手机混用闪存到底是真是假？教你查手机闪存型号

来源：太平洋电脑网

最近，网上传言某手机混用闪存，将UFS 3.0和UFS 3.1的闪存混用在了同一型号的机器上，买不同容量的手机，闪存协议不一样。光从这个描述来看，这做法相当不厚道，消费者买手机等于抽奖。

但这到底是不是真的？很多朋友也只是有所耳闻，但却不知道如何验证。今天，就给大家分享一些方法。

方法一：拨号面板输入指令查询

这是适用于部分ROM的方法，例如某些版本的MIUI、EMUI等ROM就可以使用。在拨号界面中，输入“*#*#284#*#*”，系统就会开始生成Debug报告，等待Debug报告生成完毕，整个过程应该不到一分钟。

输入*#*#284#*#*

这个Debug报告包含很多文件，以MIUI为例，这些文件处于手机内部存储的“MIUI\debug_log”目录下。开启这个目录，找到“bugreport-日期时间”文件名格式的zip包，开启这个zip包。

MIUI中的Debug报告

在这个zip包当中，还包含着另一个zip包，它的文件名是“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”。

其中的bugreport压缩包

打开这个zip包，里面有一个和这个zip包同名的txt文件，开启即可。

开启这个txt文件

这个txt文件中，搜索“ffu”的字串，很容易就可以找到闪存型号的信息。例如笔者手中的这部手机，它的闪存型号是“KLUCG4J1ED-B0C1”，制造商是三星。

其中可以找到闪存具体型号

方法二：系统Bugreport查询

这个方法适用于大部分的安卓手机。首先，需要开启安卓机的开发者选项，在设置菜单的系统信息界面，不断点击“版本号”即可开启。

接着，设置界面就多了“开发者模式”的选项，这个选项通常位于“系统”下。进入开发者选项，可以看到“错误报告”的功能，点击后，选择生成报告。

开发者模式下生成bugreport

将bugreport保存到存储空间，或者发送到其他地方

等待一段时间后，系统通知栏就会弹出“已获取错误报告”的信息。点开它，看到了警告信息后，将它保存到系统目录当中。错误报告是一个文件名为“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”的zip包

接下来的操作就和方法一差不多了。在这个zip包里面，找到同名的txt文件，然后在其中搜索“ffu”，就能找到闪存型号。

但也要注意，现在某些厂商默认并不将闪存的相关信息写入Bugreport当中，或者是搜索的关键词不同（例如有的手机要搜“ufs_product_name”），这需要大家亲自尝试了。

方法三：终端命令行查询

安卓系统基于Linux内核，因此想要确认安卓机的一些信息，也可以通过Linux中常用的终端来进行。

首先下载安装一个终端App，这类App非常丰富，这里就不特别提供了，大家可以自行搜寻安装。

在终端中输入以下命令行：“cat /proc/scsi/scsi ”

之后，终端就会呈现出闪存的制造商、具体型号等信息了。

在终端，输入命令行也可以查看到闪存具体型号

不过，这个方法并非什么机器都可以用，某些厂家已经屏蔽了相关信息的调用，就算输入命令也不会返回任何信息，这就看不到闪存型号的信息了。

某手机真的混用UFS 3.0和UFS 3.1闪存了吗？

找到了闪存型号后，要确认对应规格就很容易了，直接通过搜索引擎，或者制造商的官网查找即可。

这次某些朋友是买到了某手机的256G容量的型号，因为闪存跑分略低，被怀疑是UFS 3.0，和宣传的UFS 3.1不符。据了解，对应的闪存型号为“SDINFDK4-256G”，我们就以它为例子，来鉴定一下到底这是什么闪存规格。

网络上受争议的某手机256G版闪存型号

从搜索引擎中，很容易就找到了该闪存的官方规格文件，这里把链接也提供给大家。

西数/闪迪闪存规格文件：https://documents.westerndigital.com/content/dam/doc-library/en_us/assets/public/western-digital/product/embedded-flash/brochure/brochure-western-digital-eis-mobile.pdf

从文件中，很容易就找到了“SDINFDK4-256G”的对应规格。可见这就是UFS 3.1的闪存，宣传并没有错谬。

其实是货真价实的UFS 3.1

至于和128G版本的性能差异，是由于闪存的性能不仅仅和协议有关，NAND也是重要的决定因素——正如同样是PCIe 4.0的SSD，不同型号性能也有高下之分。

总结

总的来说，作为手机中的重要部件，闪存的确很大程度上决定了手机的体验。如果你对闪存信号有疑惑，不妨试试上文的方法，相信可以帮到大家。

SSD入门必看这些专业术语你知道多少？

SSD领域涉及到较多的专业术语，为了更深入地了解SSD技术，本文对常用SSD术语进行简要的说明和介绍。

Namespace

命名空间，是 NVMe 协议中一个基本的逻辑空间的概念。简单地说，命名空间将 NVMe SSD 的用户空间进行逻辑划分，每个命名空间拥有自身的 NAND 颗粒，可以独立地进行格式化和加密等操作。

OP

Over-provisioning，一般称为预留空间，它是指 SSD 保留一部分闪存空间留作他用，这部分空间用户不可操作，容量大小一般是由主控决定的，一般不建议用户自行修改。OP 空间在垃圾回收（Garbage Collection, GC）、耗损平衡（Wear Leveling, WL）、减少写入放大（Write Amplification, WA）等多个方面都有作用，具体如何应用要取决于 SSD 主控算法。OP 的使用情况对于磁盘的健康状态是有影响的。

DWPD

Diskful Writes Per Day，每日整盘写入次数，是指在预期寿命内可每日完整写入 SSD 固态硬盘所有容量的次数。这个参数一般会作为参考 NMVe SSD 寿命和性能的重要评测数据。由于 SSD 的实现是基于电气原理的，每个 NAND 颗粒的擦写（P/E）次数是有限制的，一般厂家都会标定一个寿命期限。OP 所实现的 WL 对于维护磁盘的使用寿命具有很重要的意义。

MTBF

Mean Time Between Failures，平均无故障工作时间，或相邻两次故障之间的平均工作时间，是衡量一个产品的可靠性指标，单位为“小时”。MTBF主要通过实证法采用加速应力方式来证明产品长期可靠度，主要通过高温加速测试计算评估，从测试深度、广度、持久度三个方向进行测验。

PI

Protection Information，保护信息。完整的端到端数据保护支持由Host端生成PI，提供从Host直至SSD内部的完整端到端数据路径保护。在数据生成时，通过对数据添加PI，并将其作为元数据始终伴随用户数据一同传输和校验，借此降低静默错误的发生；同时，借助ECC（如BCH、LDPC）、Die间RAID5等手段，对检测到的错误数据加以修正，提升整个端到端数据传输过程中的可靠性。PI也可以通过SSD Controller生成，提供SSD盘内的数据保护，通常，后者称为“数据路径保护”技术。

PI与用户数据通常是连续存放。这要求SSD在提供标准的用户数据存储空间（如512字节或4096字节）之外，额外提供PI作为元数据的存储区域。

VSS

Viable Sector Size，可变Sector Size，也叫活性扇区大小。它允许SSD在保存用户数据的同时，保存该数据的元数据，也就是对PI的存储。它是全闪存阵列实现NVMe端到端数据保护，降低静默错误发生的必要前提。在保证一致性能前提下，进一步保证存储系统和分布式文件系统对数据可靠性的高要求。

DIF/DIX

PI 的具体实现包括 DIF 和 DIX 两种方式，这两种数据保护机制的主要区别是 PI 信息的位置不同。具体选择哪种格式，要根据应用场景的需求。

Data Integrity Field (DIF)，即元数据与用户数据（LBA Data）连续存放。

Data Integrity Extension (DIX)，元数据与用户数据单独存放。

SR-IOV

Single-Root I/O Virtualization，单根 I/O虚拟化。是一种基于硬件的虚拟化解决方案，通过利用PF和VF的属性，将一个设备虚拟出多个PCIe设备，利于虚拟机操作，从而大大减轻宿主机的CPU负荷，提高性能和可伸缩性，帮助系统解决虚拟机SSD盘的QoS问题，可支持更多数量的虚拟机业务。VM可直接与VF通信，不需要Hypervisor接入IO处理，节约 vCPU资源，实现性能隔离。

SR-IOV可实现多个虚拟机共享物理资源，且bypass Hypervisor（或者VMM）软件层，使得虚拟机可使用到NVMe SSD的高性能。

PRP

Physical Region Page，物理（内存）区域页，主机侧用于通知SSD数据所在的内存位置的一种方式。NVMe把Host的内存分为页的集合，页的大小在CC寄存器中配置，可以是4K、8K…128MB，PRP Entry是一个64位的内存物理地址指针，描述的是一段连续的物理内存的起始地址，PRP list中每个PRP Entry都描述一个物理页。每个NVME 命令有两个域，PRP1和PRP2，Host通过这两个域告诉SSD数据在内存中的位置或数据需要写入的地址。

SGL

Scatter Gather List，散列聚集列表，是另一种索引内存的数据结构。用以描述一段数据空间，该空间可以是数据源所在空间，也可以是数据目标空间，SGL由若干个SGL segment组成，每个segment又由若干个SGL descriptor组成。与PRP描述物理页不同，SGL可以描述任意大小的内存空间，更为灵活。

Multi-stream write

多流写，该技术可以使SSD根据主机端提供的Stream ID，将具有相同或相似生命周期的数据写入到相同的擦除单元中去，大大提高GC时的效率，减少写放大，使得SSD的性能和寿命都有较大的提升。

ZNS

Zoned Name Spaces，分区命名空间。ZNS将一个Namespace的逻辑地址空间切分成单个zone（一种固定大小的子区间），每个zone都有一段LBA（Logical Block Address, 逻辑地址空间）区间，这段区间只能顺序写，而且如果要覆盖写，则必须进行一次擦除操作。这样，namespace就可以把NAND内部结构的边界透露给外界。NVMe SSD也就能够将地址映射表等内部管理工作交由host去处理，从而减少写放大、选择合适的GC时机。ZNS驱动器减少了用于过度配置的额外闪存，因为它们不希望频繁写入，因此成本更低。

通过了解这些术语，我们可以更好地理解SSD技术的原理和性能特点，并在选择、使用和优化SSD时做出更明智的决策。

转载：

https://www.unionmem.com/news_detail-107-112.html

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