mcp ddr nand MCP和emcp之间就差个“E”？区别差远了-快讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

mcp ddr nand MCP和emcp之间就差个“E”？区别差远了

发布时间 : 2025-04-28

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

MCP和emcp之间就差个“E”？区别差远了

经过前期文章的科普，相信大家已经对eMMC、UFS和LPDDR都有了深入的了解。今天宏旺半导体和大家聊聊MCP和eMCP，一个字母之差，他们之间有什么区别和联系？分别应用于什么领域？带着这样的疑问，一起来看这篇文章。

MCP

MCP 为 Multi Chip Package 多芯片封装的简称，是将两种以上的存储器芯片透过水平放置或堆栈的方式成同一个 BGA 封装，MCP 合而为一的方式，较以往以主流 TSOP 封装成单独两个芯片，节省 70% 的空间，简化了 PCB 板的结构，也简化了系统设计，使得组装与测试良率得以提高。

一般 MCP 组合方式有两种：一为 NOR Flash 加 Mobile DRAM（SRAM 或 PSRAM），一种为 NAND Flash 加 DRAM 或 Mobile DRAM（SRAM 或 PSRAM）而 NAND Flash 由于储存密度高、功耗低、体积小，成本也较 NOR Flash 低廉，总体而言，MCP 降低了系统硬件成本，价格甚至比各自独立的芯片还要便宜，MCP 的最终多取决于 NAND Flash 价格变化，不过一般而言至少可便宜 10% 以上。

MCP 技术发展关键在厚度的控制与实际良率，MCP 堆栈的芯片愈多，厚度也愈厚，然设计过程中还是得维持在一定的厚度，当初定义的最高高度在 1.4 mm 左右（目前普遍为 1.0mm），在技术上有一定的侷限，此外，其中一颗芯片失效，其他芯片也无法运作。

MCP 技术通常以 SLC NAND 搭配 LPDDR2 为主，Mobile DRAM 不超过 4Gb，主要运用在早期功能型手机（Feature phone）或低阶智能型手机，MCP 出现较早，在技术发展上渐出现局限，三星、SK 海力士、ICMAX等开始转向 eMMC、eMCP 等技术的研发。

兼容 MCP 与 eMMC 的 eMCP

eMCP是结合eMMC和MCP封装而成的智能手机记忆体标准，与传统的MCP相较之下，eMCP因为有内建的NAND Flash控制晶片，可以减少主晶片运算的负担，并且管理更大容量的快闪记忆体。以外型设计来看，不论是eMCP或是eMMC内嵌式记忆体设计概念，都是为了让智能手机的外型厚度更薄，机壳密闭度更完整。

eMCP 主要是为缩短低阶智慧手机上市时程而开发，便于手机厂商测试的特性，中国手机市场竞争愈发激烈，对上市时程也就愈形重要，因此 eMCP 尤其受到联发科等公版客户的青睐。在配置上以 LPDDR4 为基础，以 8+16 与 8+32 为最多，但在价格上与同规格 MCP 加 NAND Flash 控制芯片相比，价差可达 10～20%，就端看手机厂商在成本与上市时间的权衡。

eMCP 在规格上和 eMMC 同样有的 11.5mm x 13mm x 1.Xmm 尺寸限制，要将 eMMC 与 LPDDR 组装在一起，一来容量增长不易，二来两者结合很容易产生讯号干扰，质量增加了不确定性，都成为 eMCP 往高阶市场发展的难点。

总体来说，MCP 主要运用在非常低阶的智能手机或功能型手机市场，eMCP 适合主流型的智能手机，尤其以使用联发科等处理器的手机厂商来说，采用 eMCP 有助于上市时间的推进。eMCP 主要横跨低、中阶市场，并有逐步往高阶市场迈进的趋势，而 eMMC 与分离式 Mobile DRAM 在配置上有较大的弹性，厂商在开规格上有较大的主控权，对于处理器与存储器之间的配合也能有较好的掌握，适合运用在追求效能的顶级旗舰机种。

宏旺半导体ICMAX 2019 年推出LPDDR4X 8GB存储器，抢攻中高端手机市场，当然就手机厂商在存储器的选择上，并不是最先进的整合技术就是最佳，整体而言适当、符合芯片平台，能够满足所开出的规格需求，稳定度与成本如预期，就是最佳的存储器整合技术

手机硬件设计说明书

手机硬件详细设计报告

关键词：LTE、TDD、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA、GSM、BT、WLAN、GPS

摘要：本文档为手机单板详细设计文档说明，对单板功能实现的方法、单板结构、加工工艺等方面进行详细描述

缩略语清单：

AP:Application Processor 应用处理器

Quad-core:四核；

NEON:NEON 技术是64/128 位单指令多数据流（SIMD）指令集，用于新一代媒体和信号处

理应用加速。NEON 技术下执行MP3 音频解码器，CPU 频率可低于10 兆赫；运行GSM AMR

语音数字编解码器，CPU 频率仅为13 兆赫。新技术包含指令集、独立的寄存器及可独立的

执行硬件。NEON 支持8 位、16 位、32 位、64 位整数及单精度浮点SIMD 操作，以进行

音频/视频、图像和游戏处理。

DVFS：Dynamic voltage and frequency scaling，即根据系统的动态调整电压和开关电源的频率

LPDDR2/3:Low Power Double Data Rate 2/3 代；

EMMC：Embedded Multi-Media Card

SDIO：Secure Digital Input and Output Card，SD IO SD 卡的接口

OTG:On The Go，简单来说就是把手机当主机，可以外接U 盘等；

LDO:Low Drop Output,低压降电源；

BUCK:降压DC-DC；

Core Power：给ARM 内核供电的电压；

UART：Universal Asynchronous Receiver/Transmitter，通用异步收发器。它只需要两个

线，分别是Sout 和Sin。在手机上就是com 口，也就是TX he RX，工作的时候两条信号线

都是高电平；

USB：Universal Serial Bus;

ZIF: Zero Intermediate Frequency 零中频；

PCM:Pulse Coded Modulation;

GPIO: General Purpose Input/Output;

CCK:complementary Code Keying 补码键控；

GSM:Global System Mobile 全球移动通信系统

GPRS：General Packet Radio Service；

EDGE:EGPRS,Enhanced GPRS

CMMB：China Mobile Multimedia Broadcasting；

VCO：Voltage-Controlled Oscillator

1,概述

1.1 项目背景

X8 项目是一款中端LTE 项目，平台：MT6732,频段900/1800；TD 2 频

（1900/2100）+TDD38、39、40\CSFB；LCD：720P，camera 前500 后

后800W(兼容1300W)；CSFB: Circuit Switch Fall Back,上网用4G，打电话用2G

1.1.1 X8 对应的硬件单板名称和版本号

1.1.2 ID 效果图、工艺图、堆叠示意图

架构特点：1）半截板，主板双面布件；2）接近光/环境光传感器SMT 到FPC 上，FPC 通过

ZIF 座与主板相连，开机键/音量键FPC 通过6PIN 焊盘刷焊；3) 大小版通过FPC 连接，主板

和副板的天线部分通过射频连接线连接。

1.2 手机功能描述

手机功能描述

1.3 手机运行环境说明

X8 手机允许工作温度范围为-10~45°，允许的存储温度范围为-20~70°

1.4 重要性能指标

手机射频指标

2，手机各组成部分详细说明

2.1 手机的系统框图

手机功能框图

2.2手机硬件设计

2.2.1平台信息

平台信息

2.2.2 软硬件接口文档

附文档（GPIO 说明文档）

2.2.3 关键器件信息

2.3 基带功能模块设计

2.3.1Memory

器件选型，只以EMCP为例

实现方案（eMMC，DDR，mcp，eMCP，POP 等）

本项目实现的方式是：eMCP：eMMC+LPDDR3

解释：mcp：nand flash+DDR

POP：Package ON Package

关键特性

上电时序

emmc 两个电源Vcc 和Vccq,Vcc 要求上电时间小于35ms，VCCQ 的上电时间小于25ms，两者下电时间尽量同步；

Supply for 3.3V <35ms

1.8V<25ms

1.2V<20ms

LPDDR3 要求所有电源（VDD1，VDD2，VDDCA，VDDQ）上电时间不大于20ms，下电无要求LPDDR3 的VREF 滤波电容不能太大，否则20ms 内完不成上电；

信号完整性SI

eMMC CLK 需要串一个几十欧姆（33ohm??）的电阻，以实现阻抗配合

LPDDR3 差分信号CLK+/-,DQS0+/-,...,DQS3+/-走差分线

电源完整性：

做电源PDN 仿真

2.3.2 PMU

实现方案

1 充电：通过MT6325 直接控制充电

2 给系统供电：

X 个DCDC， X 个LDO

支持DVFS，可以根据系统负载情况，动态调整DC/DC 输出(0.7~1.4V)

3,复位/控制

4,电流源：5 路，可以做键盘灯，指示灯

Audio PA

关键特性：DC/DC

电感选型：通流能力，超过DCDC 最大输出电流的1.2 倍(80%降额使用)

低直流阻抗

单点接地：DCDC 地接一起后，单点接地，防止对其他电源的干扰

PCB：接地宽度（过孔）要注意过流能力

开机过程：按开机键，插充电器，闹钟RTC 唤醒：

开机流程图

2.3.3 充电

1）实现方案：预充电、涓流、恒流、恒压

电池内阻：<110mohm，内阻是电池的固定属性，与电池电量大小无关，用电池测试仪测试。

2）电池温度检测

2.3.4 电量计模式

电量计：Gauge

信号脚：CS_N,CS_P

电量计是综合考量时间与电流的乘积，从而计算出电池当前的容量，既可以计算充电状态下的电池用量，也可以计算使用状态下的电池用量，具有双向统计的功能。

2.3.5电池接口

Vbat GND 温度检测脚

防护电路：ESD:VBAT ID NTC 加TVS 管

EMC：VBAT、ID、NTC 并联nF 和pF 级电容，防止对天线灵敏度造成干扰；

过压防护：VBAT 加稳压管(一般为最大电压值乘以1.2)

PS.稳压管和TVS 管的区别；

1，稳压管能够钳制电压在固定的值，而TVS 管限制电压在击穿电压VB 和最大钳制VC 之间

其中VR 称为最大转折电压，是反向击穿之前的临界电压。VB 是击穿电压，其对

应的反向电流IT 一般取值为1 mA。VC 是最大箝位电压，当TVS 管中流过的峰值电流

为IPP 的大电流时，管子两端电压就不再上升了。因此TVS 管能够始终把被保护的器

件或设备的端口电压限制在VB～VC 的有效区内。与稳压管不同的是，IPP 的数值可达

数百安培，而箝位响应时间仅为1×10-12s。TVS 的最大允许脉冲功率为Pmax=VC*IPP，

且在给定最大钳位电压下，功耗PM 越大，其浪涌电流的承受能力越大。

2.3.6 TP

TP 对上电顺序无特别要求

靠近TP 连接器

靠近PMU

注意I2C总线和中断脚都要上拉。

TP 所有的信号脚都需要加TVS 防护管；推荐型号：

2.3.7 LCD

MIPI CLK 计算方式：分辨率*3（RGB 灯的个数）*色彩位数*刷新率/数据通道数量/2

比如：1080p 的屏，按照60Hz 的数据刷新率，需要的时钟频率是：

1920*1080*3*8*60/4/2=373.248MHz

由于会有控制数据需要传送，所以一般LCD 的时钟会需要增加10%，也就是

373.248MHz*1.1=410.5728MHz

LCD 色彩数目计算方式：2^8*2^8*2^8(8 为每种颜色的表现位数)=16.5M

2.3.8 Camera

MIPI CLK 的计算公式：分辨率*采样深度*采样率/通道数量/2

后置摄像头：1080P 的录像所需的时钟频率是：1920*1080*10bit*30fps/4/2=77.76MHz

前置摄像头：1080P 的录像所需的时钟频率是：1920*1080*10bit*28fps/2/2=145.15MHz

MCLK PCLK 预留RC 做阻抗匹配，保证信号完整性。

2.3.9 音频方案（含耳机及接口，双mic降噪）-

听筒电路中磁珠为EMI器件，一般选择60ohm,120ohm和75ohm@100MHZ

33pF为旁路电容

用于听筒EMI的电容

2.3.10马达

马达电路

2.3.11 HDMI/MHL

无

2.3.12 USB接口

在副板上

2.3.13 SIM卡

1，电源：SIM1_VCC是SIM卡1的专用电源，其中1uF的电容为去耦电容，33pF为高频旁路电容。

SIM VCC电源

2，所有的非地管脚均需加TVS 管防护静电。

TVS 管推荐型号：

ON：ESD5V3L1B-02LS

Infineon：ESD5481MUT5G

Diodes：D5V0L1b2lp3-7&1；

Semtech：UCLAMP0541Z.TNT

防护电路

SIM卡插入和拔出中断需要上拉：

中断脚需要上拉

2.3.14 T卡

T卡和SIM2连接器二合一。

T卡和SIM卡而合一卡座

VDD需要加一个4.7uF的陶瓷电容去耦加稳压；CLK脚和数据脚需要串联30R做阻抗匹配；

2.3.15 GPS/BT/WIFI/FM

主处理芯片为MT6625L，本项目GPS和WIFI频段信息如下：GPS：1575.42 MHz，WIFI支持2.4G和5G两种载频。但天线是用一个，因此，需要一个三工器以保证GPS和WIFI都能正常工作。

GPS/WIFI合路器

其中RF_WBT表示WIFI和蓝牙的2.4GHz频段，RF_WF_5G表示WIFI的5GHz频段。GPS_RF_LNA表示GPS接收信号，顾名思义，这个信号是要接到LNA上去的。

用于天线防护的TVS管，结电容<0.5pF

天线端需要加一个TVS管防止静电从天线端引入，这个管子注意结电容一定要小，推荐小于0.5pF。

测试座

这里做了测试座子的兼容设计，入网的板子贴这个RF connector,正式量产的板子不贴这个射频座子。

MT6625L和CPU接口是IQ信号。

WIFI/BT/GPS IQ信号

2.3.16 NFC

2.3.17 CMMB

2.3.18 按键

2.3.19 加速度传感器

2.3.20 指南针传感器

2.3.21 环境光和接近光传感器

2.3.22 三色灯

三色灯电路

2.3.23 Hall IC功能

2.3.24 晶体/晶振

32.768K 慢时钟，时间时钟；由主电池或者后备电池的情况下会立刻起振；

26M 快时钟，逻辑时钟。Layout注意：1，走线短，线宽8-12mil，包地；2，GND的处理，避空处理；混频的源头。原则上晶体和晶振只能给一个负载提供时钟信号。在进入开机流程才会起振。

晶振电路

MCP和emcp之间就差个“E”？区别差远了

手机硬件设计说明书

关于我们

产品中心

服务与支持