国外nand芯片形势严峻：被美国打压，国产NAND芯片原地踏步，份额仅5%

形势严峻：被美国打压，国产NAND芯片原地踏步，份额仅5%

近日，知名机构TrendForce集邦咨询，发布了2024年一季度全球NAND FLASH闪存市场报告。

数据显示，一季度全球NAND营收环比增长28.1%，达147.1亿美元。原因就是因为AI发展，以及PC、手机开始回暖，所以NAND需求增长了，导致整个存储芯片市场是价、量齐升。

而从具体的排名来看，三星、SK海力士、铠侠、美光、西部数据这5大巨头排名前五，没什么变化，这5大巨头合计拿下了94.6%的份额。

也就是说留给其它小厂商的市场，其实只有5.4%左右，这里面包括中国大陆、台湾等一些小NAND Flash闪存厂商。

看到这里，估计很多知道整个NAND闪存市场的网友，肯定是一片叹息，因为被美国打压之后，国产NAND闪存，几年了依然是原地踏步，没能崛起进入前五名，真是徒呼奈何啊。

我所说的国产NAND闪存厂商，指的就是长江存储，这家成立于2016年的国产存储芯片厂商，表现是非常猛的。

2016年才成立，2017年就量产32层堆叠的3D NAND，然后在2018年发明了晶栈技术，也叫做Xtacking。

有了这个技术之后，长江存储就真的牛了，进入64层堆叠存储技术之后，直接跳过96层，迈入128层，和三星、SK海力士、美光等巨头的技术差距，越来越小。

到了2022年下半年，长江存储更是成为全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商，比美光、三星等还领先。232层存储，存储密度更高，成本更低，同时速度会更快。

而按照正常的技术路线来说，谁最先掌握最先进的技术，那么就会利用这个技术，以及利用时间窗口，快速的扩大市场优势。

如果一切正常，在232层存储推出后，长江存储会迅速扩产，提高产能，向市场铺货，然后提升市场份额，和三星、SK海力士、美光等竞争。

不曾想，看到中国存储芯片这么先进，美国坐不住了，开始对长江存储进行打压，将其列入实体清单，对先进的设备进行封禁。

然后一些美国的半导体设备厂商，取消了订单，甚至连已经下单的先进机器也不发货了，还撤回了服务团队。

于是长江存储先进产能扩产计划没能顺利实施，当然232层的技术优势，也没能好好利用，毕竟买不到设备，没法扩产，再有技术又能怎么样呢？

而在长江存储被制裁的情况之下，三星、美光、SK海力士等迅速追了上来，并且技术不断进步，如今在堆叠技术上，已经超过了长江存储了，让人真是愤怒。

可见，依托于国外设备/技术的突破，有时候就宛如空中楼阁，对方一卡就废了，还得国产设备/技术顶上来，解决供应链的突破，才是真突破啊，你觉得呢？

西数介绍BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片：拥有业界最高密度

近日，西部数据在投资者活动上介绍了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存，这是目前业界最高密度的闪存芯片，将打造更快、更大、功耗更低的SSD。其采用了218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术，非常地小巧，可以放在指尖上。

据TomsHardware报道，西部数据分享了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品相比，功耗、存储密度和I/O性能的表现都得到了提升。一个闪存颗粒是由多个NAND闪存芯片堆叠封装而成，这意味着存储厂商使用16个新款闪存芯片堆叠，就能在单个封装中提供4TB。如果能够实现大批量生产，那么足以重新定义大容量SSD的成本。

西部数据执行副总裁兼闪存业务总经理Robert Soderbery表示，很高兴与大家分享这款芯片，设计的初衷是为了满足数据中心和人工智能（AI）存储的需求，西部数据将很快宣布这款产品，与大家分享世界上容量最大的内存芯片。

根据西部数据的说法，BiCS8 2Tb QLC NAND闪存的密度比起竞争对手高出15~19%，I/O接口速度比竞争对手快了50%，同时每GB数据所需要的程序能效比竞争对手低了13%。西部数据还介绍了制造方法，采用的是CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起，有点类似于长江存储的Xtacking架构。