash 屏蔽了 Flash 的物理特性，对 Host 提供标准化的接口，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 Flash 进行特殊的处理。eMMC、SD Card、UFS、U 盘等产品是属于 Managed Flash 这一类。

看完这篇文章，相信对Flash memory都会有一个全面的了解，无论是其原理，还是NOR Flash 和 NAND Flash、Raw Flash 和 Managed Flash 之间的异同，欢迎关注宏旺半导体，会持续带来存储领域更专业的文章。

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