轻薄本老了不要紧，入手aigo P3000固态硬盘，容量更大速度更快

随着轻薄笔记本电脑的普及，越来越多的用户都会选择更加便携的轻薄笔记本，但是目前轻薄笔记本的存储方式主要是固态硬盘，而且传统的2.5英寸SSD固态硬盘无法在轻薄本中使用，因此目前的轻薄本都选择了M.2接口的NVMe固态硬盘。小汪的小米笔记本购买于2016年，目前的存储空间也是捉襟见肘，早期市面上的M.2接口的固态硬盘平均每GB的价格接近2元，但是现在每GB不到1元的价格真心实惠，小汪这次购买的是aigo推出的M.2接口的P3000固态硬盘，平均每GB八毛多，用来做存储盘真香！

▲这款 aigo固态硬盘采用了3D NAND优选颗粒，读取速度最高可达3200MB/S，写入速度最高可达2900MB/S，可以大幅缩短系统、软件以及游戏的加载时间，提高工作效率。

▲打开包装，这就是 aigo P3000固态硬盘了，非常的小巧。除了NVMe高速标准之外，这款固态硬盘采用了LDPC校错机制，提升数据存储的准确性，存储重要文件更放心。

▲相较于传统的机械硬盘，固态硬盘因为没有机械部件和高速电机，可以大大降低发生故障的风险，而且具有低功耗、发热小、耗电低的特点，非常适合用作轻薄笔记本电脑的存储设备。

▲揭开固态硬盘标签贴纸，我们可以看到这款 aigo固态硬盘采用了INNOGRIT主控方案，采用的IG5216主控芯片采用了28nm工艺制程，NVMe1.4技术标准。 aigo P3000 固态硬盘采用96层3D TLC NAND颗粒，结合了3D NAND技术堆叠后，TLC颗粒的寿命和读写速度都有了大幅度的提升。

▲安装到小米笔记本电脑里也非常简单，只要稍微有点动手能力都可以操作。首先是打开笔记本电脑的底部盖板，在笔记本电脑的主板上，会有一个M.2固态硬盘的插槽，把固态硬盘斜着插入即可，然后用螺丝固定住即可，安装难度一颗星。

▲安装好固态硬盘以后，打开电脑，就能发现系统提示新增加的盘符了，小汪购买的是512GB的固态硬盘，我的小米笔记本测试读写速度如上图，我只能说速度真的是非常快。

▲如果用户不想安装到笔记本电脑里的话，也可以使用这种M.2接口的固态硬盘盒，安装上固态硬盘后，就成了一个大容量的移动硬盘，而且体积非常的小巧。

▲拷贝大容量文件速度也是非常快，可以达到1.31GB/秒，传输或者存储视频文件都非常的方便快捷。

▲装入固态硬盘盒以后，它就成了一个高速便携大容量移动硬盘，体积比U盘稍大一些，但是拷贝大体积文件的速度也是要起飞了！这种固态硬盘的好处就是快，不仅读写速度快，而且玩游戏的时候，那进度条跑的也快，有一种畅快淋漓的感觉！

▲玩游戏就更不用说了，连上我的显示器，进度条都是瞬间读取的，那速度真的是杠杠的。

▲不仅玩游戏的加载时间大大缩短，我们日常使用的一些大型软件或者进行视频编辑渲染时，这款 aigo P3000都能提供非常好的使用体验，提高我们的工作效率。

▲当然作为消费者来说，性价比是需要考虑的非常重要的因素之一，这款512G的P3000拥有五年质保和256TB写入量的TBW，1T版本的质保写入答512TB，让我们用户在使用上更放心。

▲整体来说，这款 aigo P3000固态硬盘给我的感觉非常不错，很适合这种轻薄笔记本电脑升级使用，早期的很多轻薄本使用的都是256GB的固态硬盘，升级以后可以获得更大的容量以及更快的速度，不论是存储大容量数据还是玩游戏运行大型程序等等，都可以获得更好的速度体验。而且现在的3D NAND技术也让TLC颗粒能够在寿命和读写速度上表现更好。好了，今天的开箱测评体验就到这里了，如果大家还有什么疑问欢迎在评论区留言，感谢大家的阅读。

三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产 投研报告

甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产。

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，平泽P4工厂将投入NAND设备。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.23%至0.08%，平均涨跌幅为-0.25%。其中15个料号价格持平，1个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备，预计该工厂将安装NAND闪存、DRAM和代工生产线。三星电子此次重新启动设备投资，显示出其对市场完全恢复的信心。

DRAM：颗粒价格小幅波动，三星1b DRAM正顺利量产。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-9.48%至8.53%，平均涨跌幅为2.10%。上周12个料号呈上涨趋势，6个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子下一代DRAM路线图进展良好，1b DRAM正在顺利量产，4F Square也正在顺利开发，三星将在内存领域保持超级差距，预计2025年开发出4F Square DRAM的初始样品。

HBM：SK海力士确定HBM4基础裸片工艺。根据CFM闪存市场报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品，并确定与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）量产上的合作分工。

市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0715-0719）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存条市场变化不大，基本维持不变。行业市场方面，本周行业价格相对稳定。受渠道市场影响，国内部分行业客户报价偏低，海外市场和国内一些优质客户出价相对较为合理。嵌入式市场方面，因原厂官价仍未完全确定下游终端普遍不急于备货，观望氛围浓重；本周嵌入式价格趋于平稳。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（ 甬兴证券 陈宇哲 ）

免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议，使用前请核实。据此操作，风险自担。

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