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苹果跳nand 苹果迎接AI浪潮,酝酿为iPhone改用QLC NAND
发布时间 : 2024-10-11
作者 : 小编
访问数量 : 23
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苹果迎接AI浪潮,酝酿为iPhone改用QLC NAND

IT之家 7 月 25 日消息,集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报,透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存,

最早 2026 年用于 iPhone 产品中,让其存储上限达到 2TB。

QLC 和 TLC

TLC 的全称是 Triple Level Cell(三层单元) ,进一步增加存储密度,每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND,使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells(四层单元) ,每个单元可储存 4bit 数据,跟 TLC 相比,QLC 的储存密度提高了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中,QLC NAND 的耐久度最低,通常 P / E Cycle(Program Erase Cycle)在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制、预留配置(OP)和 Wear leveling 以维持可靠性。

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载,但它为日常使用提供了充足的存储容量,使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。

早有曝料苹果正推进 QLC NAND

最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND,IT之家今年 1 月报道,苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代,从而将内置存储上限提高到 2TB。

不过需要注意的是,虽然 QLC 的密度比 TLC 高,但速度却比后者慢;而且单个单元中存在更多的单元,它们的耐用性较差,这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。

迎接大语言模型

苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存,而不是内存来存储大型语言模型(LLMs),从而能够在本地运行更多 AI 任务,因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。

iPhone6频繁宕机引不满:苹果停用TLC闪存

| 责编:魏景芳

北京时间11月10日消息,据外媒报道,iPhone 6和iPhone6 Plus的宕机问题已经引起苹果重视。日前苹果表示,将停用TLC NAND闪存技术,并计划在64GB版iPhone 6和128GB版iPhone6 Plus中使用MLC NAND闪存技术。

苹果停用TLC闪存(图片来自腾讯)

媒体原因业内人士的消息称,苹果已经决定停用TLC NAND闪存技术。苹果认为,困扰iPhone6和iPhone 6 Plus的功能缺陷,缘于TLC NAND闪存控制芯片中的一个问题。在作出这一决定的同时,苹果还计划在64GB版iPhone 6和128GB版iPhone 6 Plus中使用MLC NAND闪存技术。

苹果还表示,它将在一年内为已经装备了TLC NAND闪存的iPhone手机提供iOS8.1.1更新。据了解,TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种。它的数据存储量是SLC存储器的三倍,是MLC存储器的1.5倍。最重要的是,TLC闪存更实惠。然而,它读取和写入数据的速度比SLC或MLC要慢一些。

目前,MLC NAND被16GB的iPhone 6、iPhone 6 Plus和部分64GB机型采用,但所有128GB机型都采用了TLC NAND。此前,一些iPad中也采用了TLC NAND。

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