三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层

作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

三星明年开始生产第9代V-NAND闪存：继续采用双堆栈架构，超过300层

三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。

此前竞争对手SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。SK海力士透露，打算2025年上半年开始生产这款NAND闪存，采用的是三层堆叠方法。该工艺涉及创建三组不同的3D NAND层，将增加操作步骤和原材料的使用，但其目的是最大限度地提高产量，相比之下更容易生产3D NAND堆栈。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

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