苹果最终将采用QLC NAND闪存，这将使其推出高达2TB存储空间iPhone

苹果有史以来出货的 iPhone 中最高的内部存储空间为 1TB，但随着 AI 热潮、视频需求、应用数据更新和许多其他类别的存储需求增加，该公司必须找到增加这一数量的方法。一家研究公司认为，当苹果切换到QLC或四级单元NAND闪存时，它将在这次尝试中取得成功。然而，预计这种转变不会这么早发生，因为首批拥有高达 2TB 存储空间的型号可能会在 2026 年推出。

这并不是苹果第一次被报道在其iPhone上引入QLC NAND闪存。这家科技巨头此前曾表示，将这项技术带到 iPhone 14 系列，当这些说法没有实现时，据报道该公司正在适用于即将推出的 iPhone 16 系列的 QLC 闪存.现在，TrendForce集邦咨询认为，这种存储方式将取代目前存在于iPhone中的TLC（三层单元），使苹果能够将内部存储器提高到2TB。不幸的是，虽然 QLC 比 TLC 密度大，但它比后者慢。

此外，由于单个单元中存在更多的单元，因此它们的耐用性较差，这意味着它们将处理比 TLC 更少的写入周期。幸运的是，在QLC NAND闪存接近磨损之前，买家可能会升级到新的iPhone。预计苹果将为 iPhone 18 带来各种变化，例如将三星纳入其中供应 48MP 摄像头传感器，使索尼的垄断地位面临风险，并可能在台积电的帮助下推出其首款 2nm SoC。

苹果也在探索如何存储大型语言模型（LLM）使用 NAND 闪存代替 RAM，这将使该公司能够在大量机器上运行大量命令，因此向QLC NAND闪存的过渡可能有助于解决这个问题。现在苹果情报需要功能强大的神经网络引擎和至少 8GB RAM 才能运行设备上和基于云的 AI 功能的组合。

虽然苹果有各种理由升级最大支持的板载设备，但不难相信，这家总部位于加利福尼亚的巨头的竞争对手不会采取同样的路线，因为各种Android手机制造商试图以任何方式相互竞争。

iPhone或将改用QLC闪存 牺牲速度和耐久性换取高容量存储

【太平洋科技快讯】 近日，有消息透露称苹果公司正酝酿在2026年推出的iPhone产品中使用QLC NAND(四层单元闪存)技术，此举将使iPhone的存储上限提升至2TB，但是QLC NAND的读写速度低于TLC NAND，且耐用性较差，写入周期较TLC少。但在存储容量方面，QLC NAND具有明显优势，如果苹果继续执行这一计划，一些高容量版本的iPhone 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。

QLC NAND相较于当前iPhone使用的TLC NAND(三层单元闪存)，每个存储单元可存储4bit数据，存储密度提高33%。这一升级将为用户提供更大的存储空间。

QLC NAND主要用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用。虽然其耐久度相对较低，但足以满足日常使用需求，使得固态硬盘在更广泛的用户群体中普及。

据了解，苹果公司还在研究如何利用NAND存储大型语言模型(LLMs)，以便在本地运行更多AI任务。采用QLC NAND可能有助于提升Apple Intelligence的性能表现。

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